1.一种可提高多量子阱复合效率的LED外延结构，从下至上依次包括衬底（1）、GaN缓冲层（2）、未掺杂GaN层（3）、N型GaN层（4）、多量子阱（5）、电子阻挡层（6）、P型GaN层（7）和P型接触层（8），其特征在于：所述多量子阱（5）由InxGa(1-x)N/AlN/GaN多量子阱所构成，其中0<x<0.2，所述多量子阱（5）包括8-12周的生长周期，生长压力为100-300Torr，在氮气环境中生长；多量子阱（5）的各周期从下至上包括依次交替生长的GaN层（9）、AlN层（10）和InGaN层（11）。
2.根据权利要求1所述的可提高多量子阱复合效率的LED外延结构，其特征在于：所述GaN层（9）的厚度为100-150埃，生长温度为800-900℃。
3.根据权利要求1或2所述的可提高多量子阱复合效率的LED外延结构，其特征在于：所述AlN层（10）的厚度为5-15埃，生长温度为850-950℃。
4.根据权利要求3所述的可提高多量子阱复合效率的LED外延结构，其特征在于：所述InGaN层（11）的厚度为28-32埃，生长温度为750℃。
5.根据权利要求4所述的可提高多量子阱复合效率的LED外延结构，其特征在于：所述衬底（1）为蓝宝石衬底、GaN衬底或者Si衬底中的任一种。