发光二极管封装结构的制作方法

本发明涉及一种半导体发光结构，具体涉及发光二极管封装结构。
背景技术：
：发光二极管具有体积小、效率高和寿命长等优点，在交通指示、户外全色显示等领域有着广泛的应用。尤其是利用大功率发光二极管可以实现半导体固态照明，引起人类照明史的革命，从而逐渐成为目前电子学领域的研究热点。为了适应现代产品越来越小体积、薄形化的趋势，许多发光二极管封装模组使用倒装技术，以使这种封装结构应用于许多高功率以及小体积的光源上。然而由于发光二极管芯片自发光二极管芯片中的P-N节呈放射式出光，因此除发光二极管芯片出光面之外，若发光二极管芯片侧边的光由于被其他结构遮挡而无法出射将导致发光二极管芯片整体的亮度下降，而若其他结构与发光二极管芯片间隔较大则不容易兼顾小体积的封装结构的达成，进而无法适应小体积的光源的实现。技术实现要素：有鉴于此，有必要提供一种增强发光二极管出光亮度的小体积发光二极管封装结构。一种发光二极管封装结构，包括发光二极管芯片，承载发光二极管芯片的电极，环绕发光二极管芯片周围的反射杯和覆盖发光二极管芯片的荧光粉层，所述反射杯的内表面与所述发光二极管芯片的底部接触，所述反射杯的内表面与所述发光二极管芯片的底部以上相互间隔形成空隙，所述空隙中填充有透明胶体，所述荧光粉层覆盖于所述发光二极管芯片和所述透明胶体上。本发明实施方式提供的发光二极管封装结构的反射杯的内表面的底部与发光二极管芯片接触，并自底部到发光二极管芯片的出光面与发光二极管芯片间隔形成空隙以用于填充透明胶体，不但尽可能的减小发光二极管封装结构的体积，而且由于发光二极管芯片的侧面并未被反射杯的内表面遮挡，因此发光二极管芯片的侧面仍然可以出射光线，且又搭配反射杯的具有反射功能的内表面从而大大的增加了发光二极管芯片的发出光线的利用率。下面参照附图，结合具体实施方式对本发明作进一步的描述。附图说明图1是本发明实施方式提供的第一实施方式的发光二极管封装结构的剖视示意图。图2是图1中所示的发光二极管封装结构的俯视图。图3是本发明实施方式提供的第二实施方式的发光二极管封装结构的剖视示意图。图4是图3中所示的发光二极管封装结构的俯视图。主要元件符号说明发光二极管封装结构1a、1b电极10第一电极11第二电极12绝缘层13发光二极管芯片20出光面22反射杯30内表面31凸曲面32起始端321终止端322阶梯部33第一结合面331第二结合面332连接台333空隙34透明胶体341凹曲面342荧光粉层40如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。具体实施方式请参见图1和图2，本发明第一实施方式提供的发光二极管封装结构1a，其包括电极10，与电极10电性连接的发光二极管芯片20，形成于电极10上并围绕发光二极管芯片20的反射杯30，以及覆盖发光二极管芯片20的荧光粉层40。所述电极10包括相互间隔的第一电极11和第二电极12。第一电极11和第二电极12的上表面用于承载和电连接发光二极管芯片20，第一电极11和第二电极12的下表面裸露于所述发光二极管封装结构1a，用于与电路板（图未示）等其他外部电路结构连接，为发光二极管封装结构1a提供电能。第一电极11和第二电极12采用导电金属材料制成。第一电极11和第二电极12之间设置有绝缘层13，所述绝缘层13采用不导电的绝缘材料制成。在本实施方式中，第一电极11、第二电极12和绝缘层13的上表面平齐，以供发光二极管芯片20平整的横跨在绝缘层13上从而同时与第一电极11和第二电极12连接。在本实施方式中，所述第一电极11和第二电极12是作为承载发光二极管芯片20的载板，而无需另外设置承载电极或发光二极管芯片的基板。当然，在其他实施方式中，所述第一电极11和第二电极12可形成在基板上，并采用该基板作为承载发光二极管芯片20的载板。所述发光二极管芯片20与第一电极11和第二电极12电性连接。在本实施方式中，发光二极管芯片20横跨在绝缘层13上并位于第一电极11和第二电极12上。发光二极管芯片20包括出光面22。该发光二极管芯片20可采用固晶打线、倒装等方式连接。在本实施方式中，为尽可能减小发光二极管封装结构1a的体积，该发光二极管芯片20采用倒装的方式电连接并固定于第一电极11和第二电极12，即，使出光面22的相对的面贴设在第一电极11、绝缘层13和第二电极12上。避免因采用打线连接而需要为弯曲的导线提供更多的空间，进而增加发光二极管封装结构1a的体积。请同时参阅图2，所述反射杯30环绕发光二极管芯片20和第一电极11、第二电极12设置。反射杯30包括内表面31，内表面31与发光二极管芯片20的底部接触。所述反射杯30的内表面31自与发光二极管芯片20的底部接触的位置沿着朝向发光二极管芯片20的出光面的方向朝向远离发光二极管芯片20的方向延伸。所述内表面31包括朝向靠近发光二极管芯片20的方向凸出的凸曲面32和位于凸曲面32之上且与凸曲面32衔接的阶梯部33。所述凸曲面32的起始端321位于发光二极管芯片20与第一电极11或第二电极12的交汇处；终止端322与发光二极管芯片20的出光面22位于同一水平面上，并且远离发光二极管芯片20。在本实施方式中，凸曲面32自起始端321到终止端322呈弧状曲面。所述内表面31与所述发光二极管芯片20的底部以上相互间隔形成空隙34。亦即，所述空隙34形成于凸曲面32和发光二极管芯片20的侧面之间。所述空隙34中填充有透明胶体341。所述透明胶体341填充于所述发光二极管芯片20的侧部和所述内表面31的凸曲面32之间，并且透明胶体341的上表面与所述发光二极管芯片20的出光面22平齐。亦即，透明胶体341的上表面与所述凸曲面32的终止端322位于同一水平面上。所述透明胶体341与内表面31接触的表面为朝向靠近发光二极管芯片20的方向凹陷的凹曲面342。所述荧光粉层40覆盖于所述发光二极管芯片20和所述透明胶体341上并容置于所述阶梯部33中。在本实施方式中，所述荧光粉层40直接覆盖在所述发光二极管芯片20的出光面22上。所述荧光粉层40的上表面与所述反射杯30的上表面平齐。所述荧光粉层40的下表面与所述发光二极管芯片20的出光面22和所述透明胶体341的上表面平齐。在本发明第一实施方式中的发光二极管封装结构1a中，所述阶梯部33包括第一结合面331。所述第一结合面331自所述凸曲面32的终止端322向远离第一电极11、第二电极12的方向垂直延伸形成。所述荧光粉层40的侧面与所述第一结合面331贴设连接。因此，第一结合面331围成一个截面大致呈矩形的空间，所述荧光粉层40可制作成对应的形状以容置在该空间中。请参图3和4，在本发明第二实施方式中的发光二极管封装结构1b中，所述发光二极管封装结构1b同样包括电极10，与电极10电性连接的发光二极管芯片20，形成于电极10上并围绕发光二极管芯片20的反射杯30，以及覆盖发光二极管芯片20的荧光粉层40。其与第一实施方式中的发光二极管封装结构1a不同之处在于，反射杯30的内表面31的阶梯部33不同。所述阶梯部33还包括第二结合面332和连接台333。第一结合面331和第二结合面332之间由连接台333连接。第一结合面331距离所述发光二极管芯片20的距离小于第二结合面332距离所述发光二极管芯片20的距离。在本实施方式中，连接台333是自第一结合面331的顶端朝向远离发光二极管芯片20的方向延伸形成，且连接台333为水平的。第二结合面332自连接台333远离发光二极管芯片20的外侧朝向远离第一电极11、第二电极12的方向垂直延伸形成。因此，第一结合面331、连接台333和第二结合面332围成一个截面大致呈T型的空间，所述荧光粉层40可制作成对应的形状，即，T型，以容置在该空间中。当然，在其他实施方式中，所述第一结合面331、第二结合面332可以并非如附图1、2中所示的垂直于第一电极11或第二电极12，而可以是倾斜的或弯曲的表面；连接台333也可以并非为水平面，而可以是倾斜的面。因此，荧光粉层40可制作成相应的形状以容置在这样的结合面围成的空间中。本发明实施方式提供的发光二极管封装结构1a、1b的反射杯30的内表面31的底部与发光二极管芯片20接触，并自底部到发光二极管芯片20的出光面22与发光二极管芯片20间隔形成空隙34以用于填充透明胶体341，不但尽可能的减小发光二极管封装结构1a、1b的体积，而且由于发光二极管芯片20的侧面并未被反射杯30的内表面31遮挡，因此发光二极管芯片20的侧面仍然可以出射光线，且又搭配反射杯30的具有反射功能的内表面31从而大大的增加了发光二极管芯片20的发出光线的利用率。此外，本实施方式中的发光二极管封装结构1a、1b的反射杯30的内表面31包括凸曲面32，并采用透明胶体341填充于该凸曲面32和发光二极管芯片20的侧面之间，发光二极管芯片20发出的光线一部分直接从荧光粉层40出射至发光二极管封装结构以外，另一部分从侧面进入透明胶体341并射向凸曲面32，经由凸曲面32反射后再从荧光粉层40出射，而由于凸曲面32的外凸的形状使最终形成特定的光场效果。可以理解的是，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术构思做出其它各种相应的改变与变形，而所有这些改变与变形都应属于本发明权利要求的保护范围。当前第1页1 2 3