1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底表面具有鳍部；
在所述鳍部的侧壁表面形成外延层，所述外延层内具有掺杂离子；所述外延层的形成工艺为选择性外延沉积工艺；
在所述衬底表面形成隔离层，所述隔离层位于部分外延层表面，且所述隔离层的表面低于所述鳍部的顶部表面；
去除高于所述隔离层表面的外延层；
在去除高于所述隔离层表面的外延层之后，进行退火工艺，使外延层内的掺杂离子扩散入所述鳍部内，形成防穿通区。
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底包括第一区域和第二区域，所述衬底的第一区域和第二区域表面分别具有鳍部。
3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述外延层之前，在所述衬底和鳍部表面形成第一衬垫层；去除第一区域的鳍部侧壁表面的第一衬垫层；在去除第一区域的鳍部表面的第一衬垫层之后，以所述第一衬垫层为掩膜，在第一区域的鳍部侧壁表面形成外延层；在第一区域的外延层表面、第一衬垫层表面和鳍部的顶部形成第二衬垫层；去除第二区域鳍部侧壁表面的第二衬垫层和第一衬垫层；以所述第二衬垫层为掩膜，在第二区域的鳍部侧壁表面形成外延层；在第二区域形成外延层之后，去除第一衬垫层和第二衬垫层。
4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一衬垫层的材料为氧化硅；所述第一衬垫层的形成工艺为氧化工艺。
5.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一区域的衬底和鳍部内形成第一阱区，所述第一阱区内具有第一类型离子；在所述第二区域的衬底和鳍部内形成第二阱区，所述第二阱区内具有第二类型离子。
6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一区域外延层内的掺杂离子为第一类型离子；所述第二区域外延层内的掺杂离子为第二类型离子。
7.如权利要求5或6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一类型离子为P型离子，所述第二类型离子为N型离子；或者，所述第一类型离子为N型离子，所述第二类型离子为P型离子。
8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述外延层之前，所述鳍部的顶部表面具有掩膜层；在形成所述外延层之后，去除所述掩膜层。
9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用原位掺杂工艺在所述外延层内掺杂所述掺杂离子。
10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述外延层的材料为单晶硅、多晶硅或非晶硅。
11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述外延层内的掺杂离子浓度为1E15atoms/cm3～1E23atoms/cm3。
12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述隔离层的形成步骤包括：在所述衬底和外延层表面形成隔离膜；平坦化所述隔离膜；在平坦化所述隔离膜之后，回刻蚀所述隔离膜直至暴露出鳍部顶部表面以及部分外延层表面，形成隔离层。
13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述隔离层的材料为氧化硅；所述隔离膜的形成工艺为流体化学气相沉积工艺。
14.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述流体化学气相沉积工艺的温度小于或等于600℃。
15.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除高于所述隔离层表面的外延层的工艺为湿法刻蚀工艺。
16.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述退火工艺为快速热退火；所述退火工艺的参数包括：温度为950℃～1100℃，退火时间为5秒～20秒。
17.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述外延层还位于鳍部周围的部分衬底表面。
18.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述退火工艺之后，形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖所述鳍部的部分侧壁和顶部表面；在所述栅极结构两侧的鳍部内形成源区和漏区。