1.一种碳化硅表面低界面态氧化层的制备方法，所述方法包括：
1)清洗碳化硅外延衬底；
2)氧化步骤1)所述衬底；
3)于无氧的含磷环境中，退火处理步骤2)所述氧化的碳化硅样品。
2.根据权利要求1所述的碳化硅表面低界面态氧化层的制备方法，其特征在于，所述外延衬底材料为n型或p型的4H-SiC或6H-SiC，其掺杂浓度为1×1013～1021cm-3，所述外延的厚度为0.1～500μm。
3.根据权利要求1所述的碳化硅表面低界面态氧化层的制备方法，其特征在于，所述清洗的方法为RCA标准清洗法。
4.根据权利要求1所述的碳化硅表面低界面态氧化层的制备方法，其特征在于，所述氧化的方法为干氧、湿氧或N2O中高温氧化。
5.根据权利要求1所述的碳化硅表面低界面态氧化层的制备方法，其特征在于，所述含磷环境为载气携带含磷化合物。
6.根据权利要求5所述的碳化硅表面低界面态氧化层的制备方法，其特征在于，所述含磷化合物为POCl3。
7.根据权利要求5所述的碳化硅表面低界面态氧化层的制备方法，其特征在于，所述载气为惰性气体N2或Ar。
8.根据权利要求7所述的碳化硅表面低界面态氧化层的制备方法，其特征在于，所述载气流量为100～5000sccm。
9.根据权利要求7所述的碳化硅表面低界面态氧化层的制备方法，其特征在于，所述载气的驻留时间为10s～20min。
10.根据权利要求1所述的碳化硅表面低界面态氧化层的制备方法，其特征在于，所述退火处理的压强小于1atm。
11.根据权利要求1所述的碳化硅表面低界面态氧化层的制备方法，其特征在于，所述退火处理的温度为800℃～2500℃。
12.根据权利要求1所述的碳化硅表面低界面态氧化层的制备方法，其特征在于，所述退火处理为单阶梯或多阶梯升温，所述升温速率为0.1℃/min～2000℃/min，所述升温梯度为30℃～2500℃，所述梯度上的维持时间为0.1min～100000min。