技术总结
本发明提供一种碳化硅表面低界面态氧化层的制备方法，所述方法包括：1)清洗碳化硅外延衬底；2)氧化步骤1)所述衬底；3)于无氧的含磷环境中，退火处理步骤2)所述氧化的碳化硅样品。本发明在传统氧化的基础上，加入磷环境下的退火，有助于提高氧化层质量，实现二氧化硅与碳化硅界面的钝化，降低碳化硅/二氧化硅界面态密度，提高沟道电子迁移率，减小器件的性能退化，工艺简单，适用于工业化生产。
技术研发人员：王方方;郑柳;杨霏;李玲;李永平;刘瑞;田亮;夏经华;王嘉铭
受保护的技术使用者：国网智能电网研究院;国家电网公司;国网安徽省电力公司
文档号码：201510685998
技术研发日：2015.10.21
技术公布日：2017.05.03