1.一种衬底制造方法，其特征在于，包括：
提供辅助衬底和支撑衬底，所述辅助衬底上至少包括外延层及所述外延层之上的钝化层，所述支撑衬底上至少包括掩埋介质层；
将所述辅助衬底键合到所述支撑衬底上；
去除所述辅助衬底；
进行化学机械平坦化CMP直至所述外延层达到指定厚度。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述外延层包括缓冲层、有用层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述外延层包括：锗层、硅锗层、锗锡层、三五族化合物半导体层、硅层及其叠层。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述钝化层为高k介质层，包括以下任意一种或多种：三氧化二铝、氧化铪、氧化硅铪、氧化镧、氧化铝镧、氧化锆、氧化硅锆、氧化钽、氧化钛、氧化钛锶钡、氧化钛钡、氧化钛锶、氧化钇、氧化钽钪铅及其叠层。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述高k介质层为厚度为5-10nm的三氧化二铝薄膜。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述辅助衬底为硅衬底，所述去除所述辅助衬底包括：
对所述辅助衬底的背面进行机械研磨直至所述辅助衬底的厚度小于50μm；
利用稀释的四甲基氢氧化铵TMAH溶液进行腐蚀，去除剩余的辅助衬底。
7.根据权利要求1至6任一项所述的方法，其特征在于，所述将所述辅助衬底键合到所述支撑衬底上的键合工艺包括：
腔室最大温度范围：200-550℃；
键合最大压力范围：1-60KN；
键合时间范围：0.5-4小时；
键合腔室真空度范围：1×10-5mbar至1atm。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述键合工艺为：
腔室最大温度：500℃；
键合最大压力范围：10-30KN；
键合时间：2小时；
键合腔室真空度：5×10-4mbar至1×10-5mbar。
9.一种衬底，其特征在于，包括：
支撑衬底；
所述支撑衬底之上的掩埋介质层；
所述掩埋介质层之上的钝化层；
所述钝化层之上指定厚度的外延层。
10.根据权利要求9所述的衬底，其特征在于，所述钝化层为厚度为5-10nm的三氧化二铝薄膜。
11.一种半导体器件，其特征在于，包括：权利要求9或10所述的衬底，以及位于所述外延层处的器件结构。