一种led手表衬底晶片的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种衬底晶片，具体涉及一种LED手表衬底晶片。
【背景技术】
[0002]LED是技术引导型企业，特别是技术与资本密集型的芯片制造业，需要高端的工艺设备提供支撑。随着LED芯片技术和分装技术的发展，多晶片LED组件逐渐步入市场。LED是一种将电能转换为光能的半导体材料，光从晶体的有源层发出，直到照射到被罩物体，中间经历了很多层导光结构。
【发明内容】
[0003]本发明提供了一种导热效率好、光输出效率高的LED手表衬底晶片。
[0004]为了达成上述目的，采用的具体技术方案是:
(1)用硝酸和硫酸按1:2的浓度配置成王水水浴并加热至沸腾，将LED手表衬底晶片煮沸7-8min，用10mL的去离子水清洗6_7次，接着再用氮气吹干；
(2)用20mL乙醇加热至50-60°C，并在超声中清洗10_15min，然后用20mL的异丙醇中加热至50-60°C，并在超声中清洗10-15min，最后再用50mL的去离子水清洗，氮气吹干；
(3)将烘干后的LED手表衬底晶片于120°C下在烘箱中烘烤30-50min，然后取出样片，降至室温后再进行匀胶，以3000r/min的速度匀胶45秒，放入到100°C的热板上进行前烘；
(4)采用双层胶工艺技术进行光刻，再用电子束蒸发加厚电极，用丙酮溶液在烧杯中浸泡20-30min,并用超声清洗30min，最后用去离子水冲洗干净。
[0005]所述的LED手表衬底晶片是以蓝宝石氧化铝作为衬底材料的。
[0006]所述的LED手表衬底晶片是将蓝宝石衬底放入到外延炉中，通过通入甲基或乙基化物蒸气与非金属的氢化物气体，在高温下，并发生热解反应，生长出厚度仅几微米的化合物半导体外延层。
[0007]本发明的应用方法为:用硝酸和硫酸按1:2的浓度配置成王水水浴并加热至沸腾，将LED手表衬底晶片煮沸7-8min，用10mL的去离子水清洗6_7次，接着再用氮气吹干；用20mL乙醇加热至50-60°C，并在超声中清洗10_15min，然后用20mL的异丙醇中加热至50-60°C，并在超声中清洗10-15min，最后再用50mL的去离子水清洗，氮气吹干；将烘干后的LED手表衬底晶片于120°C下在烘箱中烘烤30-50min，然后取出样片，降至室温后再进行匀胶，以3000r/min的速度匀胶45秒，放入到100°C的热板上进行前烘；采用双层胶工艺技术进行光刻，再用电子束蒸发加厚电极，用丙酮溶液在烧杯中浸泡20-30min，并用超声清洗30min，最后用去离子水冲洗干净。
[0008]本发明具有的优势有:
(1)采用蓝宝石氧化铝作为衬底材料，具有化学稳定性好、价格适中、制造技术相对成熟等优点；
(2)LED手表衬底晶片化学稳定性好，在晶圆生长的温度和气氛中不容易分解和腐蚀。具体实施方案
[0009]—种LED手表衬底晶片为:
(1)用硝酸和硫酸按1:2的浓度配置成王水水浴并加热至沸腾，将LED手表衬底晶片煮沸7-8min，用10mL的去离子水清洗6_7次，接着再用氮气吹干；
(2)用20mL乙醇加热至50-60°C，并在超声中清洗10_15min，然后用20mL的异丙醇中加热至50-60°C，并在超声中清洗10-15min，最后再用50mL的去离子水清洗，氮气吹干；
(3)将烘干后的LED手表衬底晶片于120°C下在烘箱中烘烤30-50min，然后取出样片，降至室温后再进行匀胶，以3000r/min的速度匀胶45秒，放入到100°C的热板上进行前烘；
(4)采用双层胶工艺技术进行光刻，再用电子束蒸发加厚电极，用丙酮溶液在烧杯中浸泡20-30min,并用超声清洗30min，最后用去离子水冲洗干净。
[0010]所述的LED手表衬底晶片是以蓝宝石氧化铝作为衬底材料的。
[0011]所述的LED手表衬底晶片是将蓝宝石衬底放入到外延炉中，通过通入甲基或乙基化物蒸气与非金属的氢化物气体，在高温下，并发生热解反应，生长出厚度仅几微米的化合物半导体外延层。
【主权项】
1.一种LED手表衬底晶片，其特征在于: 用硝酸和硫酸按1:2的浓度配置成王水水浴并加热至沸腾，将LED手表衬底晶片煮沸7-8min，用10mL的去离子水清洗6_7次，接着再用氮气吹干； 用20mL乙醇加热至50-60°C，并在超声中清洗10_15min，然后用20mL的异丙醇中加热至50-60°C，并在超声中清洗10-15min，最后再用50mL的去离子水清洗，氮气吹干； 将烘干后的LED手表衬底晶片于120°C下在烘箱中烘烤30-50min，然后取出样片，降至室温后再进行匀胶，以3000r/min的速度匀胶45秒，放入到100°C的热板上进行前烘； 采用双层胶工艺技术进行光刻，再用电子束蒸发加厚电极，用丙酮溶液在烧杯中浸泡20-30min,并用超声清洗30min，最后用去离子水清洗。2.根据权利要求1所述一种LED手表衬底晶片，其特征在于:所述的LED手表衬底晶片是以蓝宝石氧化铝作为衬底材料的。3.根据权利要求1所述一种LED手表衬底晶片，其特征在于:所述的LED手表衬底晶片是将蓝宝石衬底放入到外延炉中，通过通入甲基或乙基化物蒸气与非金属的氢化物气体，在高温下，并发生热解反应，生长出厚度仅几微米的化合物半导体外延层。
【专利摘要】本发明涉及一种LED手表衬底晶片，用硝酸和硫酸按1:2的浓度配置成王水水浴并加热至沸腾，将LED手表衬底晶片煮沸，去离子水清洗，氮气吹干；L乙醇加热，超声清涤，异丙醇中加热，超声清涤，去离子水清洗，氮气吹干；烘烤，然后取出样片，降至室温后再进行匀胶，放入到热板上进行前烘；采用双层胶工艺技术进行光刻，再用电子束蒸发加厚电极，用丙酮溶液在烧杯中浸泡,并用超声清洗，最后用去离子水冲洗干净。
【IPC分类】H01L33/00, H01L33/20
【公开号】CN105070798
【申请号】CN201510469898
【发明人】雷春生, 潘相成
【申请人】常州市好利莱光电科技有限公司
【公开日】2015年11月18日
【申请日】2015年8月4日