1.一种衬底处理装置，其具有：
偶数个腔室，对衬底进行处理；
处理单元，具备多个所述腔室；
真空搬送室，连接有多个所述处理单元；
加载互锁室，与所述真空搬送室连接；
装载端口，能够载置多个容纳有奇数片衬底的容纳容器；
大气搬送室，设置于所述加载互锁室与所述装载端口之间，具有第一搬送机械装置；
第二搬送机械装置，设置于所述真空搬送室，在所述加载互锁室与所述腔室之间能够一次搬送2片所述衬底；和
控制部，以进行如下工序的方式控制所述第一搬送机械装置和所述第二搬送机械装置：
(a)将收纳于第X个所述容纳容器的最后一个衬底搬送至第m个所述处理单元中处于无衬底状态的第n个所述腔室，然后向所述第m个处理单元的所述多个腔室分别供给处理气体来进行处理，X、m、n为自然数；
(b)在将收纳于所述第X个容纳容器的最后剩余的一个衬底搬送至所述第n个腔室之后，将收纳于第X+1个所述容纳容器的所述多个衬底中最先搬送的2个衬底搬送至第m+1个处理单元的所述腔室，向所述第m+1个处理单元的多个腔室分别供给处理气体来对所述衬底进行处理；
(c)在所述(a)工序中，具有记录腔室序号的工序，记录被搬送了收纳于所述第X个容纳容器的最后剩余的一个衬底的所述第n个腔室的腔室序号；
(d)在所述(b)工序之后，基于在所述(c)工序中记录的腔室序号，将收纳于所述第X+1个容纳容器的最后剩余的一个衬底搬送至所述第m个处理单元的第n+1个腔室的工序。
2.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述控制部构成为进行下述工序：
(e)在所述(b)工序中记录所述第m+1个处理单元的序号；
(f)在所述(b)工序之后，使用在所述(e)工序中记录的所述处理单元的序号，将收纳于第X+2个容纳容器的最初2个衬底搬送至所述第m+1个处理单元的腔室，对所述第m+1个处理单元的多个腔室分别供给处理气体来对所述衬底进行处理。
3.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，
在所述加载互锁室中设置多个载置面，
所述控制部构成为：(g)控制所述第一搬送机械装置，以使得在所述(a)工序中，对收纳于第奇数个容纳容器的最后的衬底进行载置的所述载置面与对收纳于第偶数个容纳容器的最后的衬底进行载置的所述载置面不同。
4.如权利要求2所述的衬底处理装置，其中，
在所述加载互锁室中设置多个载置面，
所述控制部构成为：(g)控制所述第一搬送机械装置，以使得在所述(a)工序中，对收纳于第奇数个容纳容器的最后的衬底进行载置的所述载置面与对收纳于第偶数个容纳容器的最后的衬底进行载置的所述载置面不同。
5.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，
在所述加载互锁室中设置第一载置面和第二载置面，
所述控制部控制所述第一搬送机械装置，以便将第奇数个所述容纳容器内的第4Y－1个衬底搬送至所述第一载置面，将第偶数个所述容纳容器内的第4Y－3个衬底搬送至所述第二载置面，Y为自然数。
6.如权利要求2所述的衬底处理装置，其中，
在所述加载互锁室中设置第一载置面和第二载置面，
所述控制部控制所述第一搬送机械装置，以便将第奇数个所述容纳容器内的第4Y－1个衬底搬送至所述第一载置面，将第偶数个所述容纳容器内的第4Y－3个衬底搬送至所述第二载置面，Y为自然数。
7.如权利要求3所述的衬底处理装置，其中，
在所述加载互锁室中设置第一载置面和第二载置面，
所述控制部控制所述第一搬送机械装置，以便将第奇数个所述容纳容器内的第4Y－1个衬底搬送至所述第一载置面，将第偶数个所述容纳容器内的第4Y－3个衬底搬送至所述第二载置面，Y为自然数。
8.一种半导体器件的制造方法，其利用具有下述部件的装置：
腔室，对衬底进行处理；
处理单元，具备偶数个所述腔室；
真空搬送室，连接有多个所述处理单元；
加载互锁室，与所述真空搬送室连接；
装载端口，能够载置多个容纳有奇数片衬底的容纳容器；
大气搬送室，设置于所述加载互锁室与所述装载端口之间，具有第一搬送机械装置；和
第二搬送机械装置，设置于所述真空搬送室，在所述加载互锁室与所述偶数个腔室之间能够一次搬送2片所述衬底，
其中，所述半导体器件的制造方法具有下述工序：
(a)将收纳于第X个所述容纳容器的最后剩余的1个衬底搬送至第m个所述处理单元中处于无衬底状态的第n个所述腔室之后，向所述第m个处理单元的多个腔室分别供给处理气体来对所述衬底进行处理的工序，X、m、n为自然数；
(b)在将收纳于所述第X个容纳容器的最后剩余的1个衬底搬送至空的所述第n个腔室之后，将收纳于第X+1个所述容纳容器的多个衬底中最先搬送的2个衬底搬送至第m+1个处理单元的所述腔室，向所述第m+1个处理单元的多个腔室分别供给处理气体来对所述衬底进行处理的工序；
(c)在所述(a)工序中，具有记录腔室序号的工序，记录被搬送了收纳于所述第X个容纳容器的最后剩余的一个衬底的所述第n个腔室的腔室序号；以及
(d)在所述(b)工序之后，基于在所述(c)工序中记录的腔室序号，将收纳于所述第X+1个容纳容器的最后剩余的一个衬底搬送至所述第m个处理单元的第n+1个腔室的工序。
9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，具有下述工序：
(e)在所述(b)工序中记录所述第m+1个处理单元的序号的工序；
(f)在所述(b)工序之后，使用在所述(e)工序中记录的所述处理单元的序号，将收纳于第X+2个容纳容器的最初2个衬底搬送至所述第m+1个处理单元的腔室，对所述第m+1个处理单元的多个腔室分别供给处理气体来对所述衬底进行处理的工序。
10.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，
在所述加载互锁室中设置多个载置面，
具有(g)工序：在所述(a)工序中使对收纳于第奇数个容纳容器的最后的衬底进行载置的所述载置面与对收纳于第偶数个容纳容器的最后的衬底进行载置的所述载置面不同。
11.如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其中，
在所述加载互锁室中设置多个载置面，
具有(g)工序：在所述(a)工序中使对收纳于第奇数个容纳容器的最后的衬底进行载置的所述载置面与对收纳于第偶数个容纳容器的最后的衬底进行载置的所述载置面不同。
12.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，
在所述加载互锁室中设置第一载置面和第二载置面，
具有下述工序：将第奇数个所述容纳容器内的第4Y－1个衬底搬送至所述第一载置面的工序；和
将第偶数个所述容纳容器内的第4Y－3个衬底搬送至所述第二载置面的工序，Y为自然数。
13.如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其中，
在所述加载互锁室中设置第一载置面和第二载置面，
具有下述工序：将第奇数个所述容纳容器内的第4Y－1个衬底搬送至所述第一载置面的工序；和
将第偶数个所述容纳容器内的第4Y－3个衬底搬送至所述第二载置面的工序，Y为自然数。
14.如权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其中，
在所述加载互锁室中设置第一载置面和第二载置面，
具有下述工序：将第奇数个所述容纳容器内的第4Y－1个衬底搬送至所述第一载置面的工序；和
将第偶数个所述容纳容器内的第4Y－3个衬底搬送至所述第二载置面的工序，Y为自然数。