1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：
制备半导体衬底的步骤；
将所述半导体衬底固定到固定构件上并且对所述半导体衬底进行热处理的加热步骤；以及
处理被固定到所述固定构件上并且被热处理的所述半导体衬底的步骤，
所述加热步骤包括
外周侧吸附步骤，所述外周侧吸附步骤在所述半导体衬底的外周区域和所述固定构件的外周部之间产生吸引力，所述外周部面对所述外周区域，以及
内周侧吸附步骤，所述内周侧吸附步骤是在所述外周侧吸附步骤开始之后开始的，并且在所述半导体衬底的内周区域和所述固定构件的内周部之间产生吸引力，所述内周部面对所述内周区域。
2.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中，在所述外周区域处的所述半导体衬底的温度达到高于或等于所述加热步骤中的热处理温度的30％的温度之后，开始所述内周侧吸附步骤。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的用于制造半导体器件的方法，其中，
在所述制备的步骤中，制备所述半导体衬底，所述半导体衬底由碳化硅制成并且具有包括(0001)面的第一主表面和包括(000-1)面的第二主表面，以及
在所述加热步骤中，在所述第二主表面面向所述固定构件的状态下，将所述半导体衬底固定到所述固定构件上。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所述固定构件包括静电吸盘，所述静电吸盘在所述静电吸盘和所述半导体衬底之间产生静电吸引力并且固定所述半导体衬底。
5.根据权利要求4所述的用于制造半导体器件的方法，其中，
在所述外周侧吸附步骤中，通过向被布置在所述外周部处的外周侧吸引电极施加电压，在所述外周区域和所述静电吸盘的所述外周部之间产生静电吸引力，
在所述内周侧吸附步骤中，通过向被布置在所述内周部处的内周侧吸引电极施加电压，在所述内周区域和所述静电吸盘的所述内周部之间产生静电吸引力，以及
被施加到所述外周侧吸引电极和所述内周侧吸引电极的电压具有不同极性。
6.根据权利要求1至3中的任一项所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所述固定构件包括真空吸盘，所述真空吸盘在所述真空吸盘和所述半导体衬底之间产生真空吸引力并且固定所述半导体衬底。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的用于制造半导体器件的方法，其中，在所述制备的步骤中，制备直径大于或等于100mm的所述半导体衬底。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的用于制造半导体器件的方法，其中，在所述制备的步骤中，制备厚度小于或等于550μm的所述半导体衬底。
9.根据权利要求1至8中的任一项所述的用于制造半导体器件的方法，其中，在所述处理的步骤中，对所述半导体衬底执行离子注入。