技术总结
本发明提供一种绝缘体上硅(SOI)晶圆的制造方法，包含(a)在氧化性气体氛围下进行热处理，于SOI层表面形成热氧化膜；(b)测定热氧化膜形成后SOI的膜厚度；(c)对该SOI层进行批次式洗净，借由因应于步骤(b)测定SOI层的膜厚度而将经该批次式洗净后SOI层的膜厚度调整成比目标值较厚；(d)测定经批次洗净后SOI层的膜厚度；以及(e)对SOI层进行单片式洗净，借由因应于步骤(d)测定SOI层的膜厚度而将经单片式洗净后SOI层的膜厚度调整成目标值；其中，于步骤(a)之后且于步骤(b)之前，或于步骤(b)之后且于步骤(c)之前，去除在步骤(a)所形成的热氧化膜。借此制造有良好均一性SOI层膜厚度的SOI晶圆。
技术研发人员：阿贺浩司
受保护的技术使用者：信越半导体株式会社
文档号码：201580027234
技术研发日：2015.04.13
技术公布日：2017.02.15