背光单元及侧发光二极管封装件的制作方法

本发明涉及一种背光单元及侧发光二极管封装件，尤其涉及一种应用侧发光二极管封装件的背光单元和侧发光二极管封装件。

背景技术：

通常，发光二极管封装件大体分为塔型发光二极管封装件和侧发光二极管(side-viewlight-emittingdiode)封装件。侧发光二极管封装件结合于背光单元的导光板侧面而被较多地用作显示装置的背光用光源。最近，侧发光二极管封装件除了现有显示装置的背光用途之外，逐渐被多样地使用。

通常，侧发光二极管封装件在主体的前表面包括用于贴装发光二极管的腔体。并且，引脚框架在封装件主体的内部通过封装件主体的底面而向外部延伸，并在腔体内与发光二极管芯片电连接。此时，将封装件主体内的引脚框架称为内部引脚，并将外部的引脚框架称为外部引脚。

此时，外部引脚在封装件主体的底面下方弯曲而通过焊接等方式焊接连接到基板的焊接图案(solderpattern)。据此，发光二极管封装件被安装在基板上，同时与基板上的焊料图案电连接。

并且，随着最近显示装置的厚度变薄，侧发光二极管封装件的厚度也逐渐变薄。现有的侧发光二极管封装件被开发至0.4t的厚度，但是在制造更薄的厚度的情况下，由于发光二极管芯片与反射器之间的空间变得狭小，而存在光老化变多的问题，因此存在难以利用现有的侧发光二极管封装件的结构而制造成更薄的厚度的问题。

技术实现要素：

技术问题

本发明所要解决的课题为，提供一种应用如下的侧发光二极管封装件的背光单元及侧发光二极管封装件，所述侧发光二极管封装件具有能够将侧发光二极管封装件的厚度更薄地制造的结构。

技术方案

根据本发明的一实施例的背光单元可以包括：导光板；以及发光二极管封装件，结合于所述导光板的侧面，向所述导光板的内部发出光，所述发光二极管封装件包括：基板；一对引脚，形成于所述基板的两个末端；发光二极管芯片，贴装于所述基板的上部；反射部，以围绕所述发光二极管芯片的侧面的方式形成；以及波长转换部，形成于所述发光二极管芯片和反射部的上部。

此时，所述反射部可以以覆盖贴装有所述发光二极管芯片的基板的方式形成。并且，所述反射部可以形成为与所述基板相隔的状态，所述反射部以所述反射部的末端与所述一对引脚的末端对齐的宽度形成，所述波长转换部可以以覆盖所述反射部的上部整体的方式形成。其中，所述一对引脚可以在所述基板的两个末端向下表面弯曲而形成。

所述一对引脚可以以围绕所述基板的两个末端的方式从所述基板的上部面向下部面延伸形成。

另外，根据本发明的一实施例的侧发光二极管封装件可以包括：基板；一对引脚，形成于所述基板的两个末端；发光二极管芯片，贴装于所述基板的上部；反射部，以围绕所述发光二极管的侧面的方式形成；波长转换部，形成于所述发光二极管芯片和反射部的上部。

此时，所述反射部可以以覆盖贴装有所述发光二极管芯片的基板的方式形成。并且，所述反射部可以形成为与所述基板相隔的状态，所述反射部以所述反射部的末端与所述一对引脚的末端对齐的宽度形成，所述波长转换部可以以覆盖所述反射部的上部整体的方式形成。在此，所述一对引脚可以在所述基板的两个末端向下表面弯曲而形成。

所述一对引脚可以以围绕所述基板的两个末端的方式从所述基板的上部面向下部面延伸形成。

有益效果

根据本发明的一方面，将发光二极管芯片直接贴装于基板而制造，从而具有能够制造超薄型或者超纤薄的背光单元及侧发光二极管封装件的效果。

并且，导光板位于侧发光二极管的发光二极管芯片所发光的方向，从而具有最大化入射到导光板的光效率的效果。

附图说明

图1是示出根据本发明的一实施例的背光单元的图。

图2是示出根据本发明的一实施例的应用于背光单元的侧发光二极管封装件的图。

图3是示出根据本发明的另一实施例的应用于背光单元的侧发光二极管封装件的图。

图4是示出根据本发明的又一实施例的应用于背光单元的侧发光二极管封装件的图。

符号说明

100：背光单元110：导光板

120：薄膜130：侧发光二极管封装件

131：基板132：引脚

133：发光二极管芯片134：电极

135：反射部136：波长转换部

具体实施方式

参考附图而对本发明的优选实施例进行更详细的说明。

图1是示出根据本发明的一实施例的背光单元的图，图2是示出根据本发明的一实施例的应用于背光单元的侧发光二极管封装件的图。

如图1所示，根据本发明的一实施例的背光单元100包括导光板110、多个薄膜120以及侧发光二极管封装件130。

导光板110布置于液晶显示面板(未示出)的下方，并将从发光二极管封装件入射的光的路径向液晶显示面板侧变更而引导。导光板110为了最小化光损失而优选由透明物质形成。例如，由透明的聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate:pmma)或者聚碳酸酯(polycarbonate:pc)材质形成。

并且，在导光板110的下部面可以形成有用于光的漫反射的预定的反射图案(未示出)。一示例中，形成于导光板110的下部面的所述反射图案可以包括印刷图案或者凹凸图案等。因此，从侧发光二极管封装件130入射到导光板110的内部的光借助所述反射图案而漫反射，在导光板110的上表面以超过特定临界角的角度入射的光通过导光板110的上表面而射出。

并且，导光板110可以具有，布置有侧发光二极管封装件130的入射面和作为其相反部分的对光面具有彼此相同厚度的板形状，也可以具有厚度从入射面到对光面逐渐变薄的楔状。或者，如图1所示，入射面侧的一部分可以形成为楔状，而从楔状到对光面可以以相同的厚度形成。

薄膜120包括扩散片、棱镜片、吸收片等。除了图1所示的部分以外，薄膜120还可以包括其他棱镜片或者保护片等板状或片状的其他光学片。

如图1所示，侧发光二极管封装件130结合于导光板110的侧面，且发出的光入射到导光板110的内部。为此，如图2所示，侧发光二极管封装件130包括基板、一对引脚132、发光二极管芯片133、反射部135及波长转换部136。

基板131可以贴装有发光二极管芯片133，并且形成有多个导电图案。并且，基板131无需被特殊限定，例如，可以是有利于散热的金属pcb，也可以是具有长轴和短轴的条形(bartype)。在本发明的一实施例中，可以将条形基板131的长度制造为1.8t。

一对引脚132与基板131的多个导电图案电连接，并以围绕基板131的两个末端的方式布置。即，一对引脚132在基板131上部面沿着侧面延伸，再次沿着基板131的下部面而延伸。据此，如图2所示，一对引脚132形成为“匚”字形状。

发光二极管芯片133是借助从外部供应的电源而发出预定波长的光的一种半导体元件，其可以只配备有一个，也可以根据实施例而在基板131配备有多个。发光二极管芯片133可以在基板131上与通过直接倒装焊接(flipbonding)或者表面贴装技术(smt，surfacemounttechnology)而形成于基板131的多个导电图案电连接。

此时，由于本发明的侧发光二极管封装件130不使用线材，所以不需要用于保护线材的模塑部，并且无需为了暴露电极134而去除波长转换部136的一部分，

反射部135可以以围绕发光二极管芯片133的周围的方式形成，以使从发光二极管芯片133发出的光只向一个方向发出。如图2所示，在本发明的一实施例中，反射部135在发光二极管芯片133贴装于基板131的状态下，以围绕发光二极管芯片133周围的方式形成。据此，反射部135以与发光二极管芯片133的侧面及基板131的上表面相接的方式形成。

在本发明的一实施例中，为了形成反射部135，在发光二极管芯片133贴装于基板131的状态下，将反射部135以围绕发光二极管芯片133周围的方式形成，然后将液态的反射部135形成于发光二极管芯片133周围。此时，一对引脚132起到防止液态的反射部135向外部溢出的阻断作用。

并且，可以将反射部135形成为白色而使从发光二极管芯片133发出的光容易反射，并使在反射部135反射的光通过开放的上部的波长转换部136而发出。据此，如果从发光二极管芯片133发出的光通过出射面的侧面发出，而不是通过出射面发出，则使该光在反射部135反射而被引导向波长转换部136侧。

波长转换部136形成于发光二极管芯片133和反射部135上部。即，波长转换部136包括出射面而与发光二极管芯片133的上部面相接而形成，并比发光二极管芯片133的宽度大地形成，从而形成为能够覆盖至反射部135的上部的大小。此时，出射面表示发光二极管芯片133的一侧面中的用于使光发出的面。并且，波长转换部136可以包括荧光体。荧光体可以对从发光二极管芯片133发出的光进行波长转换。

如上所述，通过制造侧发光二极管封装件130，能够将侧发光二极管封装件130的厚度制造成0.3t，并且在发光二极管芯片133发出的热能够通过基板131而快速散热。

图3是示出根据本发明的另一实施例的应用于背光单元的侧发光二极管封装件的图。

如图3所示，本发明的另一实施例的侧发光二极管封装件130侧发光二极管封装件130包括基板131、一对引脚132、发光二极管芯片133、反射部135及波长转换部136。此时，省略与本发明的一实施例相同的说明。

本发明的另一实施例的侧发光二极管封装件130中，形成有引脚132的基板131与形成有反射部135及波长部的发光二极管芯片133被单独制造。即，在基板131形成一对引脚132，然后单独地在发光二极管芯片133形成反射部135和波长转换部136。然后，将发光二极管芯片133贴装到基板131而制造如图3所示的侧发光二极管封装件130。

此时，将反射部135以围绕发光二极管芯片133的侧面的方式形成预定厚度，然后在形成有反射部135的发光二极管芯片133的出射面以覆盖至反射部135的方式形成波长转换部136。此时，反射部135的厚度只要是从发光二极管芯片133发出的光不穿透反射部135的程度即可。

如上所述，根据本发明的另一实施例的侧发光二极管封装件130在将基板131和发光二极管芯片133单独制造的状态下将它们结合，因此具有容易制造的优点。

图4是示出根据本发明的又一实施例的应用于背光单元的侧发光二极管封装件的图。

如图4所示，本发明的又一实施例的侧发光二极管封装件130侧发光二极管封装件130包括基板131、一对引脚132、发光二极管芯片133、反射部135及波长转换部136。此时，省略与本发明的一实施例相同的说明。

在本发明的又一实施例的侧发光二极管封装件130中，形成有一对引脚132的基板131与形成有反射部135及波长部的发光二极管芯片133被单独制造。即，在基板131形成一对引脚132之后，将发光二极管芯片133贴装到基板131而制造如图4所示的侧发光二极管封装件130。

此时，如图4所示，本发明的又一实施例中，一对引脚132不形成于基板131的上部面。即，一对引脚132以从基板131的侧面像下部面弯曲并延伸的方式形成。

并且，形成于发光二极管芯片133的周围的反射部135以围绕发光二极管芯片133的侧面的方式形成为预定厚度，并且反射部135的厚度形成为相当于基板131的宽度。即，如图4所示，在发光二极管芯片133贴装于基板131时，形成为反射部135的末端与基板131的末端对齐的厚度。

波长转换部136以将发光二极管芯片133的出射面与反射部135全部覆盖的方式形成。据此，波长转换部136形成为以预定比例以上的比例相对大于发光二极管芯片133的大小，因此从发光二极管芯片133发出的光发出到外部的发出效率高。

如上所述，借助参照附图的实施例而进行了对本发明的具体说明，但是上述实施例只是对本发明的优选示例进行了说明，本发明不应局限于上述实施例，本发明的权利范围应被理解为权利要求书以及其等价概念。