相关申请的交叉引用
本申请要求于2014年11月18日向美国专利商标局提交的非临时申请no.14/546,924的优先权和权益，其全部内容通过援引纳入于此。
背景
领域
各种特征涉及包括可配置定向光发射器的集成器件封装和/或系统。
背景技术：
光学互连(oi)可被用于数字处理器和存储器系统中的高速数据链路。然而，遗憾的是，现有光学互连需要波导、镜子、透镜、以及类似物。这些类型的组件成本高昂且难以在当前制造工艺中实现。
图1解说了可被实现成允许数字处理器和存储器系统中的高速数据链路的常规光学互连配置。具体地，图1解说了第一印刷电路板(pcb)100和第二印刷电路板(pcb)102。光发射器110、第一导向镜112和第二导向镜114被耦合至第一pcb100。光接收器120被耦合至第二pcb102。
如图1所示，光发射器110向光接收器120发射光束130。光束130从光发射器110行进至第一和第二导向镜112和114，然后被光接收器120接收。第一导向镜112和第二导向镜114被配置成将光束130定向至特定方向。通过移动和/或旋转第一导向镜112和/或第二导向镜114，来自光发射器110的光束130可被定向至光接收器120。第一导向镜112和/或第二导向镜114的移动和/或旋转是通过机械装置来达成的。
然而，使用导向镜来定向和重定向光束会带来一些弊端。第一，移动性部件和组件比非移动性部件更容易出故障。由此，由于导向镜可移动或可旋转，因此导向镜比光学互连的其他组件更有可能出故障。第二，导向镜需要某种机械机构来移动或旋转它们，从而向系统添加了附加成本和组件。第三，导向镜及其相应机械机构占用大量空间，这使得它们不适于移动计算设备的需求和/或要求。因此，存在对可提供可配置定向光学互连的集成器件封装的需求。
概述
本文所描述的各种特征、装置和方法涉及包括可配置定向光发射器的集成器件封装和/或系统。
第一示例提供一种包括封装基板、集成器件、以及可配置光发射器的集成器件封装。该集成器件耦合至该封装基板。该可配置光发射器耦合至该封装基板。该可配置光发射器被配置成与该集成器件处于通信。该可配置光发射器被配置成以可配置的角度发射光束。该可配置光发射器包括光束源、耦合至该光束源的光分束器、以及耦合至该光分束器的移相器集。该移相器集被配置成实现光束被发射的角度。
根据一方面，该集成器件封装进一步包括光接收器。
根据一个方面，该可配置光发射器在该集成器件封装的操作期间是可重配置的。
根据一方面，该光束源被配置成提供包括至少一个或多个频率的光束。
根据一个方面，该可配置光发射器形成在硅基集成器件中。
根据一方面，该光分束器是多模干涉(mmi)分束器。
根据一个方面，该集成器件封装被纳入到以下至少一者中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板式计算机、和/或膝上型计算机。
第二示例提供一种集成器件封装，其包括封装基板、耦合至该封装基板的集成器件、以及用于以可配置的角度发射光束的装置。该用于发射的装置耦合至该封装基板。该用于发射的装置被配置成与该集成器件处于通信。该用于发射的装置包括：用于生成光束的装置；用于拆分光束的装置，该用于拆分光束的装置耦合至该用于生成光束的装置；以及用于相移一个或多个经拆分光束的装置，该用于相移的装置耦合至该用于拆分光束的装置。该用于相移的装置被配置成实现从该用于发射的装置发射光束的角度。
根据一方面，该集成器件封装包括用于接收光束的装置。
根据一个方面，该用于发射光束的装置包括用于在该集成器件封装的操作期间发射可重配置光束的装置。
根据一方面，其中该用于生成光束的装置被配置成提供包括至少一个或多个频率的光束。
根据一个方面，其中该用于发射光束的装置形成在硅基集成器件中。
根据一方面，其中该集成器件封装被纳入到以下至少一者中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板式计算机、和/或膝上型计算机。
第三示例提供一种包括第一集成器件封装和第二集成器件封装的器件。第一集成器件封装包括第一封装基板、耦合至第一封装基板的第一集成器件、以及耦合至第一封装基板的第一可配置光发射器。第一可配置光发射器被配置成与第一集成器件处于通信。第一可配置光发射器被配置成以可配置的角度发射光束。第一可配置光发射器包括光束源、耦合至该光束源的光分束器、以及耦合至该光分束器的移相器集。该移相器集被配置成实现光束被发射的角度。第二集成器件封装包括第二封装基板、耦合至第二封装基板的第二集成器件、以及第一光接收器，第一光接收器被配置成接收来自第一可配置光发射器的光束。
根据一方面，第一可配置光发射器在第一集成器件封装的操作期间是可重配置的。
根据一个方面，第二集成器件封装进一步包括第二光接收器，其被配置成从该可配置光发射器接收光束。
根据一方面，第一可配置光发射器能被配置成向第二集成器件封装的至少第一和第二光接收器之一发射光束。
根据一个方面，第一可配置光发射器能被配置成以第一频率和第一角度向第一光接收器发射光束，并且以第二频率和第二角度向第二光接收器发射光束。
根据一方面，第二集成器件封装进一步包括耦合至第二封装基板的第二可配置光发射器。第二可配置光发射器被配置成与第二集成器件处于通信。第二可配置光发射器被配置成以可配置的第二角度发射第二光束。
根据一个方面，第二可配置光发射器包括第二光束源、耦合至第二光束源的第二光分束器、以及耦合至第二光分束器的第二移相器集。第二移相器集被配置成配置第二光束被发射的第二角度。
根据一方面，第一集成器件包括第二光接收器，其被配置成从第二可配置光发射器接收第二光束。
根据一个方面，该光束源被配置成提供包括至少一个或多个频率的光束。
根据一方面，该可配置光发射器形成在硅基集成器件中。
根据一方面，该光分束器是多模干涉(mmi)分束器。
根据一个方面，该器件被纳入到以下至少一者中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板式计算机、和/或膝上型计算机。
第四示例提供一种包括第一集成器件和第二集成器件的器件。第一集成器件包括第一封装基板、耦合至第二封装基板的第一集成器件、以及用于以可配置的角度发射光束的第一装置。该用于发射的第一装置耦合至第一封装基板。该用于发射的第一装置被配置成与第一集成器件处于通信。该用于发射的第一装置包括：用于生成光束的装置；用于拆分光束的装置，该用于拆分光束的装置耦合至该用于生成光束的装置；以及用于相移一个或多个经拆分光束的装置。该用于相移的装置耦合至该用于拆分光束的装置。该用于相移的装置被配置成实现从该用于发射的装置发射光束的角度。第二集成器件包括第二封装基板、耦合至第二封装基板的第二集成器件、以及用于从该用于发射光束的第一装置接收光束的装置。
根据一方面，第一集成器件封装进一步包括用于接收第二光束的装置。
根据一个方面，该用于发射光束的装置包括用于在该集成器件封装的操作期间发射可重配置光束的装置。
根据一方面，该用于发射光束的装置形成在硅基集成器件中。
根据一个方面，该器件被纳入到以下至少一者中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板式计算机、和/或膝上型计算机。
附图
在结合附图理解下面阐述的详细描述时，各种特征、本质和优点会变得明显，在附图中，相像的附图标记贯穿始终作相应标识。
图1解说了使用导向镜的常规光学互连系统。
图2解说了包括通过可配置的光发射器来彼此通信的两个集成器件封装的集成器件系统的示例的剖面视图。
图3解说了包括通过可配置的光发射器来彼此通信的两个集成器件封装的集成器件系统的示例的平面视图(例如，俯视图)。
图4解说了包括通过可配置的光发射器来彼此通信的两个集成器件封装的集成器件系统的示例的另一平面视图(例如，俯视图)。
图5解说了光发射器在第一时间帧中向第一光接收器发射光束的示例的平面视图(例如，俯视图)。
图6解说了光发射器在第二时间帧中向第二光接收器发射光束的示例的平面视图(例如，俯视图)。
图7解说了光发射器在第三时间帧中向第三光接收器发射光束的示例的平面视图(例如，俯视图)。
图8解说了可配置光发射器的平面视图。
图9解说了可配置光发射器的剖面视图。
图10解说了可配置光发射器中的多模波导的平面视图。
图11解说了可配置光发射器中的多模波导的剖面视图。
图12解说了移相器的示例的平面视图。
图13概念性地解说了对移相器的使用可以如何指定来自发射机的光束的有效方向和/或有效角度。
图14(包括14a-14b)解说了用于提供/制造包括多模分束器和/或移相器的光发射器的示例性工序。
图15解说了半加成图案化(sap)工艺的示例。
图16解说了半加成图案化(sap)工艺的流程图的示例。
图17解说了镶嵌工艺的示例。
图18解说了镶嵌工艺的流程图的示例。
图19解说了操作可配置光发射器的方法的流程图的示例。
图20解说了扫描潜在光接收器的开放空间的方法的流程图的示例。
图21解说了操作光接收器的方法的流程图的示例。
图22解说了可配置光发射器的概念性图解。
图23解说了光接收器的概念性图解。
图24解说了集成器件的概念性图解。
图25解说了可集成本文所描述的器件、集成器件封装、半导体器件、管芯、集成电路和/或pcb的各种电子设备。
详细描述
在以下描述中，给出了具体细节以提供对本公开的各方面的透彻理解。然而，本领域普通技术人员将理解，没有这些具体细节也可实践这些方面。例如，电路可能用框图示出以避免使这些方面湮没在不必要的细节中。在其他实例中，公知的电路、结构和技术可能不被详细示出以免模糊本公开的这些方面。
概览
一些新颖特征涉及包括第一集成器件封装和第二集成器件封装的设备。第一集成器件封装包括第一封装基板、耦合至第一封装基板的第一集成器件、以及耦合至第一封装基板的第一可配置光发射器。第一可配置光发射器被配置成与第一集成器件处于通信。第一可配置光发射器被配置成以可配置有效角度发射光束。第一可配置光发射器包括光束源、耦合至该光束源的光分束器、以及耦合至该光分束器的移相器集。该移相器集被配置成实现光束被发射的有效角度。在一些实现中，光束的可配置有效角度是光束具有最高振幅和/或功率的角度。在一些实现中，可配置有效角度是相对于直光束的角度。第二集成器件封装包括第二封装基板、耦合至第二封装基板的第二集成器件、以及第一光接收器，第一光接收器被配置成从第一可配置光发射器接收光束。在一些实现中，第一可配置光发射器在第一集成器件封装的操作期间是可重配置的。在一些实现中，可配置光发射器形成在硅基集成器件中。在一些实现中，光分束器是多模干涉(mmi)分束器。
包括可配置光发射器的示例性集成器件封装和/或系统
图2解说了包括可配置光发射器的集成器件系统的剖面视图(例如，侧视图)。如图2所示，该集成器件系统包括第一集成器件封装200、第二集成器件封装220、以及印刷电路板(pcb)230。pcb230包括互连集232(例如，迹线、通孔、焊盘)。第一集成器件封装200通过第一焊球集210耦合至pcb230。第二集成器件封装220通过第二焊球集250耦合至pcb230。第一和第二焊球集210和250耦合至互连集232。
第一集成器件封装200包括封装基板202、集成器件204(例如，管芯)、以及可配置光发射器206(例如，可配置光发射器件)。封装基板202包括一个或多个介电层208、第一互连集203(例如，迹线、通孔、焊盘)、以及第二互连集205(例如，迹线、通孔、焊盘)。集成器件204通过焊球集207耦合至封装基板202。可配置光发射器206通过焊球集209耦合至封装基板202。集成器件204通过焊球集207、互连集205和焊球集209电耦合至可配置光发射器206。即，集成器件204可通过包括焊球集207、互连集205和焊球集209的第一电路径电耦合至可配置光发射器206。集成器件204可以是包括集成电路(ic)的器件。
可配置光发射器206可以是被配置成通过介质(例如，自由空间、空气)来发射光束240(例如，光信号)的集成光发射器。在一些实现中，所发射的光束240是可配置定向光束。即，光束240可被定向成沿着来自可能方向集和/或可能角度集的某个方向或角度。在一些实现中，光束240可实时地和/或在光发射器206已耦合至封装基板202之后重配置。以下将至少在图3-7中进一步描述对光束240的方向和/或角度的配置和/或重配置。
如以上所提及的，图2还解说了第二集成器件封装220被耦合至pcb230。第二集成器件封装220包括封装基板222、集成器件224(例如，管芯)、以及光接收器件226(例如，光接收器)。封装基板222包括一个或多个介电层228、第一互连集223(例如，迹线、通孔、焊盘)、以及第二互连集225(例如，迹线、通孔、焊盘)。集成器件224通过焊球集227耦合至封装基板222。光接收器件226通过焊球集229耦合至封装基板222。集成器件224通过焊球集227、互连集225和焊球集229电耦合至光接收器件226。即，集成器件224可通过包括焊球集227、互连集225和焊球集229的第二电路径电耦合至光接收器件226。集成器件224可以是包括集成电路(ic)的器件。
光接收器件226被配置成接收光束(例如，光信号)。如图2所示，光接收器件226被配置成从可配置光发射器206接收光束240(例如，光信号)。在一些实现中，光束240可被配置成通过集成器件(例如，管芯)之间的介质(例如，自由空间、空气)来携带和/或传输光数据信号。
在一些实现中，集成器件204可通过焊球集207、互连集205、焊球集209、可配置光发射器206、光接收器件226、焊球集229、互连集225和焊球集227与集成器件224处于通信。
在一些实现中，集成器件204可通过焊球集207、互连集203、焊球集210、互连集232、焊球集250、互连集223和焊球集227与集成器件224处于通信。
应注意，集成器件封装(例如，集成器件封装200、220)可包括一个或多个可配置光发射器和/或一个或多个光接收器件。已描述了包括可配置光束的一般集成封装系统的示例，现在将在以下描述集成封装系统的更详细示例。
包括可配置光发射器的示例性集成器件封装和/或系统
图3解说了包括配置成发射可配置光束的可配置光发射器的集成器件系统的平面视图(例如，俯视图)。如图3所示，该集成器件系统包括第一集成器件封装300、第二集成器件封装310、以及第三集成器件封装320。第一、第二和第三集成器件封装310、320和330可耦合至印刷电路板(pcb)(未示出)。
第一集成器件封装300包括第一集成器件301、第一封装基板302、光发射器303、光接收器件304、光接收器件305、以及光接收器件306。第一集成器件301可以是包括集成电路(ic)的管芯。第一集成器件301耦合至光发射器303、光接收器件304、光接收器件305、以及光接收器件306(例如，与它们处于通信)。
第二集成器件封装310包括第二集成器件311、第二封装基板312、第二光发射器313、第三光传输314、光接收器件315、光接收器件316、光接收器件317、以及光接收器件318。第二集成器件311可以是包括集成电路(ic)的管芯。第二集成器件311耦合至第一和第二光发射器313-314、以及光接收器件315-318(例如，与它们处于通信)。
第二集成器件封装320包括第三集成器件321、第三封装基板322、第四光发射器323、光接收器件324、光接收器件325、以及光接收器件326。第三集成器件321可以是包括集成电路(ic)的管芯。第三集成器件321耦合至第四光发射器323、光接收器件324、光接收器件325、以及光接收器件326(例如，与它们处于通信)。
这些光发射器中的一者或多者(例如，303、313、314和/或323)可以是可配置光发射器，诸如图2中所描述的可配置光发射器206。在一些实现中，所发射的光束是可配置定向光束。即，光束可被定向成沿着来自方向集和/或角度集的某个方向或某个角度。
这些光接收器件中的一者或多者(例如，304-306、315-318和/或324-326)被配置成通过介质(例如，自由空间、空气)从一个或多个光传输设备(例如，光发射器)接收光束(例如，光信号)。
如图3所示，第一集成器件封装300的光发射器303被配置成通过介质(例如，自由空间、空气)向第三集成器件封装320的光接收器件324发射光束370。第三集成器件封装320的光发射器323被配置成通过介质(例如，自由空间、空气)向第一集成器件封装300的光接收器件304发射光束380。
图3还解说了第二集成器件封装310的光发射器313被配置成通过介质(例如，自由空间、空气)向第一集成器件封装300的光接收器件306发射光束350。此外，第二集成器件封装310的光发射器314被配置成向第三集成器件封装320的光接收器件326发射光束360。
光束350、360、370和380可具有相同频率或不同频率。在图3的示例中，光束350、360、370和380彼此不交叉或干扰。然而，在一些实现中，这些光束可以彼此交叉，诸如在以下描述的图4的示例中所示。
图4解说了图3的各集成器件封装可如何彼此通信的另一示例。如图4所示，第一集成器件封装300的光发射器303被配置成向第三集成器件封装320的光接收器件325发射光束470。第三集成器件封装320的光发射器323被配置成向第一集成器件封装300的光接收器件304发射光束480。
图4还解说了第二集成器件封装310的光发射器313被配置成通过介质(例如，自由空间、空气)向第一集成器件封装300的光接收器件305发射光束450。此外，第二集成器件封装310的光发射器314被配置成通过介质(例如，自由空间、空气)向第三集成器件封装320的光接收器件326发射光束460。
图4解说了光束470与光束480和460交叉。在一些实现中，为了确保光束470不干扰光束480和光束460两者，光束470具有的频率充分不同于光束480和光束460两者。尽管有以上示例，但是在一些实现中，光束450、460、470和480可具有相同频率或不同频率。
图3-4解说了一个光发射器可如何被配置成与若干光接收器通信。在一些实现中，光发射器可以能够具有比个体接收器的带宽更高的带宽。即，光发射器能够以比光接收器(例如，光接收器件)能够接收的速率更高的速率发射数据。作为对减小光发射器的带宽能力的替代，光发射器可与若干(例如，两个或更多个)光接收器配对以充分利用光发射器的传输能力。在此类实例中，光发射器可被配置成向若干光接收器发射光束。
图5-7解说了光发射器可如何向与该光发射器配对的若干光接收器发射光束。在图5-7的示例中，光发射器303与光接收器件324-326配对。
如图5所示，在第一时间帧(例如，t1)中，光发射器303向光接收器件324发射光束500。在图6中，在第一时间帧之后的第二时间帧(例如，t2)中，光发射器303向光接收器件326发射光束600。在图7中，在第二时间帧之后的第三时间帧(例如，t3)中，光发射器303向光接收器件325发射光束700。在一些实现中，以上传输顺序(如图5-7所示)可按相同次序或不同次序迭代地重复。由此，在向光接收器件325发射光束700之后，光发射器303可向光接收器件324或光接收器件326发射后续光束。
包括光接收器件324-326的第二集成器件封装320可不同地处理这些光束。例如，第二集成器件封装320可如同复用器那样处理由光接收器324-326接收的光束，其中仅使用所接收到的光束中的一个光束。然而，在一些实现中，来自光接收器件324-326的所有收到光束都由第二集成器件封装320处理和利用。通过利用与光发射器处于通信的两个或更多个光接收器件，集成器件封装320能够具有比原本仅用单个光接收器件可能具有的通信带宽更高的通信带宽。
在一些实现中，光发射器303可与附加光接收器件配对，或者所配对的光接收器件中的一者或多者可与光发射器303解除配对。光发射器303与(诸)光接收器件的配对或解除配对可在光发射器303正发射光束时实时地进行。
还应注意，光发射器303可与来自不同集成器件封装的光接收器件配对。例如，光发射器303可与第二集成器件封装310的光接收器件315、以及第三集成器件封装320的光接收器件326配对。由此，单个光发射器可与两个不同的集成器件封装配对。
能够与不同的光接收器件配对的可配置光发射器(例如，实时可配置光发射器)的另一优点在于其提供了容错/防错传输能力。例如，假设光发射器303与光接收器件326配对，并且在集成器件封装300和320的操作期间，光接收器件326停止正常操作(例如，故障、不再工作)。光发射器303随后可实时地(例如，当一个或两个集成器件封装在操作时)与一个或多个不同的光接收器件配对，从而使得这两个集成器件封装之间的通信和传输能继续。
示例性可配置光发射器
图8解说了可被集成到集成器件封装中的可配置光发射器800的示例的平面视图(例如，俯视图)。可配置光发射器800可以是被配置成发射光束(例如，光信号)的集成光发射器。在一些实现中，所发射的光束是可配置定向光束。即，光束可被定向成沿着来自方向集和/或角度集的某个方向或角度。在一些实现中，光束可实时地和/或在光发射器800已耦合至封装基板之后重配置。以下将至少在图12-13中进一步描述对光束的方向和/或角度的配置和/或重配置。
如图8所示，光发射器800包括基底802、光源804(例如，激光二极管)、信号分路器设备806、以及移相器集808。信号分路器设备806可以是多模干涉(mmi)分路器设备。mmi分路器设备的示例在图10中进一步详细描述。在一些实现中，移相器集808可以是由集成器件(例如，管芯、或者一个或多个集成电路)电子地控制的移相器。
图9解说了图8的光发射器800的剖面视图(例如，侧视图)。如图9所示，光发射器800包括基底802、光源804、信号分路器设备806、移相器集808、互连集902、层904、以及焊球集906。光发射器800还可包括重分布部分901、第一通孔集905、以及第二通孔集907。在一些实现中，基底802包括绝缘体上覆硅(soi)晶片层。在一些实现中，层904是二氧化硅。在一些实现中，移相器集808可位于层904中。移相器集808还可包括允许光束穿过光发射器800的传输介质(例如，硅)。互连集902可以是位于光发射器800的重分布部分901中的重分布互连集。第一通孔集905(例如，穿硅通孔(tsv))耦合至光源804和互连集902。第二通孔集907(例如，穿硅通孔(tsv))耦合至移相器集808和互连集902。以下至少在图12-13中进一步详细描述移相器的示例。
图10解说了多模干涉(mmi)分路器设备1000的示例的平面视图(例如，俯视图)。如图10所示，mmi分路器设备1000包括输入波导1002、多模波导1004、第一输出波导1010、第二输出波导1012、第三输出波导1014、第四输出波导1016、第五输出波导1018、以及第六输出波导1020。在一些实现中，来自光源(例如，光源804、激光二极管(图10中未示出))的光束进入输入波导1002并穿过多模波导1004。多模波导1004将该光束拆分成若干光束，它们随后穿过输出波导1010-1020之一。应注意，不同实现可使用不同数目的输出波导。
图11解说了mmi分路器设备1100的剖面视图(例如，侧视图)。mmi分路器设备1100包括第一氧化硅层1102、第二氧化硅层1104、以及硅层1106。在一些实现中，硅层1106被配置成作为光束可以穿过的波导(例如，输入波导、多模波导、输出波导)来操作。第一和第二氧化硅层1102和1104可以是光束无法穿过的绝缘层和/或介电层。
示例性移相器
图12解说了可在可配置光发射器中实现的移相器1200的示例的平面视图(例如，俯视图)。在一些实现中，本公开中所描述的任何移相器可被实现为移相器1200。
移相器1200包括第一传输介质1202、第二传输介质1204、第三传输介质1206、第四传输介质1208、以及相移控制设备1210。第一传输介质1202、第二传输介质1204、第三传输介质1206、第四传输介质1208由光束能够穿过的材料制成。在一些实现中，第一、第二、第三和第四传输介质1202、1204、1206和1208包括硅(si)材料。
第一传输介质1202是移相器1200的输入介质，光束(例如，光信号)在此处进入移相器1200。应注意，光束或光信号可包括若干光信号。在一些实现中，第一传输介质1202耦合至mmi分路器设备的输出波导(例如，输出波导1010)。在穿过第一传输介质1202之后，光束穿过第二传输介质1204和第三传输介质1206两者。即，一些光束穿过第二传输介质1204，而一些光束穿过第三传输介质1206。在一些实现中，第二和第三传输介质1204和1206具有相同长度。然而，第二和第三传输介质1204和1206可具有不同长度。
如图12所示，相移控制设备1210毗邻和/或靠近第二传输介质1204。相移控制设备1210被配置成移位(例如，延迟)穿过第二传输介质1204的光束。在一些实现中，光束在第二传输介质1204中的移位(例如，延迟)是相对于穿过第三传输介质1206的光束的移位。
不同实现可使用不同的相移控制设备。在一些实现中，相移控制设备1210是直流(dc)偏置控制设备。在一些实现中，dc偏置控制设备包括两个耦合至直流源的电极(例如，电极1210a和1210b)。通过控制贯穿电极1210a和1210b的电流，穿过第二传输的光束可被不同地移位。尽管未示出，但应注意，还可将另一相移控制设备置于毗邻和/或靠近第三传输介质1206，以移位(例如，延迟)穿过第三传输介质1206的光束。穿过第三传输介质1206的光束的移位可不同于穿过第二传输介质1204的光束的移位。
当穿过第二传输介质1204的光束与穿过第三传输介质1206的光束相遇时，输出光束产生并穿过第四传输介质1208。当在第二传输介质1204中没有发生相移时，进入移相器1200的光束与离开移相器1200的光束相同。即，进入第一传输介质1202的光束与离开第四传输介质1208的光束相同。然而，当在第二传输介质1204中发生了相移时，结果所得的来自第二传输介质1204的光束和来自第三传输介质1206的光束的组合是穿过第四传输介质1208的输出光束，其不同于最初穿过第一传输介质1202的光束。
图12解说了相移机制的示例。然而，不同实现可利用不同类型的相移机制，诸如电子光学机制、电热机制、和/或活跃载流子注入机制。
示例性定向光束
图13解说了可如何通过使用多模干涉分路器设备和若干移相器来生成可配置定向光束的概念性图解。具体地，图13解说了光输入1300(例如，输入光束)可如何在穿过分路器设备和移相器集之后产生以特定方向或角度发射的光束1308。
如图13所示，光输入1300(例如，输入光束)进入多模波导1302(例如，多模干涉分路器设备)。波导1302将光输入(例如，光束)拆分成若干波束，它们随后穿过移相器集1304。在该示例中，有八(8)个移相器。该若干波束或信号可通过其各自相应的移相器1304来移相。对于不同的移相器1304，波束或信号的相移可以相同或不同。由此，每个移相器可被配置成提供与其他移相器的相移相似或不同的相应相移。在一些实现中，不发生相移。
如图13所示，相移由δφ表示。在一些实现中，光束或光信号在移相器中的相移可由下式1表示：
δφ＝(2π/λ)dsinθ，(1)
其中δφ是输入光信号在移相器中的相移，λ是当光束穿过移相器时该光束的有效波长，d是输出波束或输出信号与相移之间的距离，并且θ是来自光发射器的输出定向光束的有效角度或方向。在一些实现中，光束的有效角度是光束1308具有最高振幅和/或功率的角度。在一些实现中，有效角度是相对于直光束的角度。在一些实现中，直光束是从个体移相器输出的光束。在一些实现中，光束1308是来自移相器1304的全部光输出1306(例如，光束、光信号)的组合。在一些实现中，光束1308的有效角度或方向表示当光输出1306中的一些或全部被发射时光束1308定向至的角度或方向。在一些实现中，有效角度或有效方向是相对于光输出1306进行发射的角度或方向的角度或方向。例如，如果以90度发射光输出1306之一，则光束1308的有效角度或有效方向将是相对于90度的一角度。在一些实现中，光束的有效波长(λ)取决于该光束的频率以及该光束或光信号穿过的介质的介电常数(例如，硅(si)的介电常数)。
如上所示，通过改变移相器的相移，可以指定或控制光束1308的有效角度或方向。在一些实现中，移相器的相移可通过控制流过靠近或毗邻移相器中的传输介质的dc偏置控制的电流来控制。应注意，不同实现可具有不同数目的移相器。由此，图13仅仅是移相器集的实现的示例。
用于提供/制造多模波导和/或移相器的示例性工序
在一些实现中，提供/制造多模波导和/或移相器包括若干工艺。图14(包括图14a-14b)解说了用于提供/制造多模波导和/或移相器的示例性工序。在一些实现中，可使用图14a-14b的工序来提供/制造图8-12的多模波导和/或移相器、和/或本公开中所描述的其他多模波导和/或移相器。然而，出于简化目的，图14a-14b将在提供/制造图10和11的多模波导的上下文中描述。
应注意，图14a-14b的工序可以组合一个或多个阶段以简化和/或阐明用于提供/制造多模波导的工序。在一些实现中，可以改变或修改各工艺的次序。
图14a的阶段1解说了在提供基底1400之后的状态。在一些实现中，基底1400包括第一层1402和第二层1404。第一层1402是介电层和/或绝缘体层。例如，第一层1402可以是二氧化硅(sio2)层。第二层1404可以是硅(si)层。在一些实现中，基底1400是绝缘体上覆硅(soi)基底或晶片。
阶段2解说了在第二金属层1404上形成第三层1406后的状态。第三层1406是介电层和/或绝缘体层。例如，第三层1406可以是二氧化硅(sio2)层。
状态3解说了在第三层1406上形成光致抗蚀层1408后的状态。
阶段4解说了在光致抗蚀层1408的诸部分被选择性地移除之后的状态。如阶段4所示，在光致抗蚀层1408中形成腔1410。在一些实现中，光致抗蚀层1408是通过光刻和/或光蚀刻工艺来选择性地移除的。
如图14b所示，阶段5解说了在第三层1406和光致抗蚀层1408上形成金属层1412。在一些实现中，金属层1412是沉积在第三层1406和光致抗蚀层1408上的镍(ni)。
阶段6解说了光致抗蚀层1408被移除之后的状态，其中还移除了光致抗蚀层1408上的金属层1412。在一些实现中，移除光致抗蚀层1408包括剥离(liftoff)工艺。
阶段7解说了第二和第三层1404和1406的诸部分被选择性地移除之后的状态。在一些实现中，移除第二和第三层1404和1406未被金属层1412覆盖的任何部分。在一些实现中，第二和第三层1404和1406是通过蚀刻工艺来选择性地移除的。
阶段8解说了金属层1412被移除之后的状态。在一些实现中，金属层1412是通过清洗工艺来移除的。
阶段9解说了在第一层1402、第二和第三层1404和1406之上形成第四层1420。在一些实现中，第四层1420是通过化学气相沉积(cvd)工艺形成在第一层1402之上的二氧化硅(sio2)层。在一些实现中，剩余的第二层1404(其可以是硅)被配置成作为多模干涉(mmi)分路器设备和/或移相器中的光束传输介质和/或波导来操作。
在一些实现中，可使用若干附加工艺来提供和/或形成一个或多个腔和/或一个或多个金属层(例如，互连、电极)。例如，可在基底802之上和/或之中形成层1402，并且可应用附加工艺以在层1402中形成光源804以及在层1402中形成移相器的电极。
用于形成金属层的示例性过程
在本公开中描述了各种金属层和互连(例如，迹线、通孔、焊盘)。这些金属层和互连可被形成在集成器件(例如，集成器件封装)的各个部分中。在一些实现中，这些互连可包括一个或多个金属层。例如，在一些实现中，这些互连可包括第一金属晶种层和第二金属层。可使用不同镀敷工艺来提供(例如，形成)这些金属层。以下是具有晶种层的互连(例如，迹线、通孔、焊盘)的详细示例以及可如何使用不同镀敷工艺来形成这些互连。
不同实现可使用不同工艺来形成和/或制造金属层(例如，互连、重分布层、凸块下金属化层、突起)。在一些实现中，这些工艺包括半加成图案化(sap)工艺和镶嵌工艺。这些各种不同工艺在下文进一步描述。
图15解说了用于使用半加成图案化(sap)工艺来形成互连以在一个或多个介电层中提供和/或形成互连的工序。如图15所示，阶段1解说了在提供(例如，形成)介电层1502之后的集成器件(例如，基板)的状态。在一些实现中，阶段1解说了介电层1502包括第一金属层1504。在一些实现中，第一金属层1504是晶种层。在一些实现中，可在提供(例如，接收或形成)介电层1502之后在介电层1502上提供(例如，形成)第一金属层1504。阶段1解说了在介电层1502的第一表面上提供(例如，形成)第一金属层1504。在一些实现中，第一金属层1504是通过使用沉积工艺(例如，pvd、cvd、镀敷工艺)来提供的。
阶段2解说了在第一金属层1504上选择性地提供(例如，形成)光致抗蚀层1506(例如，光显影抗蚀层)之后的集成器件的状态。在一些实现中，选择性地提供抗蚀层1506包括在第一金属层1504上提供第一抗蚀层1506并且通过显影(例如，使用显影工艺)来选择性地移除抗蚀层1506的诸部分。阶段2解说了提供抗蚀层1506，从而形成腔1508。
阶段3解说了在腔1508中形成第二金属层1510之后的集成器件的状态。在一些实现中，在第一金属层1504的暴露部分之上形成第二金属层1510。在一些实现中，第二金属层1510是通过使用沉积工艺(例如，镀敷工艺)来提供的。
阶段4解说了在移除抗蚀层1506之后的集成器件的状态。不同实现可使用不同工艺来移除抗蚀层1506。
阶段5解说了在选择性地移除第一金属层1504的诸部分之后的集成器件的状态。在一些实现中，移除第一金属层1504未被第二金属层1510覆盖的一个或多个部分。如阶段5所示，剩余的第一金属层1504和第二金属层1510可以在集成器件和/或基板中形成和/或限定互连1512(例如，迹线、通孔、焊盘)。在一些实现中，移除第一金属层1504，以使得位于第二金属层1510下方的第一金属层1504的尺寸(例如，长度、宽度)与第二金属层1510的尺寸(例如，长度、宽度)大致相同或者小于第二金属层1510的尺寸(例如，长度、宽度)，这可导致底切，如图15的阶段5所示。在一些实现中，以上提及的过程可被迭代若干次以在集成器件和/或基板的一个或多个介电层中提供和/或形成若干互连。
图16解说了用于使用(sap)工艺以在一个或多个介电层中提供和/或形成互连的方法的流程图。该方法提供(1605)介电层(例如，介电层1502)。在一些实现中，提供介电层包括形成介电层。在一些实现中，提供介电层包括形成第一金属层(例如，第一金属层1504)。在一些实现中，第一金属层是晶种层。在一些实现中，可在提供(例如，接收或形成)介电层之后在该介电层上提供(例如，形成)第一金属层。在一些实现中，第一金属层是通过使用沉积工艺(例如，物理气相沉积(pvd)或镀敷工艺)来提供的。
该方法选择性地在第一金属层上提供(1610)光致抗蚀层(例如，光显影抗蚀层1506)。在一些实现中，选择性地提供抗蚀层包括在第一金属层上提供第一抗蚀层并且选择性地移除该抗蚀层的诸部分(这提供一个或多个腔)。
该方法随后在光致抗蚀层的腔中提供(1615)第二金属层(例如，第二金属层1510)。在一些实现中，在第一金属层的暴露部分之上形成第二金属层。在一些实现中，第二金属层是通过使用沉积工艺(例如，镀敷工艺)来提供的。
该方法进一步移除(1620)抗蚀层。不同实现可使用不同工艺来移除抗蚀层。该方法还选择性地移除(1625)第一金属层的诸部分。在一些实现中，移除第一金属层未被第二金属层覆盖的一个或多个部分。在一些实现中，任何剩余的第一金属层和第二金属层可以在集成器件和/或基板中形成和/或限定一个或多个互连(例如，迹线、通孔、焊盘)。在一些实现中，以上提及的方法可被迭代若干次以在集成器件和/或基板的一个或多个介电层中提供和/或形成若干互连。
图17解说了用于使用镶嵌工艺来形成互连以在介电层中提供和/或形成互连的工序。如图17所示，阶段1解说了在提供(例如，形成)介电层1702之后的集成器件的状态。在一些实现中，介电层1702是无机层(例如，无机膜)。
阶段2解说了在介电层1702中形成腔1704之后的集成器件的状态。不同实现可使用不同工艺来在介电层1702中提供腔1704。
阶段3解说了在介电层1702上提供第一金属层1706之后的集成器件的状态。如阶段3所示，在介电层1702的第一表面上提供第一金属层1706。在介电层1702上提供第一金属层1706，以使得第一金属层1706占据介电层1702的轮廓，包括腔1704的轮廓在内。在一些实现中，第一金属层1706是晶种层。在一些实现中，第一金属层1706是通过使用沉积工艺(例如，物理气相沉积(pvd)、化学气相沉积(cvd)、或镀敷工艺)来提供的。
阶段4解说了在腔1704中和介电层1702的表面中形成第二金属层1708之后的集成器件的状态。在一些实现中，在第一金属层1706的暴露部分之上形成第二金属层1708。在一些实现中，第二金属层1708是通过使用沉积工艺(例如，镀敷工艺)来提供的。
阶段5解说了在移除第二金属层1708的诸部分和第一金属层1706的诸部分之后的集成器件的状态。不同实现可使用不同工艺来移除第二金属层1708和第一金属层1706。在一些实现中，化学机械抛光(cmp)工艺被用于移除第二金属层1708的诸部分和第一金属层1706的诸部分。如阶段5所示，剩余的第一金属层1706和第二金属层1708可以在集成器件和/或基板中形成和/或限定互连1712(例如，迹线、通孔、焊盘)。如阶段5所示，以在第二金属层1710的基底部分和(诸)侧面部分上形成第一金属层1706的方式来形成互连1712。在一些实现中，腔1704可包括两级电介质中的沟和/或孔的组合，以使得可以在单个沉积步骤中形成通孔和互连(例如，金属迹线)。在一些实现中，以上提及的过程可被迭代若干次以在集成器件和/或基板的一个或多个介电层中提供和/或形成若干互连。
图18解说了用于使用镶嵌工艺来形成互连以在介电层中提供和/或形成互连的方法的流程图。该方法提供(1805)介电层(例如，介电层1702)。在一些实现中，提供介电层包括形成介电层。在一些实现中，提供介电层包括从供应商接收介电层。在一些实现中，介电层是无机层(例如，无机膜)。
该方法在介电层中形成(1810)至少一个腔(例如，腔1704)。不同实现可使用不同工艺来在介电层中提供腔。
该方法在介电层上提供(1815)第一金属层(例如，第一金属层1706)。在一些实现中，在介电层的第一表面上提供(例如，形成)第一金属层。在一些实现中，在介电层上提供第一金属层，以使得第一金属层占据介电层的轮廓，包括腔的轮廓在内。在一些实现中，第一金属层是晶种层。在一些实现中，第一金属层1706是通过使用沉积工艺(例如，pvd、cvd或镀敷工艺)来提供的。
该方法在腔中和介电层的表面中提供(1820)第二金属层(例如，第二金属层1708)。在一些实现中，在第一金属层的暴露部分之上形成第二金属层。在一些实现中，第二金属层是通过使用沉积工艺(例如，镀敷工艺)来提供的。在一些实现中，第二金属层与第一金属层相似或相同。在一些实现中，第二金属层不同于第一金属层。
该方法随后移除(1825)第二金属层的诸部分和第一金属层的诸部分。不同实现可使用不同工艺来移除第二金属层和第一金属层。在一些实现中，化学机械抛光(cmp)工艺被用于移除第二金属层的诸部分和第一金属层的诸部分。在一些实现中，剩余的第一金属层和第二金属层可以形成和/或限定互连(例如，互连1712)。在一些实现中，互连可以包括集成器件和/或基板中的至少迹线、通孔、和/或焊盘中的一者。在一些实现中，以在第二金属层的基底部分和(诸)侧面部分上形成第一金属层的方式来形成互连。在一些实现中，以上提及的方法可被迭代若干次以在集成器件和/或基板的一个或多个介电层中提供和/或形成若干互连。
用于光通信的示例性方法
如以上所提及的，一个或多个集成器件封装可使用可配置光发射器来与另一集成封装通信。图19解说了集成器件封装可执行以与另一集成器件封装进行光通信的方法1900的流程图。
在一些实现中，方法1900可由第一集成器件封装中的集成电路和/或可配置光发射器设备来执行。在一些实现中，方法1900在第一集成器件封装启动扫描模式之后开始，其中第一集成器件从第二集成器件封装检测可能的光接收器。在一些实现中，方法1900在第一集成器件封装已通过另一通信路径(例如，贯穿封装基板和/或印刷电路板的电信号路径)与第二集成器件封装通信且第二集成器件封装已提供关于第二集成器件准备好接收和/或检测光束的指示(例如，消息)之后开始。在一些实现中，方法1900在第一和第二集成器件封装已执行初始握手(例如，遵循扫描模式的消息交换)之后执行。
该方法扫描(1905)光学空间(例如，自由空间、空气)以发现接收器。在一些实现中，扫描光学空间以发现接收器包括以不同角度发送若干光束和/或光信号，并等待从另一集成器件封装听到第二集成器件封装已接收到光束和/或光信号。可如何执行扫描(1905)的更详细示例在图20中进一步描述。
该方法随后记录(1910)存在光接收器(例如，光接收器件)的光束(或光信号)角度。例如，该方法可指定在第一光束角度处存在第一集成器件封装的第一接收器。该方法还可指定在第二光束角度处存在第二集成器件封装的光接收器。由此，该方法可创建具有光接收器的一些或全部光束角度、与接收器相关联的集成器件封装、以及光束频率的列表。如何创建此类列表的详细示例在图20中进一步描述。
一旦该方法记录了角度、光束频率、以及与每个角度和频率相关联的集成器件封装，该方法就可指定(1915)可配置光发射器在发射光束(例如，光信号)时可以使用的光束的角度和频率。在一些实现中，当集成器件封装活跃或操作时，光束的角度和频率可以是可实时地配置和重配置的。该方法还可与恰适的集成器件封装通信(例如，通过包括封装基板和/或印刷电路板的非光学电路径)，以向该集成器件封装指示将向该集成器件封装的特定光接收器发射光束。例如，第一集成器件封装可向第二集成器件封装指示第一集成器件封装将向第二集成器件封装的第二光接收器发送光束。在第二光接收器不在正确工作的情形中，第一集成器件封装可向第二集成器件封装的第三光接收器发送光束。在一些实现中，第二集成器件封装可向第一集成器件封装告知第二光接收器不在正确工作，这将导致第一集成器件封装向第三光接收器发射光束。
一旦光束的角度和频率已被指定(1915)，该方法就可从可配置光发射器设备发射(1920)光束(例如，光信号)。如图5-7所描述的，在一些实例中，光发射器可向若干光接收器发射(例如，顺序地发射)若干光束。这些若干光束的传输可按相同次序或不同次序迭代地重复。
图20解说了用于创建可配置光发射器可以使用的可能角度和频率的列表以便与光接收器进行光通信的方法。
在一些实现中，方法2000可由第一集成器件封装中的集成电路和/或可配置光发射器设备来执行。在一些实现中，方法2000在第一集成器件封装启动扫描模式之后开始，其中第一集成器件从第二集成器件封装检测可能的光接收器。在一些实现中，方法2000在第一集成器件封装已通过另一通信路径(例如，贯穿封装基板和/或印刷电路板的电信号路径)与第二集成器件封装通信且第二集成器件封装已提供关于第二集成器件准备好接收和/或检测光束的指示(例如，消息)之后开始。在一些实现中，方法2000在第一和第二集成器件封装已执行初始握手(例如，遵循扫描模式的消息交换)之后执行。
该方法指定(2005)可配置光发射器将发射的光束的频率。在一些实现中，光束的频率是已指定的并且不能被指定(例如，不能被改变)。
该方法随后指定(2010)光束的角度。在一些实现中，光束的角度是通过指定可配置光发射器的(诸)移相器的特定相移来指定的。图12-13解说了可如何指定光束的角度和/或方向。例如，可通过控制流过靠近光发射器中的传输介质的直流(dc)偏置的电流来指定相移。
该方法随后以所指定的频率和角度发射(2015)光束(例如，光信号)。光束传输的长度可以变化。
该方法随后确定(2020)是否已接收到来自集成器件封装(例如，第二集成器件封装)的确认。该确认可指定该集成器件封装在该集成器件封装的光接收器之一处检测或接收到光束。
当该方法确定(2020)已接收到确认时，该方法记录(2025)该光束的频率和角度，并将该频率和角度与特定集成器件封装的特定光接收器相关联。例如，该方法可指定(2025)包括第一频率、第一角度的光束与第二集成器件封装的第二光接收器相关联。在另一示例中，该方法可指定(2025)包括第二频率、第二角度的光束与第三集成器件封装的第三光接收器相关联。
当该方法确定(2020)尚未接收到确认时或者在记录(2025)光束的频率和角度之后，该方法确定(2030)该光束是否存在其他角度。如果是，则该方法行进回至为该光束指定(2010)另一角度。如果否，则该方法行进至确定(2035)该光束是否存在另一频率。如果是，则该方法行进回至为该光束指定(2005)另一频率。如果否，则该方法记录和/或创建这些光束的频率、角度、以及相关联的集成器件封装的列表。
图21解说了用于检测从另一集成器件封装的可配置光发射器发射的光束的存在的方法。
在一些实现中，方法2100可由第二集成器件封装中的集成电路和/或光接收器件(例如，光接收器)来执行。在一些实现中，方法2100在第一集成器件封装启动扫描模式之后开始，其中第一集成器件从第二集成器件封装检测可能的光接收器。在一些实现中，方法2100在第一集成器件封装已通过另一通信路径(例如，贯穿封装基板和/或印刷电路板的电信号路径)与第二集成器件封装通信且第二集成器件封装已提供关于第二集成器件准备好接收和/或检测光束的指示(例如，消息)之后开始。在一些实现中，方法2100在第一和第二集成器件封装已执行初始握手(例如，遵循扫描模式的消息交换)之后执行。
该方法启动(2105)检测模式，其中该方法检测可被发射给集成器件封装中的一个或多个光接收器的任何光束。该方法确定(2110)一个或多个光接收器是否已接收和/或检测到光束。在一些实现中，仅具有最小振幅和/或功率的光束被认为被接收到。即，如果特定光接收器接收或检测到不满足最小阈值(例如，预定最小振幅和/或功率阈值)的特定光束，则该特定光束将不被认为被接收到。在一些实现中，要求最小阈值以滤除可能存在于光学互连系统中的光噪声。如果该方法确定(2110)已接收和/或检测到光束，则该方法向发射该光束的集成器件封装发送(2115)确认。在一些实现中，当第二集成器件封装中的光接收器接收到光束时，该光接收器随后向第二集成器件封装中的集成器件(例如，ic)告知所接收到的光束。第二集成器件封装中的该集成器件随后向第一集成器件封装中的集成器件(例如，管芯)发送对所接收到的光束的确认。
当该方法确定(2110)尚未接收和/或检测到光束时、或者在发送(2115)确认之后，该方法随后确定(2120)是否继续检测光束。当该方法确定(2120)要继续检测光束时，该方法行进至确定(2110)是否已接收到光束。然而，当该方法确定(2120)不继续检测光束时，该方法可结束。在一些实现中，该方法在一段时间之后或在接收到停止检测光束的指令之后停止检测光束。
应注意，在一些实现中，集成器件封装将始终处于检测光束的模式。当光接收器接收和/或检测到此类光束时，该光束的内容被中继至集成器件(例如，ic)，该集成器件随后将决定如何处置该光束和/或该光束中的信息。
示例性概念集成器件和光学器件
图22概念性地解说了示例性可配置光发射器2200。可配置光发射器2200可以是光传输装置。在一些实现中，可配置光发射器2200在集成器件封装的操作期间是可重配置的。如图22所示，光发射器2200(例如，用于可配置光传输的装置)包括用于与集成器件通信的装置2202、用于生成光束的装置2204、用于光束拆分的装置2206、以及用于相移的装置2208。
在一些实现中，用于与集成器件通信的装置2202可包括允许该光发射器与集成器件和/或集成电路(ic)管芯通信的电路和/或设备。用于生成光束的装置2204包括光束或光信号光源(例如，激光二极管)。用于生成光束的装置2204可以指定光束的频率。用于光束拆分的装置2206可包括如至少在图8-10中所描述的多模干涉分束器。在一些实现中，用于光束拆分的装置2206可从用于生成光束的装置2204接收单个光束，并将该光束拆分成若干光束(例如，光信号)。用于相移的装置2208可包括一个或多个移相器，其使来自用于光束拆分的装置2206的经拆分光束中的一者或多者发生相移(例如，延迟)。
图23概念性地解说了示例性光接收器2300。光接收器2300包括用于接收和/或检测光束的装置2302以及用于与集成器件通信的装置2304。用于接收和/或检测光束的装置2302可包括用于将光束或光信号转换成电信号的电路和/或设备。用于与集成器件通信的装置2304可包括用于与集成器件和/或集成电路(ic)管芯处于通信中的电路和/或设备。
图24概念性地解说了示例性集成器件2400。集成器件2400可以是集成电路(ic)管芯。集成器件2400可包括处理单元/装置2402和存储器单元/装置2404。
处理单元/装置2402可包括用于与(诸)集成器件封装通信的装置2420、用于指定光束的频率的装置2422、用于指定光束的角度的装置2424、用于指定相移的装置2426、以及用于记录光束的频率和角度以及相关联的光接收器的装置2428。
用于与(诸)集成器件封装通信的装置2420包括用于与其他集成器件封装、光发射器和/或光接收器通信的电路和/或设备。用于指定光束的频率的装置2422包括用于向光发射器指定应当在哪个频率发射光束的装置。用于指定光束的角度的装置2424包括用于指定应当在哪个角度发射光束的装置。在一些实现中，指定角度包括指定一个或多个经拆分光束的相移(例如，延迟)。用于指定相移的装置2426包括用于指定对一个或多个经拆分光束的一个或多个相移的装置。在一些实现中，用于指定相移的装置包括指定直流(dc)偏置设备的电压或电流，这可导致一个或多个经拆分光束的相移。用于记录光束的频率和角度以及相关联的光接收器的装置2428包括以不同频率和/或角度扫描开放空间(例如，自由空间、空气)以确定是否存在可用的光发射器的电路、设备和/或功能性。
示例性电子设备
图25解说了可集成有前述光发射器、光接收器、集成器件、半导体器件、集成电路、管芯、中介体、封装或层叠封装(pop)中的任一者的各种电子设备。例如，移动电话2502、膝上型计算机2504、以及固定位置终端2506可包括如本文所描述的集成器件2500。集成器件2500可以是例如本文所描述的集成电路、管芯、封装或层叠封装中的任一者。图25中所解说的设备2502、2504、2506仅是示例性的。其它电子设备也能以集成器件2500为其特征，此类电子设备包括但不限于移动设备、手持式个人通信系统(pcs)单元、便携式数据单元(诸如个人数字助理)、启用全球定位系统(gps)的设备、导航设备、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、固定位置数据单位(诸如仪表读取设备)、通信设备、智能电话、平板计算机或者存储或检索数据或计算机指令的任何其它设备，或者其任何组合。
图2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14a-14b、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24和/或25中解说的组件、步骤、特征和/或功能中的一者或多者可被重新安排和/或组合成单个组件、步骤、特征或功能，或实施在数个组件、步骤、或功能中。也可添加附加的元件、组件、步骤、和/或功能而不会脱离本公开。？还应注意，本公开中的图2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14a-14b、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24和/或25及其相应描述不限于管芯和/或ic。在一些实现中，图2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14a-14b、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24和/或25及其相应描述可被用于制造、创建、提供、和/或生产集成器件。在一些实现中，一种器件可包括管芯、管芯封装、集成电路(ic)、集成器件、集成器件封装、晶片、半导体器件、层叠封装结构、和/或中介体。
措辞“示例性”在本文中用于表示“用作示例、实例或解说”。本文中描述为“示例性”的任何实现或方面不必被解释为优于或胜过本公开的其他方面。同样，术语“方面”不要求本公开的所有方面都包括所讨论的特征、优点或操作模式。术语“耦合”在本文中被用于指两个对象之间的直接或间接耦合。例如，如果对象a物理地接触对象b，且对象b接触对象c，则对象a和c可仍被认为是彼此耦合的——即便它们并非彼此直接物理接触。
还应注意，这些实施例可能是作为被描绘为流程图、流图、结构图、或框图的过程来描述的。尽管流程图可能会把诸操作描述为顺序过程，但是这些操作中有许多操作能够并行或并发地执行。另外，这些操作的次序可被重新安排。过程在其操作完成时终止。
集成器件封装中的一个或多个器件(例如，管芯、发射器、接收器)可执行软件。软件应当被宽泛地解释成意为指令、指令集、代码、代码段、程序代码、程序、子程序、软件模块、应用、软件应用、软件包、例程、子例程、对象、可执行件、执行的线程、规程、函数等，无论其是用软件、固件、中间件、微代码、硬件描述语言、还是其他术语来述及皆是如此。软件可驻留在计算机可读介质上。该计算机可读介质可以是非瞬态计算机可读介质。作为示例，非瞬态计算机可读介质包括磁存储设备(例如，硬盘、软盘、磁带)、光盘(例如，压缩碟(cd)或数字通用盘(dvd)、智能卡、闪存设备(例如，卡、棒或钥匙型驱动器)、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、可擦除prom(eprom)、电可擦除prom(eeprom)、寄存器、可移除盘、以及用于存储可由计算机访问和读取的软件和/或指令的其他任何合适介质。计算机可读介质可以驻留在集成器件封装、在集成器件封装外部、或跨包括该集成器封装的多个实体分布的存储器中。计算机可读介质可以实施在计算机程序产品中。作为示例，计算机程序产品可包括封装材料中的计算机可读介质。本领域技术人员将认识到如何取决于具体应用和加诸于整体系统上的总体设计约束来最佳地实现本公开中通篇给出的所描述的功能性。
本文中描述的新颖算法还可以高效地实现在软件中和/或嵌入到硬件中。应理解，所公开的方法中各步骤的具体次序或阶层是示例性过程的解说。基于设计偏好，应理解，可以重新编排这些方法中各步骤的具体次序或阶层。所附方法权利要求以样本次序呈现各种步骤的要素，且并不意味着被限定于所呈现的具体次序或阶层，除非在本文中有特别叙述。附加的元件、组件、步骤、和/或功能也可被添加或不被利用，而不会脱离本公开。
另外，注意到至少一些实现是作为被描绘为流图、流程图、结构图、或框图的过程来描述的。尽管流程图可能会把诸操作描述为顺序过程，但是这些操作中有许多操作能够并行或并发地执行。另外，这些操作的次序可被重新安排。过程在其操作完成时终止。在一些方面，过程可对应于方法、函数、规程、子例程、子程序等。当过程对应于函数时，它的终止对应于该函数返回调用方函数或主函数。本文中描述的各种方法中的一种或多种方法可部分地或全部地由可存储在机器可读、计算机可读和/或处理器可读存储介质中并由一个或多个处理器、机器和/或设备执行的编程(例如，指令和/或数据)来实现。
本领域技术人员将可进一步领会，结合本文中公开的实现描述的各种解说性逻辑框、模块、电路、和算法步骤可被实现为硬件、软件、固件、中间件、微代码、或其任何组合。为清楚地解说这种可互换性，各种解说性组件、框、模块、电路和步骤在以上已经以其功能性的形式一般地作了描述。此类功能性是被实现为硬件还是软件取决于具体应用和施加于整体系统的设计约束。
本文中所描述的本公开的各种特征可实现于不同系统中而不会脱离本公开。应注意，本公开的以上各方面仅是示例，且不应被解释成限定本公开。对本公开的各方面的描述旨在是解说性的，而非限定所附权利要求的范围。由此，本发明的教导可以现成地应用于其他类型的装置，并且许多替换、修改和变形对于本领域技术人员将是显而易见的。