用于芯片封装件的结构和形成方法与流程

技术特征：

1.一种芯片封装件，包括：

半导体管芯；

封装层，至少部分地包封所述半导体管芯；

导电部件，位于所述封装层中；以及

界面层，位于所述导电部件和所述封装层之间，其中，所述界面层由金属氧化物材料制成，并且所述界面层和所述导电部件之间的界面具有波浪形的形貌。

2.根据权利要求1所述的芯片封装件，其中，所述导电部件包括金属材料，以及所述金属氧化物材料包括与所述金属材料的金属元素相同的金属元素。

3.根据权利要求2所述的芯片封装件，其中，所述金属元素包括铜，以及所述金属氧化物材料包括氧化铜。

4.根据权利要求1所述的芯片封装件，其中，所述封装层包括模塑料。

5.根据权利要求1所述的芯片封装件，其中，所述界面层与所述导电部件直接接触。

6.根据权利要求1所述的芯片封装件，其中，所述界面层与所述封装层直接接触。

7.根据权利要求1所述的芯片封装件，其中，所述界面层将所述导电部件与所述封装层分隔开。

8.根据权利要求1所述的芯片封装件，其中，所述界面层的厚度在从至的范围内。

9.根据权利要求1所述的芯片封装件，还包括：再分布层，位于所述封装层和所述半导体管芯上方，其中，所述再分布层电连接至所述半导体管芯。

10.根据权利要求9所述的芯片封装件，其中，所述导电部件通过所述再分布层电连接至所述半导体管芯。

11.一种芯片封装件，包括：

半导体管芯；

封装层，至少部分地包封所述半导体管芯；

导电部件，穿透所述封装层；以及

界面层，连续地围绕所述导电部件，其中，所述界面层位于所述导电部件和所述封装层之间，所述界面层和所述导电部件之间的界面具有波浪形的形貌，并且所述界面层由金属氧化物材料制成。

12.根据权利要求11所述的芯片封装件，其中，所述导电部件包括金属材料，并且所述金属氧化物材料包括与所述金属材料的金属元素相同的金属元素。

13.根据权利要求11所述的芯片封装件，其中，所述界面层的厚度在从至的范围内。

14.根据权利要求11所述的芯片封装件，其中，所述界面层与所述导电部件直接接触。

15.根据权利要求11所述的芯片封装件，其中，所述封装层包括聚合物材料。

16.一种用于形成芯片封装件的方法，包括：

在载体衬底上方形成导电部件；

在所述载体衬底上方设置半导体管芯；

在所述载体衬底上方形成封装层以至少部分地包封所述半导体管芯和所述导电部件；以及

在形成所述封装层之前加热所述导电部件以在所述导电部件上形成界面层，其中，所述界面层和所述导电部件之间的界面具有波浪形的形貌。

17.根据权利要求16所述的用于形成芯片封装件的方法，其中，在所述导电部件的加热期间，形成氧化物层以围绕所述导电部件。

18.根据权利要求16所述的用于形成芯片封装件的方法，还包括：

在所述载体衬底上方形成晶种层；

在所述晶种层上方形成掩模层，其中，所述掩模层具有暴露部分所述晶种层的开口；以及

在由开口暴露的部分所述晶种层上方电镀导电材料以形成所述导电部件。

19.根据权利要求16所述的用于形成芯片封装件的方法，其中，在所述载体衬底上方设置所述半导体管芯之后，加热所述导电部件。

20.根据权利要求16所述的用于形成芯片封装件的方法，还包括：

去除所述载体衬底；以及

在所述半导体管芯上方堆叠封装件结构。