技术总结
本发明公开了一种p‑GaN/ZnO基多量子阱/n‑ZnO结构的发光二极管及激光器及其制备方法，该发光二极管及激光器包括p‑GaN层、ZnO/ZnMgO多量子阱层、n‑ZnO层和金属电极。其制备方法如下：首先采用分子束外延法在p‑GaN薄膜上先后制备ZnO/ZnMgO多量子阱层和n‑ZnO层；然后分别在p‑GaN及n‑ZnO区镀上金属电极。本发明所制备的器件采用ZnO/ZnMgO多量子阱作为有源层，可降低发光二极管及激光器的阈值并提高其发光效率；此外，为解决同质结构中高效稳定的p‑ZnO难以实现的问题，本发明采用p‑GaN作为空穴注入层；同时，相比于其它p型材料，GaN具有与ZnO结构相同、外延失配低的优势。
技术研发人员：叶志镇;陈珊珊;潘新花;黄靖云;何海平;吕斌;
受保护的技术使用者：浙江大学;
文档号码：201610201685
技术研发日：2016.03.31
技术公布日：2016.07.13