1.一种新型AlGaN基紫外发光二极管，包括管体(1)，其特征在于：所述管体(1)内由下至上依次设有蓝宝石衬底(101)、AlN成核层(102)、非掺杂u型Alx1Iny1Ga1-x1-y1N缓冲层(103)、n型Alx2Iny2Ga1-x2-y2N层(104)、Alx3Iny3Ga1-x3-y3N/Alx4Iny4Ga1-x4-y4N量子阱有源区(105)、p型NiO/Alx5Iny5Ga1-x5-y5N超晶格结构电子阻挡层(106)、p型Znz1Mgz2Ni1-z1-z2O层(107)和氧化铟锡透明导电层(108)，在所述氧化铟锡透明导电层(108)上引出p型欧姆电极(109)，在所述n型Alx2Iny2Ga1-x2-y2N层(104)上引出n型欧姆电极(110)。
2.根据权利要求1所述的一种新型AlGaN基紫外发光二极管，其特征在于：所述蓝宝石衬底(101)为r面、m面或a面中的任意一种。
3.根据权利要求1所述的一种新型AlGaN基紫外发光二极管，其特征在于：所述AlN成核层(102)的厚度为20～100nm，非掺杂u型Alx1Iny1Ga1-x1-y1N缓冲层(103)和n型Alx2Iny2Ga1-x2-y2N层(104)的厚度均为500～1000nm，Alx3Iny3Ga1-x3-y3N/Alx4Iny4Ga1-x4-y4N量子阱有源区(105)的周期数为10～15对，p型NiO/Alx5Iny5Ga1-x5-y5N超晶格结构电子阻挡层(106)的厚度为20～100nm，p型Znz1Mgz2Ni1-z1-z2O层(107)的厚度为100～250nm。
4.根据权利要求1所述的一种新型AlGaN基紫外发光二极管，其特征在于：所述非掺杂u型Alx1Iny1Ga1-x1-y1N缓冲层(103)中下标x1，y1满足如下要求：0≤x1≤1，0≤y1≤0.5。
5.根据权利要求1所述的一种新型AlGaN基紫外发光二极管，其特征在于：所述n型Alx2Iny2Ga1-x2-y2N层(104)中，采用Si进行n型掺杂，其中Si的掺杂浓度介于1×1019～1×1020cm-3。
6.根据权利要求1所述的一种新型AlGaN基紫外发光二极管，其特征在于：所述n型Alx2Iny2Ga1-x2-y2N层(104)中下标x2，y2满足如下要求：0≤x2≤1， 0≤y2≤0.5。
7.根据权利要求1所述的一种新型AlGaN基紫外发光二极管，其特征在于：所述Alx3Iny3Ga1-x3-y3N/Alx4Iny4Ga1-x4-y4N量子阱有源区(105)中下标x3，y3，x4，y4满足如下要求：0≤x3≤1，0≤y3≤1，0≤x4≤1，0≤y4≤1。
8.根据权利要求1所述的一种新型AlGaN基紫外发光二极管，其特征在于：所述p型NiO/Alx5Iny5Ga1-x5-y5N超晶格结构电子阻挡层(106)将Alx3Iny3Ga1-x3-y3N/Alx4Iny4Ga1-x4-y4N量子阱有源区(105)和p型Znz1Mgz2Ni1-z1-z2O分隔开。
9.根据权利要求8所述的一种新型AlGaN基紫外发光二极管，其特征在于：所述p型NiO/Alx5Iny5Ga1-x5-y5N超晶格结构电子阻挡层(106)中的Alx5Iny5Ga1-x5-y5N层中采用掺杂Mg，其中Mg的掺杂浓度介于1×1018～1×1020cm-3，所述p型NiO/Alx5Iny5Ga1-x5-y5N超晶格结构电子阻挡层(106)中超晶格的重复周期数为5～10对，且下标x5，y5满足如下要求：0≤x5≤1，0≤y5≤0.2，所述p型Znz1Mgz2Ni1-z1-z2O层(107)中采用掺杂Mg，其中Mg的掺杂浓度介于1×1018～1×1020cm-3。
10.根据权利要求1所述的一种新型AlGaN基紫外发光二极管，其特征在于：所述p型Znz1Mgz2Ni1-z1-z2O层(107)中，下标z1，z2满足如下要求：0.7≤z1≤0.9，0.1≤z2≤0.3。