五氧化二钒光电探测器及其制备方法与流程

文档序号:11547686阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种五氧化二钒光电探测器,由附于衬底上的、两端置有电极的五氧化二钒光敏元件组成,其特征在于:

所述五氧化二钒光敏元件为定向有序排列的五氧化二钒纳米线致密阵列;

所述组成定向有序排列的五氧化二钒纳米线致密阵列的五氧化二钒纳米线的线直径为200~600nm、线长为10~50μm。

2.根据权利要求1所述的五氧化二钒光电探测器,其特征是衬底为氧化硅衬底,或玻璃衬底,或陶瓷衬底。

3.根据权利要求1所述的五氧化二钒光电探测器,其特征是电极为金电极,或铂电极,或银电极,或铜电极。

4.根据权利要求1所述的五氧化二钒光电探测器,其特征是五氧化二钒光敏元件的受光面积为0.7~1.3mm×15~25μm。

5.一种权利要求1所述五氧化二钒光电探测器的制备方法,包括水热法,其特征在于主要步骤如下:

步骤1,先使用水热法得到VO2(A)纳米线,再将VO2(A)纳米线和水按照重量比为1:800~1200的比例混合后,超声至少10min,得到VO2(A)纳米线分散液;

步骤2,先按照VO2(A)纳米线分散液和氯仿的重量比为1:≥0.8的比例,将VO2(A)纳米线分散液滴加入氯仿中,待VO2(A)纳米线于氯仿表面自组装成定向有序排列的致密阵列后,使用衬底将其捞起,得到其上覆有VO2(A)纳米线定向有序排列的致密阵列的衬底,再将其上覆有VO2(A)纳米线定向有序排列的致密阵列的衬底置于360~400℃下退火至少150min,得到其上覆有定向有序排列的五氧化二钒纳米线致密阵列的衬底;

步骤3,于定向有序排列的五氧化二钒纳米线致密阵列的两端安装电极,制得五氧化二钒光电探测器。

6.根据权利要求5所述的五氧化二钒光电探测器的制备方法,其特征是水热法得到VO2(A)纳米线的过程为,先将五氧化二钒粉末、草酸和水按照重量比为0.2~0.4:0.4~0.6:50的比例混合后搅拌至少1h,得到前躯体溶液,再将前躯体溶液置于密闭状态,于200~240℃下反应至少50h后,对冷却了的反应液依次进行固液分离、洗涤和干燥的处理。

7.根据权利要求5所述的五氧化二钒光电探测器的制备方法,其特征是将VO2(A)纳米线分散液滴加入氯仿中时为沿容器壁滴加。

8.根据权利要求5所述的五氧化二钒光电探测器的制备方法,其特征是衬底为氧化硅衬底,或玻璃衬底,或陶瓷衬底。

9.根据权利要求5所述的五氧化二钒光电探测器的制备方法,其特征是电极为金电极,或铂电极,或银电极,或铜电极。

10.根据权利要求6所述的五氧化二钒光电探测器的制备方法,其特征是固液分离处理为离心分离,其转速为8000~12000r/min、时间为5~15min,洗涤处理为使用去离子水和乙醇对分离得到的固态物进行2~3次的交替清洗,清洗时分离固态物为离心分离,干燥处理为将清洗后的固态物置于40~80℃下烘10~14h。

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