1.一种增加开态电流的隧穿场效应晶体管，包括源区、漏区、栅氧化层、源电极、栅电极、漏电极、侧墙、本征区，其特征在于：
源区与漏区之间设有低K介质区将两者隔离，本征区位于源区之上，且在本征区与漏区不直接相连，两者之间设有一层导电通道；导电通道位于低K介质区之上；
源区掺杂浓度1×1018cm-3～1×1020cm-3，漏区掺杂浓度1×1018～1×1019cm-3，导电通道掺杂浓度不超过1×1013cm-3；
侧墙设置于栅电极两侧，其介电常数高于SiO2的介电常数；
所述低K介质是指介电常数低于器件有源区介电常数的材料，且为绝缘介质；
源区载流子隧穿到本征区经导电通道输运至漏区。
2.如权利要求1所述增加开态电流的隧穿场效应晶体管，其特征在于：所述导电通道为多晶硅。
3.如权利要求2所述增加开态电流的隧穿场效应晶体管，其特征在于：所述多晶硅的长度不超过0.1um。
4.如权利要求1所述增加开态电流的隧穿场效应晶体管，其特征在于：所述本征区的厚度不超过5nm。
5.如权利要求1所述增加开态电流的隧穿场效应晶体管，其特征在于：所述源区、本征区和漏区的材料为Ge、Ⅲ-Ⅴ、Ⅱ-Ⅵ化合物或Si。
6.如权利要求1所述增加开态电流的隧穿场效应晶体管，其特征在于：所述低K介质区13采用真空或SiO2。
7.如权利要求1所述增加开态电流的隧穿场效应晶体管，其特征在于：对于N型TFET，源区P型重掺杂，漏区N型重掺杂，此外，源电极接低电位，漏电极接高电位，栅电极接正压确保N型TFET处于正常开启的工作状态。
8.如权利要求1所述增加开态电流的隧穿场效应晶体管，其特征在于：对于P型TFET，源区N型重掺杂，漏区P型重掺杂，源电极接高电位，漏电极接低电位，栅电极接负压确保P型TFET处于正常开启的工作状态。
9.如权利要求1所述增加开态电流的隧穿场效应晶体管，其特征在于：所述源区不出现绝缘介质。