技术总结
本发明属于超大规模集成电路领域中逻辑器件与电路领域，具体为一种增加开态电流的隧穿场效应晶体管。本发明通过在源区与漏区之间设置低K介质区将两者隔离，本征区设于源区之上，使本征区与漏区不直接相连，并在两者之间设有一层导电通道，导电通道位于低K介质区之上。本发明的结构减弱了传统的横向TFET的双极性效应。由于低K介质的使用，减少了漏区到本征区的接触，减弱了双极性效应，利于器件的彻底关断。利用低K介质与高K侧墙增大隧穿结区域的电场。采用高介材料的侧墙(钝化层)来增大TFET的开态电流。本发明减弱了TFET的双极性效应，增大了开态电流，且与CMOS工艺兼容，低成本。
技术研发人员：王向展;曹建强;马阳昊;夏琪;李竟春
受保护的技术使用者：电子科技大学
文档号码：201610596124
技术研发日：2016.07.26
技术公布日：2016.12.07