光传感器元件和光电转换装置的制作方法

技术总结
本发明涉及光传感器元件和光电转换装置。两个栅极电极分别隔着绝缘膜设置在氧化物半导体有源层的上侧和下侧。另外，在氧化物半导体有源层的左侧和右侧设有第一读出电极及第二读出电极。在光传感器元件中，在对各栅极电极施加电压的情况下，在第一读出电极与第二读出电极之间产生电位差，并基于流经读出电极之间的电流来检测照射光的强度。

技术研发人员：竹知和重
受保护的技术使用者：NLT科技股份有限公司
文档号码：201610621913
技术研发日：2016.08.01
技术公布日：2017.02.22