技术总结
本发明公开了一种发光二极管与其制作方法，该发光二极管包含第一型半导体层、主动层、第二型半导体层以及至少一个电流控制结构。第一型半导体层具有第一区及第二区。第一区具有第一穿透位错密度。第二区具有第二穿透位错密度。第一穿透位错密度大于第二穿透位错密度。主动层连接于第一型半导体层。第二型半导体层连接于主动层。电流控制结构连接于第一型半导体层及第二型半导体层的其中至少一个。电流控制结构具有至少一个电流注入区域。第二区在电流控制结构的垂直投影与电流注入区域至少部分重叠。因此，主动层对应第二区处，是以较小的穿透位错密度形成，故可改善发光二极管的发光效率。
技术研发人员：陈立宜;张佩瑜;詹志辉;张俊仪;林师勤;李欣薇
受保护的技术使用者：美科米尚技术有限公司
文档号码：201610789116
技术研发日：2016.08.31
技术公布日：2016.11.16