1.一种集成门极可关断晶闸管驱动电路板场效应管排布结构，包括与GTO器件(1)电连接的场效应管S1、场效应管S2(42)和场效应管S3(41)，所述场效应管S1、场效应管S2(42)和场效应管S3(41)集成安装在驱动电路板(2)上，所述GTO器件(1)可拆卸安装在驱动电路板(2)的安装孔内，其特征在于：所述场效应管S3(41)包括多个环形排列在GTO器件(1)外周向上的MOS开关管Ⅲ，所述场效应管S2(42)包括多个环形排列在所述场效应管S3(41)外周向上的MOS开关管Ⅱ，所述场效应管S2(42)排列在外圈，所述场效应管S3(41)排列在内圈。
2.根据权利要求1所述的集成门极可关断晶闸管驱动电路板场效应管排布结构，其特征在于：所述MOS开关管Ⅱ为门极换流MOS开关管，所述MOS开关管Ⅲ为发射极MOS开关管，所述场效应管S2(42)和场效应管S3(41)在空间位置上靠近GTO器件(1)设置。
3.根据权利要求2所述的集成门极可关断晶闸管驱动电路板场效应管排布结构，其特征在于：所述GTO器件(1)包括GTO本体，GTO本体顶部中间为GTO器件(1)的阳极兼做门极可关断晶闸管的阳极，所述GTO本体底部为GTO器件(1)的阴极，所述GTO本体的外周面上设有四个门极接线柱。
4.根据权利要求3所述的集成门极可关断晶闸管驱动电路板场效应管排布结构，其特征在于：所述驱动电路板(2)上设有电极A(31)、电极B(32)、电极C(33)、电极D(34)和电极E(35)，所述电极A(31)、电极B(32)、电极C(33)和电极D(34)环形排列在所述电极E(35)的外周向上，所述电极A(31)、电极B(32)、电极C(33)和电极D(34)为并联连接，所述GTO器件(1)的四个门极引线柱(11)分别与所述电极A(31)、电极B(32)、电极C(33)和电极D(34)的阴极电连接，所述电极A(31)、电极B(32)、电极C(33)和电极D(34)的阳极与所述场效应管S3(41)的漏极电连接。
5.根据权利要求4所述的集成门极可关断晶闸管驱动电路板场效应管排布结构，其特征在于：所述GTO器件(1)的阴极与所述电极E(35)的一端电连接，所述电极E(35)的另外一端与所述场效应管S2(42)的漏极电连接。
6.根据权利要求5所述的集成门极可关断晶闸管驱动电路板场效应管排布结构，其特征在于：所述驱动电路板(2)的背面设有电极F(36)兼做门极可关断晶闸管的阴极，所述电极F(36)分别与所述场效应管S2(42)和场效应管S3(41)的源极电连接。
7.根据权利要求6所述的集成门极可关断晶闸管驱动电路板场效应管排布结构，其特征在于：所述电极E(35)设置在所述安装孔内，所述电极A(31)、电极B(32)、电极C(33)和电极D(34)环形排列在安装孔的外周向上，所述电极A(31)、电极B(32)、电极C(33)和电极D(34)均设有接口槽，所述GTO器件(1)嵌入安装孔内后所述GTO器件(1)的阴极与所述电极E(35)电连接，所述GTO器件(1)的门极接线柱嵌入对应的接口槽内。
8.根据权利要求7所述的集成门极可关断晶闸管驱动电路板场效应管排布结构，其特征在于：所述驱动电路板(2)上设有外部保护罩。