1.一种晶硅电池片，包括晶硅电池片基体、指栅电极、焊接电极、背电极和铝背导电层，所述指栅电极和焊接电极设置在晶硅电池片基体的正面，所述背电极和铝背导电层设置在晶硅电池片基体的背面；其特征在于，所述晶硅电池片基体正面与焊接电极对应的区域的方块电阻值为20Ω/□～60Ω/□，所述铝背导电层厚度比背电极高1μm～3μm，所述指栅电极的厚度比焊接电极高1μm～3μm。
2.根据权利要求1所述的晶硅电池片，其特征在于，所述晶硅电池片基体从正面到背面依次包括SiNx减反射膜、SiO2薄膜、PN结、正面制绒的晶硅片、Al2O3钝化膜和SiNx保护膜。
3.一种晶硅电池片的制备方法，包括以下步骤：
（1）扩散PN结：通过扩散工艺在正面制绒的晶硅片的表面制备PN结，扩散PN结方块电阻值为130Ω/□～150Ω/□；
（2）激光掺杂：对晶硅片的预设焊接电极区域进行激光掺杂、退火，使得所述预设焊接电极区域的方块电阻值为20Ω/□～60Ω/□，所述预设焊接电极区域位于晶硅片的正面；
（3）成膜：去除晶硅片背面的PN结，并在晶硅片的正面依次形成SiO2薄膜和SiNx减反射膜，在晶硅片的背面依次形成Al2O3钝化膜、SiNx保护膜，去除晶硅片背面的预设铝硅接触导电窗口区域的Al2O3钝化膜和SiNx保护膜；
（4）丝网印刷：在晶硅片背面的预设背电极区域印刷背电极银浆并烘干，在晶硅片背面的预设铝背导电层区域印刷铝背导电层铝浆并烘干，在晶硅片正面的预设焊接电极区域印刷焊接电极银浆并烘干，在晶硅片正面的预设指栅电极区域印刷指栅电极银浆并烘干；所述背导电层铝浆厚比背电极银浆厚1μm～3μm，所述指栅电极银浆比焊接电极银浆厚1μm～3μm；
（5）烧结。
4.根据权利要求3所述的晶硅电池片的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中，所述激光掺杂的工艺为：激光波长100～600nm，激光频率为10～150KHZ，激光扫描速率为100～2000mm/s）。
5.根据权利要求4所述的晶硅电池片的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中，所述退火工艺为：退火温度为400℃～650℃，退火时间为300s～3000s。
6.根据权利要求3所述的晶硅电池片的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中，背电极印刷网版膜厚为4μm～6μm，网版目数为300～350，印刷压力10～100N；铝背场网版膜厚为5μm～7μm，网版目数为250～300，网版张力25～35N，印刷压力10～100N。
7.根据权利要求4所述的晶硅电池片的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中，栅电极网版膜厚为12μm～14μm，网版目数为300～350、印刷压力10～100N，焊接区域电极网版膜厚为10μm～12μm，网版目数为300～350、印刷压力10～100N。
8.根据权利要求3～7任一项所述的晶硅电池片的制备方法，其特征在于，所述步骤（5）中，烧结工艺为：烧结温度为350℃～500℃，烧结时间10s～60s。
9.根据权利要求3～7任一项所述的晶硅电池片的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中，扩散工艺为：扩散温度为800℃～850℃，扩散管内压强100mbar～300mbar，扩散时间20min～40min，扩散时间1000s～3000s。
10.根据权利要求3～7任一项所述的晶硅电池片的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中，所述激光掺杂用激光器包括紫外皮秒激光器、紫外纳秒激光器或绿光皮秒激光器。