一种显示用电子器件高导互连电极及其制备方法与流程

本发明涉及微电子集成电路技术领域，特别是涉及显示用电子器件高导互连新型电极及其制备方法。

背景技术：

随着微电子集成电路小型化的发展，对构成微电子基础电路的各个元器件的性能均提出了较高的要求。电子器件之间通过铜材料的薄膜连接实现器件之间的电学导通。

目前，铜材料作为金属互连线，面临的困难主要在于：(1)Cu的化学活性较弱，难以与绝缘衬底发生键合，使电极与衬底的结合强度差。(2)铜污染的问题，由于铜在硅中扩散，形成深能级受主杂质，使氧化硅的介电性严重退化。(3)铜互连表面的氧化和硫化问题，导致互连线的电阻率上升。(4)铜的机械强度低。

为了解决上述问题，现有技术中主要采用以下三种方式进行：(1)在铜薄膜电极和绝缘衬底之间，添加一层其它金属或金属氧化物薄膜，作为过渡层来阻挡铜污染并提高结合强度。这种处理方式，工艺复杂，成本较高，所添加的过渡层与纯铜薄膜的界面处存在晶格失配的问题。(2)铜合金化：使用铜合金代替纯铜作为电极。合金化的技术虽然提高了电极薄膜的结合强度，但合金化导致了材料的电阻率明显上升，使铜材料具有的低电阻率优势被严重削弱，甚至不能达到使用的要求。(3)在铜导电体和电子器件之间插入铜合金籽晶层，用于改善互连结构的抗电迁移性、粘附性等。引入金属籽晶层的技术，虽然能够改善互连结构的抗电迁移性和粘附性，但是由于金属元素会扩散到基底中并影响器件的性能，使用金属籽晶层仍然无法避免扩散阻挡层的存在。采用扩散阻挡层与导电主体层之间添加铜合金籽晶层的方法使互连线的层数增加，结构变得复杂，增加了后期进行刻蚀流程的难度。此外，籽晶层的结构需要掺入某些微量合金元素，导致电阻率高于纯铜电极。而且籽晶层的生长需要十分苛刻的结晶条件，不易控制，不利于大规模低成本化生产。

因此，针对现有技术不足，提供一种结合强度好、导电性能优良、制备工艺简单的显示用电子器件高导互连新型电极的制备方法及其导电电极以克服现有技术不足甚为必要。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种显示用电子器件高导互连电极及其制备方法，该制备方法所制备的铜材料电极与衬底结合强度高、导电性优良、制备简单。

本发明的上述目的通过如下技术手段实现。

一种显示用电子器件高导互连电极的制备方法，包括如下步骤：

(1)在衬底上沉积5-200nm厚度的铜合金薄膜作为粘附阻挡层；

(2)在温度100-500℃的条件下进行退火1h～3h；

(3)在铜合金薄膜上沉积5-1000nm厚度的纯铜薄膜；在温度100-500℃的条件下进行退火1h～3h。

优选的，省略步骤(2)，由步骤(1)直接到步骤(3)。

优选的，省略步骤(2)，由步骤(1)直接到步骤(3)，步骤(3)不进行退火。

优选的，步骤(3)不进行退火。

优选的，所述衬底包括玻璃衬底。

优选的，所述铜合金薄膜中存在多种非籽晶层的晶格结构。

优选的，所述铜合金薄膜的材料成分包括铜和铬，以重量百分比计，Cr占合金总量的比例为0.4-0.6％。

优选的，所述铜合金薄膜的材料成分包括铜和铬，以重量百分比计，Cr占合金总量的比例为0.49-0.52％。

优选的，上述铜合金薄膜的材料成分包括铜和铬，以重量百分比计，Cr占合金总量的比例为0.5％。

优选的，步骤(1)中具体以磁控溅射方法、自溅射方法、离子溅射方法、化学气相沉积方法、蒸发方法或电化学方法在衬底上沉积铜合金薄膜作为粘附阻挡层。

优选的，步骤(3)中以磁控溅射方法、自溅射方法、离子溅射方法、化学气相沉积方法、蒸发方法或电化学方法沉积纯铜薄膜。

优选的，步骤(2)具体是在温度200℃的条件下进行退火。

优选的，步骤(2)具体是在温度400℃的条件下进行退火。

优选的，步骤(3)具体是在温度200℃的条件下进行退火。

优选的，步骤(3)具体是在温度400℃的条件下进行退火。

由上述任一项所述制备方法制得的显示用电子器件高导互连电极。

由于纯铜薄膜不易与玻璃衬底发生较强的相互作用，导致纯铜薄膜在玻璃衬底上的附着强度很差，采用铜合金薄膜作为粘附阻挡层的纯铜电极布线技术，可以使电极的电阻率接近纯铜的同时，又能保证较高的电极结合强度。由Cu-Cr合金的相图可知，Cr元素在Cu中的室温固溶度极小，且不会生成中间化合物。采用过饱和固溶体的Cu-Cr合金靶成膜，通过高温退火处理会有过饱和的Cr排出，导致两相分离，在铜合金薄膜与基板的界面层处自发形成过渡层，可以阻挡Cu向基板的扩散，同时Cr更容易与氧结合形成稳定的氧化物，导致金属薄膜与玻璃衬底的结合强度明显提高。而合金薄膜上层与纯铜薄膜的界面处，因为都是Cu晶格结构，具有完全相同的相结构，所以能够很好的结合，不存在界面处的晶格失配问题，从而使电极薄膜具备良好的导电能力和附着强度。

对铜合金薄膜衬底退火处理后再沉积纯铜薄膜，由于铜合金薄膜经退火处理在玻璃衬底界面处和上表面都形成了氧化物，再沉积纯铜薄膜后，经退火处理纯铜与金属氧化物薄膜可以发生很好的键合，使结合强度明显增加。

对铜合金薄膜不进行退火处理而直接溅射纯铜导电主体，由于Cr几乎都排到玻璃衬底界面处形成稳定氧化物，合金层上表面成分接近纯铜而发生紧密键合，可以使纯铜薄膜高强度附着在玻璃衬底上。最终所制备的导电电极的整体结合强度良好。

与现有技术在铜薄膜电极和绝缘衬底之间，添加一层其它金属或金属氧化物薄膜，作为过渡层来阻挡铜污染并提高结合强度相比。本发明采用铜合金薄膜作为纯铜电极的粘附阻挡层，铜合金薄膜提高了纯铜电极与衬底的结合强度的同时，又保证了电极的低电阻率，两薄膜的界面处，铜的相结构相同，不存在晶格失配问题。铜合金薄膜仅是作为衬底与纯铜薄膜的粘附阻挡层，导电主体仍为纯铜层，不会明显提高电极的电阻率，但保证了纯铜电极的结合强度，并阻止Cu扩散。铜合金薄膜可以自发在基板与导电主体层界面处形成扩散阻挡层。铜合金层为非籽晶层，不需要考虑晶体生长方向等条件，使制备工艺明显简化成本大大降低。本发明的导电主体仍然是使用纯铜材料，更能凸显铜材料高导布线的电学性能优势。

与现有技术相比，本发明具有如下优点和有益效果：

本发明制备的导电电极具有结合强度高、电阻率低特点，同时本发明制备工艺简单。

附图说明

图1为本发明所用的Cu-Cr合金的相图；

图2是本发明制备的导电电极的结构示意图；

图3是实施例1中沉积的Cu-Cr合金薄膜的XRD分析图谱。

具体实施方式

结合以下实施例对本发明作进一步描述，但本发明不限于以下实施例。

图1为本发明所用的Cu-Cr合金的相图，由Cu-Cr合金的相图可知，Cr元素在Cu中的室温固溶度极小，且不会生成中间化合物。

本发明制备的显示用电子器件高导互连新型电极的结构示意图如图2所示，如图所示为在衬底上依次沉积了铜合金薄膜和纯铜薄膜。

实施例1

一种显示用电子器件高导互连电极的制备方法，通过如下步骤进行：

(1)在衬底上以磁控溅射方法沉积5nm厚度的铜合金薄膜作为粘附阻挡层；铜合金薄膜的材料成分包括铜和铬，以重量百分比计，Cr占合金总量的比例为0.4％；

沉积的Cu-Cr合金薄膜的XRD分析图谱如图3所示，由图3可知，铜合金薄膜中存在多种非籽晶层晶相结构；

(2)在温度100℃的条件下进行退火3h；

(3)在退火处理后，再在铜合金薄膜上以磁控溅射方法沉积5nm厚度的纯铜薄膜，并在温度100℃的条件下进行退火3h。

所制备的导电电极结构示意图如图2所示。

实施例2

一种显示用电子器件高导互连电极的制备方法，通过如下步骤进行：

(1)在衬底上以磁控溅射方法沉积200nm厚度的铜合金薄膜作为粘附阻挡层；所沉积的铜合金薄膜的材料成分包括铜和铬，以重量百分比计，Cr占合金总量的比例为0.6％；

所沉积的铜合金薄膜中存在多种非籽晶层的晶格结构，参见图3；

(2)再在铜合金薄膜上以磁控溅射方法沉积1000nm厚度的纯铜薄膜。

所制备的导电电极结构如图2所示。

实施例3

一种显示用电子器件高导互连电极的制备方法，通过如下步骤进行：

(1)在衬底上以磁控溅射方法沉积5nm厚度的铜合金薄膜作为粘附阻挡层；铜合金薄膜的材料成分包括铜和铬，以重量百分比计，Cr占合金总量的比例为0.4％；

沉积的铜合金薄膜中存在多种非籽晶层的晶格结构，参见图3；

(2)在温度500℃的条件下进行退火1h；

(3)在退火处理后，再在铜合金薄膜上以磁控溅射方法沉积5nm厚度的纯铜薄膜。

所制备的导电电极结构如图2所示。

实施例4

一种显示用电子器件高导互连电极的制备方法，通过如下步骤进行：

(1)在衬底上以磁控溅射方法沉积200nm厚度的铜合金薄膜作为粘附阻挡层；其中，铜合金薄膜的材料成分包括铜和铬，以重量百分比计，Cr占合金总量的比例为0.6％；

沉积的铜合金薄膜中存在多种非籽晶层的晶格结构，参见图3；

(2)在铜合金薄膜上以磁控溅射方法沉积1000nm厚度的纯铜薄膜，并在温度500℃的条件下进行退火1h。

所制备的导电电极结构如图2所示。

依照ASTM D3359描述的胶带法评估薄膜的粘附性。粘附性测试的具体过程如下：首先，用刀片在薄膜上划出10×10个边长为1mm的方格；然后，将压敏胶带覆盖在方格上，停留1min后将其撕下；最后，观察膜层的脱落状况；用测试后膜层的脱落率来评价薄膜的粘附性。

实施例1～4制备电极工艺和得到的电极测试效果如表1所示。

表1实施例1～4制备工艺和得到的电极的测试效果

由表1可知，制得的导电电极，具有导电电极与基板结合强度高、电极电阻率低的特点。

实施例5

一种显示用电子器件高导互连电极的制备方法，与实施例1至4相同，不同之处在于：铜合金薄膜的材料成分中，以重量百分比计，Cr占合金总量的比例为0.52％。制备电极工艺和得到的电极测试效果如表2所示。

表2实施例5制备工艺和得到的电极的测试效果

由表2可知，制得的导电电极，具有导电电极与基板结合强度高、电极电阻率低的特点。

实施例6

一种显示用电子器件高导互连电极的制备方法，与实施例1至4相同，不同之处在于：铜合金薄膜的材料成分中，以重量百分比计，Cr占合金总量的比例为0.5％。制备电极工艺和得到的电极测试效果如表3所示。

表3实施例6制备工艺和得到的电极的测试效果

由表3可知，该比例的合金成分，通过本发明的制备方法所制备的导电电极的结合强度、电极导电率性能较其它比例性能更加优良。

实施例7

一种显示用电子器件高导互连电极的制备方法，与实施例1相同，不同之处在于：步骤(2)具体是在温度400℃的条件下进行退火，步骤(3)具体是在温度400℃的条件下进行退火。

表4实施例7制备工艺和得到的电极的测试效果

由表4可知，该退火温度点所制备的导电电极性能较其它退火温度下的性能优良，具有电导率低、电极粘附性强的特点。

实施例8

通过本发明的一种显示用电子器件高导互连新型电极的制备方法制备如下样品，进行性能测试。

采用干净的无碱玻璃基板，玻璃基板的尺寸为1cm×1cm。

以下所涉及的成膜方式均采用磁控溅射方法沉积，磁控溅射方法沉积成膜条件如表5所示。

溅射所采用的靶材为：Cr占合金总量的比例为0.5％的铜铬合金靶材(简称Cu-0.5wt％Cr合金靶材)、纯铜靶材。

表5磁控溅射方法成膜条件

依照ASTM D3359描述的胶带法评估薄膜的粘附性。粘附性测试的具体过程如下：首先，用刀片在薄膜上划出10×10个边长为1mm的方格；然后，将压敏胶带覆盖在方格上，停留1min后将其撕下；最后,观察膜层的脱落状况；用测试后膜层的脱落率来评价薄膜的粘附性。

电极样品的制备工艺及性能测试结果如表6所示。

表6样品制备工艺及性能测试结果

根据测试结果，将A1-A8样品与B1样品对比，可以看出，在铜合金上沉积纯铜的方法可以有效降低电极的电阻率。将A3、A6、A7和A8样品与B2样品对比，可以看出，在保证接近纯铜电极的电阻率的同时，本发明可以明显提高薄膜与基板的结合强度，这说明铜合金薄膜界面层达到了增强结合强度的目的。

最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。