1.一种晶片真空自动传输系统，其特征在于：包括真空物料室(1)、真空传输室(2)、真空反应室(3)及机械手(4)，真空物料室(1)与真空传输室(2)连通，真空传输室(2)与真空反应室(3)之间设有隔离阀(8)，所述真空物料室(1)内设有上料片盒(11)和下料片盒(12)，所述机械手(4)的机械手指(41)位于所述真空传输室(2)内，所述真空反应室(3)内设有工件台(31)，所述工件台(31)上设有基片盘(32)，所述上料片盒(11)和下料片盒(12)分别配设有升降驱动组件(5)，所述基片盘(32)配设有顶片组件(9)。
2.根据权利要求1所述的晶片真空自动传输系统，其特征在于：所述基片盘(32)设有多个，多个基片盘(32)沿圆周方向均匀布置，所述工件台(31)配设旋转驱动组件(6)，工件台(31)转动时通过行星齿轮副带动基片盘(32)作行星运动。
3.根据权利要求1所述的晶片真空自动传输系统，其特征在于：所述机械手(4)包括伸缩轴和旋转轴且不带升降轴。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的晶片真空自动传输系统，其特征在于：还包括PLC控制组件(7)，所述PLC控制组件(7)包括第一传感器(71)及与第一传感器(71)联接的PLC(72)，所述第一传感器(71)安装于所述真空物料室(1)上，当上料片盒(11)升降时，第一传感器(71)检测到晶片则发射一个脉冲信号至PLC(72)，PLC(72)计算并记录晶片的数量和位置，所述机械手(4)、升降驱动组件(5)、顶片组件和旋转驱动组件(6)与所述PLC(72)联接。
5.根据权利要求4所述的晶片真空自动传输系统，其特征在于：所述PLC控制组件(7)还包括用于检测机械手指(41)上是否具有晶片的第二传感器(73)，第二传感器(73)与所述PLC(72)联接，所述真空传输室(2)上设有观察窗口，所述第二传感器(73)安装于所述观察窗口处。
6.根据权利要求4所述的晶片真空自动传输系统，其特征在于：所述隔离阀(8)为压差阀，且真空反应室(3)真空值低于真空传输室(2)时隔离阀(8)关闭，所述隔离阀(8)与所述PLC(72)联接，真空反应室(3)内进行工艺过程时，真空反应室(3)与真空传输室(2)之间的压差为定值。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的晶片真空自动传输系统，其特征在于：所述升降驱动组件(5)包括升降伺服电机(51)、联轴器(52)、滚珠丝杆(53)、滑块(54)、支撑杆(55)、承载台(56)及波纹管，所述升降伺服电机(51)通过所述联轴器(52)与所述滚珠丝杆(53)下端连接，滑块(54)滑设于所述滚珠丝杆(53)上端，所述支撑杆(55)下端与所述滑块(54)固定连接，上端与所述承载台(56)固定连接，所述波纹管设于所述真空物料室(1)与所述滚珠丝杆(53)之间，所述上料片盒(11)和所述下料片盒(12)设于对应的承载台(56)上。
8.根据权利要求2或3所述的晶片真空自动传输系统，其特征在于：所述旋转驱动组件(6)包括旋转伺服电机(61)、减速机(62)、工件台支撑轴(63)及用于工件台(31)定位原点的定位销(64)，所述旋转伺服电机(61)的输出端与所述减速机(62)的输入端连接，减速机(62)的输出端与所述工件台支撑轴(63)下端固定连接，所述工件台支撑轴(63)上端与所述工件台(31)固定连接，所述定位销(64)与所述工件台支撑轴(63)中部固定连接。
9.一种基于权利要求1至8中任一项所述的晶片真空自动传输系统的传输方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1：取片：机械手指(41)伸入上料片盒(11)下方，上料片盒(11)下降一层的距离，机械手指(41)将上料片盒(11)当前最下层的晶片托起；
S2：装片：打开隔离阀(8)，机械手指(41)经过真空传输室(2)和隔离阀(8)运动至基片盘(32)上方，顶片组件上升将机械手指(41)上的晶片顶起，然后机械手指(41)退回至真空传输室(2)，顶片组件下降，晶片落入基片盘(32)内，关闭隔离阀(8)；
S3：卸片：真空反应室(3)内的工艺过程结束之后，顶片组件上升将基片盘(32)内的晶片顶起，打开隔离阀(8)，然后机械手指(41)伸入晶片下方，顶片组件下降，机械手指(41)将晶片托起；
S4：放片：机械手指(41)将晶片传输至下料片盒(12)当前最上层内，然后下料片盒(12)上升一层的距离。
10.一种基于权利要求2至8中任一项所述的晶片真空自动传输系统的传输方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1：取片及装片：
S1.1首片晶片取片及装片：
取片：机械手指(41)伸入上料片盒(11)下方，上料片盒(11)下降一层的距离，机械手指(41)将上料片盒(11)当前最下层的晶片托起；
装片：打开隔离阀(8)，机械手指(41)经过真空传输室(2)和隔离阀(8)运动至原点位置，将某一基片盘(32)定位至机械手指(41)下方，该基片盘(32)的顶片组件上升将机械手指(41)上的晶片顶起，然后机械手指(41)退回至真空传输室(2)，顶片组件下降，晶片落入基片盘(32)内；
S1.2后续晶片取片及装片：
取片：保持隔离阀(8)处于打开状态，机械手指(41)再次伸入上料片盒(11)下方取当前最下层的晶片并返回至原点位置；
装片：工件台(31)转动一定角度，第二个基片盘(32)转动至原点位置，完成第二个基片盘(32)装片；
工件台(31)沿同一方向转动360°后完成所有基片盘(32)的装片，然后机械手指(41)退回至真空传输室(2)，关闭隔离阀(8)；
S2：卸片及放片：
S2.1首片晶片卸片及放片：
卸片：真空反应室(3)内的工艺过程结束之后，将某一基片盘(32)定位至原点位置，然后该基片盘(32)的顶片组件上升将基片盘(32)内的晶片顶起，打开隔离阀(8)，然后机械手指(41)伸入晶片下方，顶片组件下降，机械手指(41)将晶片托起；
放片：机械手指(41)将晶片传输至下料片盒(12)当前最上层内，然后下料片盒(12)上升一层的距离；
S2.2：后续晶片卸片及放片：
卸片：保持隔离阀(8)处于打开状态，工件台(31)转动一定角度，第二个基片盘(32)转动至原点位置，机械手指(41)再次伸入晶片下方，完成第二个基片盘(32)卸片；
放片：机械手指(41)将晶片传输至下料片盒(12)当前最上层内，然后下料片盒(12)上升一层的距离；
工件台(31)沿同一方向转动360°后完成所有基片盘(32)的卸片，然后机械手指(41)退回至真空传输室(2)，关闭隔离阀(8)。