1.一种监测注入硅片温度的方法，其特征在于，该方法通过在具有多晶硅层的硅片上测量电阻来实现。
2.如权利要求1所述的监测注入硅片温度的方法，其特征在于，所述多晶硅层的厚度为3000埃。
3.如权利要求1所述的监测注入硅片温度的方法，其特征在于，该方法具体包括如下步骤：
步骤一，制作多晶硅监测片；
步骤二，在多晶硅监测片上贴温度检知片；
步骤三，多晶硅离子注入；
步骤四，电阻测量及分析；
步骤五，用药液刻蚀剥离注入后的多晶硅层并进行重新生长。
4.如权利要求3所述的监测注入硅片温度的方法，其特征在于，所述步骤一中制作多晶硅监测片的具体方法为，在硅衬底上淀积一层氧化硅，再生长一层3000埃的多晶硅层。
5.如权利要求4所述的监测注入硅片温度的方法，其特征在于，所述淀积多晶硅的方法为化学气相沉积法。
6.如权利要求3所述的监测注入硅片温度的方法，其特征在于，所述步骤二中温度贴片的收集温度范围在注入工艺常规温度范围为:20℃～60℃。
7.如权利要求3所述的监测注入硅片温度的方法，其特征在于，所述步骤三中，根据所监控产品工艺条件选择注入，然后将以上贴有不同范围温度检知贴片的多晶硅监测硅片依次传送至机台中，并逐个进行注入。
8.如权利要求6所述的监测注入硅片温度的方法，其特征在于，所述监控产品工艺条件为，所述离子注入的能量参数被设置在30KeV。
9.如权利要求8所述的监测注入硅片温度的方法，其特征在于，所述监控产品工艺条件为，离子注入的剂量为1E15/cm2。
10.如权利要求9所述的监测注入硅片温度的方法，其特征在于，所注入的离子为1价硼离子，所要求的离子束电流为5MA。
11.如权利要求1-10中之一所述的监测注入硅片温度的方法，其特征在于，所述步骤四具体为，收集以上注入完的若干枚多晶硅片，统一进行退火并测量方块电阻，记录数值并建立与对应实测温度的关联。
12.如权利要求1-10中之一所述的监测注入硅片温度的方法，其特征在于，所述多晶硅监测片采用药液刻蚀去掉注入后的多晶硅层厚重新成长循环使用。