技术总结
本发明公开了一种监测注入硅片温度的方法，该方法通过在具有多晶硅层的硅片上测量电阻来实现。由于,多晶硅注入对温度十分敏感，而离子在多晶硅上的沟道效应远小于单晶硅，注入中非晶态现象更加明显，其对离子撞击后产生的热量更加敏感，可直接反映在多晶硅电阻值上，本发明利用这一点，可建立多晶硅电阻值对应注入中温度的关联，从而通过电阻值来监测实际注入温度。因此，本发明的监测注入硅片温度的方法通过在具有多晶硅层的硅片上测量电阻来实现。
技术研发人员：郑刚;陈立鸣
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
文档号码：201610929272
技术研发日：2016.10.31
技术公布日：2017.05.10