技术总结
本发明公开了一种采用电解抛光工艺制作GaN HEMT背面通孔的方法，该方法采用MOCVD得到Si衬底AlGaN/GaN异质结实验片；通过台面隔离、正面电极、欧姆接触等，完成GaN HEMT正面工艺；接着对GaN HEMT正面工艺进行涂胶保护；采用化学腐蚀的方式减薄Si衬底背面，并通过电解抛光方式得到较光滑的背面；进行背面光刻并利用金属Ni做刻蚀阻挡层；采用RIE‑ICP刻蚀形成背面通孔；再次采用电解抛光处理被刻蚀表面，最后得到一个光滑的通孔内壁，完成背面通孔制作。通过本发明不仅可以减少抛光时的成本，而且操作简单，容易获得较平滑的刻蚀表面。
技术研发人员：刘振奇;张杨;毛明明;李煜炜;崔敬峰
受保护的技术使用者：中山德华芯片技术有限公司
文档号码：201611006441
技术研发日：2016.11.16
技术公布日：2017.02.22