1.一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括：
基底；
发光结构，布置在基底上，发光结构包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及设置在第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的有源层；以及
交替层压底部结构，基底布置在交替层压底部结构上，交替层压底部结构包括多个电介质对，每个电介质对包括包含第一折射率的第一材料层和包含第二折射率的第二材料层，第一折射率比第二折射率大，所述多个电介质对包括：
多个第一电介质对，每个第一电介质对包括第一材料层和第二材料层，第一材料层和第二材料层的光学厚度均小于λ/4；
至少两个第二电介质对，每个第二电介质对包括第一材料层和第二材料层，第一材料层和第二材料层中的一个材料层的光学厚度小于λ/4，另一个材料层的光学厚度大于λ/4；以及
多个第三电介质对，每个第三电介质对包括第一材料层和第二材料层，第一材料层和第二材料层的光学厚度均大于λ/4，
其中，λ是可见光范围的中心波长。
2.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其中，所有第一电介质对比第三电介质对中的任意电介质靠近或远离基底。
3.如权利要求2所述的发光二极管芯片，其中，所述至少两个第二电介质对将所述多个第一电介质对与所述多个第三电介质对分开。
4.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其中，所述多个第一电介质对的至少一半布置成比所述至少两个第二电介质对靠近基底，所述多个第三电介质对的至少一半定位成比所述至少两个第二电介质对远离基底。
5.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其中，所述多个第一电介质对的至少80％定位成比所述至少两个第二电介质对靠近基底，所述多个第三电介质对的至少80％定位成比所述至少两个第二电介质对远离基底。
6.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其中，所述多个第一电介质对布置成比所述多个第三电介质对靠近基底。
7.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其中，所述多个第三电介质对的至少一半布置成比所述至少两个第二电介质对靠近基底，所述多个第一电介质对的至少一半布置成比所述至少两个第二电介质对远离基底。
8.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其中，所述多个第一电介质对定位成比所述多个第三电介质对远离基底。
9.如权利要求1所述的发光二极管芯片，所述发光二极管芯片还包括：
交替层压顶部结构，布置在发光结构上，交替层压顶部结构透射在有源层中产生的光，并反射可见光光谱的至少部分区域内的光，被反射的光的波长比有源区域中产生的光的波长长。
10.如权利要求9所述的发光二极管芯片，其中，顶部结构对于在有源层中产生的光的透射率为至少90％。