技术总结
本发明公开了一种单行载流子光电探测器及其制作方法，该探测器包括衬底、外延层和电极，所述外延层包括吸收层，该吸收层采用In1‑x‑yGaxAlyAs材料生长，其中0<y<1，0<1‑x‑y<1，组分参数x、y呈线性或梯度变化，使得吸收层内的禁带宽度实现线性或梯度变化。本发明提出一种新吸收区结构，对吸收区组分采用线性或梯度掺杂，形成内建电场，加速电子的传导，从而缩短了电子在吸收区的渡越时间，保证了单行载流子光电探测器的频率响应。采用本发明旨在进一步提升器件的响应度和带宽，对发展超宽带光纤通信及太赫兹无线通信系统具有重大意义。
技术研发人员：王梦雪;杨文献;石向阳;代盼;谭明;吴渊渊;肖梦;袁正兵;史后明;黄寓洋;陆书龙
受保护的技术使用者：苏州苏纳光电有限公司
文档号码：201611037671
技术研发日：2016.11.23
技术公布日：2017.02.22