1.一种高深宽比图形结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S01：提供一半导体衬底，在所述衬底上依次形成介质膜去胶停止层、有机物涂覆层、第一硬掩模层、光刻胶层；
步骤S02：图形化光刻胶层，并刻蚀打开第一硬掩模层，停止在有机物涂覆层；
步骤S03：在得到的图形结构表面和侧壁形成一层与有机物涂覆层具有高刻蚀选择比的第二硬掩模层；
步骤S04：采用各向异性刻蚀去除图形结构表面和底部的第二硬掩模层，保留侧壁处的第二硬掩模层；
步骤S05：采用各向异性刻蚀有机物涂覆层，使得到的图形结构顶部和底部分别停止在第一硬掩模层和介质膜去胶停止层上，形成高深宽比光刻胶形貌；
步骤S06：去除图形结构顶部的第一、第二硬掩模层。
2.根据权利要求1所述的高深宽比图形结构的形成方法，其特征在于，所述有机物涂覆层为SOC或者APF。
3.根据权利要求1所述的高深宽比图形结构的形成方法，其特征在于，步骤S01中，采用低温化学气相沉积或者是旋转喷涂的工艺沉积形成第一硬掩模层。
4.根据权利要求1所述的高深宽比图形结构的形成方法，其特征在于，步骤S02中，选择CF系等离子刻蚀工艺刻蚀打开第一硬掩模层，并通过调整条件中的C/F比调节第一硬掩模层形貌，以调节最终的关键尺寸。
5.根据权利要求1所述的高深宽比图形结构的形成方法，其特征在于，步骤S03中，采用原位等离子体工艺或者是单独的薄膜沉积工艺形成第二硬掩模层。
6.根据权利要求1或5所述的高深宽比图形结构的形成方法，其特征在于，所述第二硬掩模层为氧化硅、氮化硅、高分子聚合物或者金属络合物。
7.根据权利要求5所述的高深宽比图形结构的形成方法，其特征在于，进行原位等离子体工艺沉积形成第二硬掩模层时，采用的反应气体为四氯化硅和氧气的混合气体。
8.根据权利要求1所述的高深宽比图形结构的形成方法，其特征在于，步骤S03中，先通过各向异性等离子刻蚀工艺调整得到的图形结构侧壁的高度，并在此过程中将光刻胶层完全消耗去除，然后再形成第二硬掩模层，反应气体包括氧气或者二氧化硫。
9.根据权利要求1所述的高深宽比图形结构的形成方法，其特征在于，步骤S05中，采用等离子刻蚀工艺刻蚀有机物涂覆层，反应气体包括氧气或者二氧化硫。
10.根据权利要求1所述的高深宽比图形结构的形成方法，其特征在于，步骤S06中，采用各向同性等离子刻蚀工艺去除图形结构顶部的第一、第二硬掩模层，反应气体包括六氟化硫或者三氟化氮。