技术总结
本发明公开了一种高深宽比图形结构的形成方法，通过在衬底上依次形成介质膜去胶停止层、有机物涂覆层、第一硬掩模层以及光刻胶层，并在打开第一硬掩模层后，使用低温沉积工艺，在得到的图形结构表面和侧壁形成一层与有机物涂覆层具有高刻蚀选择比的第二硬掩模层，使得在后续刻蚀有机物涂覆层并形成高深宽比光刻胶形貌时，可利用第二硬掩模层对图形顶部侧壁形成保护，因此可避免在高深宽比光刻胶刻蚀时由于等离子轰击造成的锥形或保龄球形形貌的产生，从而可改善选择比不够、图形边缘毛刺和关键尺寸变大的问题，并可使后续注入的离子能够按照器件设计的浓度进行分布。
技术研发人员：刘鹏;冯奇艳;任昱;朱骏;吕煜坤;张旭升
受保护的技术使用者：上海华力微电子有限公司
文档号码：201611048184
技术研发日：2016.11.22
技术公布日：2017.06.16