技术特征：
技术总结
本发明的实施例涉及用于形成PN结的方法以及相关联的半导体器件。一种方法可用于制作半导体器件。多个突起区域形成在具有第一导电类型的第一半导体层上方。第一半导体层位于覆盖半导体衬底的绝缘层上。突起区域相互隔开。将突起区域用作注入掩模，具有第二导电类型的掺杂剂被注入第一半导体层中，以形成PN结的序列，PN结的序列在第一半导体层中形成二极管。二极管从第一半导体层的上表面垂直地延伸到绝缘层。
技术研发人员：F·拉罗萨;S·尼埃尔;A·雷尼耶
受保护的技术使用者：意法半导体(鲁塞)公司
技术研发日：2016.11.25
技术公布日：2017.12.08