技术总结
本发明公开了一种绝缘体上半导体结构以及制备方法。该方法包括：(1)在基底的上表面依次形成磷化物过渡层和磷化物半导体层，以便获得第一复合体；(2)对所述第一复合体进行离子注入处理，所述注入的离子中含氢离子；(3)将所述第一复合体与衬底进行键合处理，以便获得第二复合体，其中，所述衬底的上表面具有绝缘层，并且所述键合处理中所述绝缘层与所述磷化物半导体层接触；以及(4)对所述第二复合体进行剥离处理，以便分别获得第三复合体和所述缘层上半导体结构。该方法操作步骤简单，对仪器设备要求较低，并且可以避免利用磷化物晶片进行制备时，由于晶片尺寸过小而对绝缘体上半导体结构造成的限制。
技术研发人员：王敬;孙川川;梁仁荣;许军
受保护的技术使用者：清华大学
文档号码：201611059628
技术研发日：2016.11.24
技术公布日：2017.02.22