1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括沿第一方向依次排列的至少两个区域和驱动单元，所述驱动单元位于所述阵列基板的第一侧，所述阵列基板还包括与所述第一侧相对设置的第二侧，所述第一方向从所述第一侧指向所述第二侧；
每个所述区域包括多个像素，每个所述像素包括至少三种子像素微腔，所述子像素微腔包括第一电极、第一膜层、第二膜层、有机发光层、第三膜层、第四膜层和第二电极；
其中，同一种所述子像素微腔的所述有机发光层的发光颜色相同；
不同区域内同一种所述子像素微腔的所述第一膜层在垂直于所述阵列基板方向上的厚度不同；
和/或，不同区域内同一种所述子像素微腔的所述第二膜层在垂直于所述阵列基板方向上的厚度不同；
和/或，不同区域内同一种所述子像素微腔的所述第二膜层的离子掺杂浓度不同。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，每个所述像素的三种子像素微腔的第一膜层或第二膜层的厚度互不相同。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在所述第一方向上，不同区域内同一种所述子像素微腔的所述第一膜层在垂直于所述阵列基板方向上的厚度依次增大。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在所述第一方向上，不同区域内的所述第二膜层在垂直于所述阵列基板方向上的厚度依次增大。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在所述第一方向上，不同区域内的所述第二膜层的离子掺杂浓度逐渐减小。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，不同区域内的所述第三膜层的离子掺杂浓度不同。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，在所述第一方向上，不同区域内的所述第三膜层的离子掺杂浓度逐渐减小。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一膜层是空穴传输层，所述第二膜层是空穴注入层，所述第三膜层是电子注入层，所述第四膜层是电子传输层。
9.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板包括沿第一方向依次排列的至少两个区域，每个所述区域包括多个像素，每个所述像素包括至少三种子像素微腔，所述制作方法包括：
提供第一基板；
在所述第一基板表面依次形成第一电极、第一膜层、第二膜层、有机发光层、第三膜层、第四膜层和第二电极，以形成所述子像素微腔；
其中，不同区域内同一种所述子像素微腔的所述第一膜层在垂直于所述阵列基板方向上的厚度不同；
和/或，不同区域内同一种所述子像素微腔的所述第二膜层在垂直于所述阵列基板方向上的厚度和/或离子掺杂浓度不同。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，不同区域内同一种子像素微腔的所述第一膜层在垂直于所述阵列基板方向上的厚度不同，且所述至少两个区域包括第一区域和第二区域，则形成所述第一膜层的过程包括：
采用掩膜板覆盖所述第一基板，并暴露出所述第一区域；
在所述第一区域内的所述第一电极表面形成所述子像素微腔的具有第一厚度的第一膜层；
采用掩膜板覆盖所述第一基板，并暴露出所述第二区域；
在所述第二区域内的所述第一电极表面形成同一种所述子像素微腔的具有第二厚度的第一膜层，其中，所述第二厚度与所述第一厚度不同。
11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，不同区域内的所述第二膜层在垂直于所述阵列基板方向上的厚度和/或离子掺杂浓度不同，且所述至少两个区域包括第一区域和第二区域，则形成所述第二膜层的过程包括：
采用掩膜板覆盖所述第一基板，并暴露出第一区域；
在所述第一区域内的所述第一膜层表面形成所述子像素微腔的具有第三厚度和/或具有第一离子掺杂浓度的第二膜层；
采用掩膜板覆盖所述第一基板，并暴露出所述第二区域；
在所述第二区域内的所述第一膜层表面形成同一种所述子像素微腔的具有第四厚度和/或具有第二离子掺杂浓度第二膜层；
其中，所述第四厚度与所述第三厚度不同，所述第二离子掺杂浓度与所述第一离子掺杂浓度不同。
12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，不同区域内的第三膜层的离子掺杂浓度不同，且所述至少两个区域包括第一区域和第二区域，则形成所述第三膜层的过程包括：
采用掩膜板覆盖所述第一基板，并暴露出所述第一区域；
在所述第一区域内的所述有机发光层表面形成所述子像素微腔的具有第三离子掺杂浓度的第三膜层；
采用掩膜板覆盖所述第一基板，并暴露出所述第二区域；
在所述第二区域内的所述有机发光层表面形成同一种所述子像素微腔的具有第四离子掺杂浓度的第一膜层，其中，所述第四离子掺杂浓度与所述第三离子掺杂浓度不同。
13.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至8任一项所述的阵列基板。