技术总结
本发明公开了一种发光二极管的芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述芯片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在蓝宝石衬底上的N型GaN层、发光层、P型GaN层、透明导电薄膜，N型焊盘设置在N型GaN层上，P型焊盘设置在P型GaN层上，P型电极线设置在透明导电薄膜上且自P型焊盘向外延伸，P型电极线、透明导电薄膜和N型GaN层上均设有钝化层，N型焊盘和P型焊盘均由第一材料层组成，P型电极线由第一材料层和第二材料层组成，第一材料层包括Cr层、Al层、Ti层、Au层、Pt层、Ni层中的一种或多种，第二材料层为NiPt层、Ni层和Pt层交替层叠形成的超晶格层或者TiW层。本发明可以避免Al层产生电迁移现象。
技术研发人员：尹灵峰;王江波
受保护的技术使用者：华灿光电（浙江）有限公司
文档号码：201611117179
技术研发日：2016.12.07
技术公布日：2017.05.17