1.一种圆片级制备硅纳米线阵列场效应管的方法，其特征在于，所述制备方法包括：
S1：提供一(111)型SOI硅片，所述(111)型SOI硅片包括底层硅、氧化层及顶层硅；
S2：在所述顶层硅表面形成氮化硅掩膜层，并通过光刻工艺在所述氮化硅掩膜层中形成倾斜的矩形窗口阵列；
S3：通过所述矩形窗口阵列对所述顶层硅进行干法刻蚀，暴露出所述氧化层，形成凹槽阵列；
S4：通过所述凹槽阵列对所述顶层硅进行各向异性腐蚀，形成六边形腐蚀槽阵列，且相邻两个六边形腐蚀槽之间形成预设宽度的硅薄壁；
S5：基于自限制热氧化工艺对所述(111)型SOI硅片进行氧化，在硅薄壁阵列的顶部形成硅纳米线阵列；
S6：以所述硅纳米线阵列中每条硅纳米线表面的氮化硅掩膜层作为栅介质层，在所述栅介质层表面制作栅极；
S7：在所述硅纳米线阵列两端的氮化硅掩膜层中形成第一、第二窗口，然后分别在第一、第二窗口中制作源极和漏极，且所述源极和漏极之间设置有至少一条隔离沟道，其中，所述隔离沟道暴露出所述氧化层；
S8：去除被氧化的硅薄壁阵列，释放出所述硅纳米线阵列。
2.根据权利要求1所述的圆片级制备硅纳米线阵列场效应管的方法，其特征在于，S1中所述顶层硅的厚度为小于等于30um。
3.根据权利要求1所述的圆片级制备硅纳米线阵列场效应管的方法，其特征在于，S2中通过化学气相沉积法形成所述氮化硅掩膜层。
4.根据权利要求1所述的圆片级制备硅纳米线阵列场效应管的方法，其特征在于，S3中所述干法刻蚀为反应离子刻蚀。
5.根据权利要求1所述的圆片级制备硅纳米线阵列场效应管的方法，其特征在于，S4中所述硅薄壁的宽度为320～380nm。
6.根据权利要求1所述的圆片级制备硅纳米线阵列场效应管的方法，其特征在于，S4中所述硅薄壁与所述氧化层的夹角为70.5°。
7.根据权利要求1所述的圆片级制备硅纳米线阵列场效应管的方法，其特征在于，S4中采用KOH溶液对所述顶层硅进行各向异性腐蚀。
8.根据权利要求1所述的圆片级制备硅纳米线阵列场效应管的方法，其特征在于，所述硅纳米线阵列中任一硅纳米线的宽度为70～110nm。
9.根据权利要求1所述的圆片级制备硅纳米线阵列场效应管的方法，其特征在于，所述硅纳米线阵列为叉指结构，且所述栅极为叉指结构。
10.一种硅纳米线阵列场效应管，其特征在于，所述硅纳米线阵列场效应管包括：
一(111)型SOI硅片，所述(111)型SOI硅片包括底层硅、氧化层及顶层硅；
位于所述顶层硅上表面及氧化层上方的氮化硅掩膜层，其中，所述氮化硅掩膜层表面形成有暴露所述氧化层的六边形腐蚀槽阵列；
位于所述氮化硅掩膜层下表面的硅纳米线阵列；
位于所述氮化硅掩膜层上表面且与所述硅纳米线阵列位置对应的栅极；以及
位于所述氮化硅掩膜层上表面的源极和漏极，其中，所述源极和漏极之间设置有至少一条暴露所述氧化层的隔离沟道。
11.根据权利要求10所述的硅纳米线阵列场效应管，其特征在于，所述顶层硅的厚度为小于等于30um。
12.根据权利要求10所述的硅纳米线阵列场效应管，其特征在于，所述硅纳米线阵列中任一硅纳米线的宽度为70～110nm。
13.根据权利要求10所述的硅纳米线阵列场效应管，其特征在于，所述硅纳米线阵列为叉指结构，且所述栅极为叉指结构。
14.根据权利要求10所述的硅纳米线阵列场效应管，其特征在于，所述源极和漏极之间设置有2条隔离沟道。
15.根据权利要求10所述的硅纳米线阵列场效应管，其特征在于，所述栅极为金、铜、铝或多晶硅中的一种。