一种阵列基板和显示装置的制作方法

本发明涉及In-Cell触控面板制造领域，尤其涉及一种阵列基板和显示装置。

背景技术：

在液晶显示器制造过程中，如干燥、刻蚀、配向膜摩擦、切割和搬运等工艺中都会导致静电的发生。静电放电可能会将绝缘层击穿导致两层金属直接导通，从而直接影响着生产液晶面板的良率。静电放电是一种静电积累，在不同物体间静电电荷转移释放的现象。静电释放的时间很短，一般只有纳米等级。静电在这样短的时间内释放会产生非常大的瞬间电流，这样高的电流通过集成电路时就会将器件烧毁，导致电路不能正常工作。因此，在半导体制造中会用一些如离子风机等设备去减少静电的发生，或者在制造过程中设置一些静电防护电路，从而有利于静电的扩散，防止静电炸伤的问题，进而提高产品良率。

In-Cell触控面板的制程工艺复杂且良品率较低，In-Cell触控面板中包含有阵列基板，阵列基板中相互交叉地配置定义像素区域的栅极线和数据线，在各像素区域中配置像素电极和薄膜晶体管。传统的阵列基板制造采用薄膜晶体管的静电释放环设计方法来达到除静电的效果，这一除静电方法必须在薄膜晶体管完全成型后才能实现，而在薄膜晶体管的形成制程中尚不能清除静电，导致该制程中基板上电荷累计，与其他层静电炸伤，降低了制程的良品率。

技术实现要素：

为了解决阵列基板薄膜晶体管形成制程中的静电危害问题，本发明提出一种阵列基板。

本发明提出的阵列基板，依次设置有玻璃基板、栅极线层、第一绝缘层、数据线层、第二绝缘层、第三绝缘层、第三金属层。

该阵列基板包括像素区域、外围区域以及沿阵列基板外围边缘设置的GND金属走线，其中，所述外围区域包括所述像素区域的外边缘与GND金属走线之间的区域。

所述数据线层中设置有多条数据线，每条所述数据线均穿过所述像素区域，每条所述数据线的两端均位于所述外围区域中，在所述外围区域中，相邻的两条所述数据线通过第一金属连接线相连，所述第一金属连接线设置于所述数据线层中。

由于相邻数据线通过第一金属连接线相连，使得所有的数据线连为一个金属网，当在制程中有静电产生时，静电可通过该数据线金属网快速释放，防止静电电荷累计造成危害。

作为对本发明的进一步改进，在所述外围区域中，位于最外侧的两条所述数据线的两个端部分别通过第二金属连接线与GND金属走线相连，所述第二金属连接线设置于所述数据线层中。

数据线金属网进一步与GND金属走线相连，可以将数据线金属网上的静电通过GND金属走线释放到大地中，消除静电危害

在一个实施例中，所述第二金属连接线分别连接位于最外侧的两条数据线和与所述数据线相对平行设置的GND金属走线线段，这种结构可以保证第二金属连接线呈直线连接，避免了静电荷在拐角处蓄积，使得静电荷快速通过GND金属走线流向大地。

由于在液晶面板正常显示时，数据线之间不能短路，数据线更不能与GND金属走线短路，所以在阵列基板制程中，制作第二绝缘层时，在所述第一金属连接线的上方、所述第二金属连接线的上方均设置有第一圆柱孔，在制作第三绝缘层时，在所述第一圆柱孔的上方设置有第二圆柱孔，所述第一圆柱孔的中心轴与所述第二圆柱孔的中心轴重合，且所述第二圆柱孔的孔径等于第一圆柱孔的孔径。在这里，要求第二圆柱孔的中心轴与第一圆柱孔的中心轴重合且第二圆柱孔的孔径等于第一圆柱孔的孔径，在制作第三金属层时，可方便使第三金属层与第一金属连接线或第二金属连接线相接。

作为对本发明的进一步改进，第一圆柱孔的孔径或第二圆柱孔的孔径大于所述第一金属连接线的走线宽度，并且第一圆柱孔的孔径或第二圆柱孔的孔径大于所述第二金属连接线的走线宽度。

在制作第三金属层时，第三金属层通过第二圆柱孔和第一圆柱孔与第一金属连接线或第二金属连接线相接，然后通过蚀刻技术将第二圆柱孔处及第二圆柱孔下方的金属完全蚀刻掉，直至第一金属连接线、第二金属连接线完全断开，从而保证液晶面板的正常显示。

本发明还提出了一种显示装置，该显示装置包含以上所述的阵列基板。

本发明提出的阵列基板，在阵列基板的制程中，像素区域形成的静电可通过连接为金属网的数据线快速扩散，防止静电荷累计，扩散开的静电荷进一步通过阵列基板外边缘的GND金属走线流向大地，消除了阵列基板制程中的静电，一定程度上提高了产品的良率，由于在液晶面板正常显示时，数据线之间不能短路，数据线更不能与GND金属走线短路，所以在阵列基板制程的后续制程中，采用蚀刻技术将数据线之间的金属连接线、数据线与GND金属走线间的金属连接线完全断开，保证了液晶面板的正常显示。

附图说明

在下文中将基于实施例并参考附图来对本发明进行更详细的描述。其中：

图1为本发明中阵列基板的剖面局部示意图(制作第三层金属前)；

图2为本发明中阵列基板的剖面局部示意图(第三层金属蚀刻前)；

图3为本发明中阵列基板的剖面局部示意图(第三层金属蚀刻后)；

图4为本发明中阵列基板沿法线方向观测的俯视示意图(主要显示制作第三层金属前栅极线层、数据线层、GND金属走线的连接示意图)；

图5为本发明中阵列基板沿法线方向观测的俯视示意图(主要显示第三层金属蚀刻后栅极线层、数据线层、GND金属走线的连接示意图)；

在附图中，相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例。

具体实施方式

下面将结合附图及实施例来详细说明本发明的具体实施方式。

下文中的上、下、左、右、上部、下部、左部、右部均相对于图形方向而定，不应构成对本发明的限制。

图1显示了本发明阵列基板在制作第三层金属前的局部剖面示意图，自下而上依次包括玻璃基板1、栅极线层2、第一绝缘层3、数据线层4、第二绝缘层5、第三绝缘层6，其中，数据线层4中包含若干条数据线40和位于最外侧的数据线401和数据线402，栅极线层2中包含若干条栅极线20和位于最外侧的数据线201和数据线202。沿阵列基板的法线方向观测，如图4为该方向的示意图，图4主要显示了制作第三层金属前栅极线层、数据线层、GND金属走线的连接示意图，该阵列基板包括像素区域4020、外围区域4008和沿阵列基板外围边缘设置的GND金属走线，在图4中，GND金属走线包括线段8、线段81和线段82，像素区域4020由最外侧的数据线401、最外侧的数据线402、最外侧的栅极线201、最外侧的栅极线202所围绕而成，外围区域4008包括像素区域4020外边缘与GND金属走线之间的区域。每条数据线40均穿过像素区域4020，数据线40的两端分别位于外围区域4008的上部区域和下部区域。

在外围区域4008中，相邻的两条数据线通过第一金属走线411相连接，优选地，在外围区域4008的上部区域和下部区域均设置有第一金属走线411，优选地，第一金属走线411设置于数据线层4中，从而每相邻的两条数据线的上端和下端均通过第一金属走线411相连接，形成一个数据线金属网，在阵列基板制程中产生的静电可通过该数据线金属网迅速扩散，防止静电电荷累计造成危害。

在本实施例中，优选地，位于最外侧的数据线401和数据线402的上端和下端分别通过第二金属走线412与GND金属走线相连接，左侧的第二金属走线412优选为连接数据线401和与数据线401相对平行并靠近数据线401的GND金属走线线段81，右侧的第二金属走线412优选为连接数据线402和与数据线402相对平行并靠近数据线402的GND金属走线线段82，第二金属走线412优选为呈直线连接，第二金属走线412优选地位于数据线层4中。这种设置方式，使得数据线金属网与GND金属走线相连，可以使数据线上的静电通过GND金属走线流向大地，从而消除阵列基板制程中产生的静电。

由于在液晶面板正常显示时，数据线之间不能短路，数据线更不能与GND金属走线短路，所以在阵列基板的制程中，如图1，制作完成数据线层4后，制作第二绝缘层5，在制作第二绝缘层5后，在第一金属走线411的正上方和第二金属走线412的正上方均通过蚀刻技术蚀刻出第一圆柱孔51，然后制作第三绝缘层6，再次通过蚀刻技术在第一圆柱孔51的正上方蚀刻出与第一圆柱孔51孔径相同的第二圆柱孔61，优选地，第二圆柱孔61的中心轴与第一圆柱孔51的中心轴重合。然后制作第三金属层7，第三金属层7通过第二圆柱孔61、第一圆柱孔51分别与第一金属走线411或第二金属走线412相接，如图2所示，在实际生产工艺中，为了工艺的需要和提高第三金属层7的覆盖性，第一圆柱孔51、第二圆柱孔61被制作成依次堆叠的自下而上逐渐增大的锥形孔，这样就有利于第三金属层完全将第一圆柱孔51和第二圆柱孔61完全覆盖，然后通过蚀刻技术，将第二圆柱孔61处及其下方的金属完全蚀刻掉，如图3所示，从而完全将第一金属走线411断开，同时完全将第二金属走线412断开，使得相邻的数据线断开连接，数据线401与GND金属走线线段81断开连接，数据线402与GND金属走线线段82断开连接，得到如图5所示的效果，这样就保证了液晶面板的正常显示。

本发明提出的显示装置，包括本发明提出的阵列基板。

最后说明的是，以上实施例仅用于说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的宗旨和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。