1.生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片，其特征在于，由下至上依次包括Si衬底、In金属纳米微球层和InN纳米柱层。
2.根据权利要求1所述的生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片，其特征在于，所述In金属纳米微球层中的In金属纳米微球的直径为20-70nm。
3.根据权利要求1所述的生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片，其特征在于，所述InN纳米柱层中InN纳米柱直径为40-80nm。
4.权利要求1所述的生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)Si衬底清洗；
(2)沉积In金属纳米微球层：采用分子束外延生长工艺，衬底温度控制在400-550℃，在反应室的压力为5.0～6.0×10-10Torr条件下，在Si衬底上沉积In薄膜，并退火，得到In金属纳米微球；
(3)InN纳米柱层的生长：采用分子束外延生长工艺，衬底温度控制在500～700℃，在反应室的压力为4.0～10.0×10-5Torr，束流比V/III值为30～40条件下，在步骤(2)得到的In金属纳米微球上生长直径均一的InN纳米柱。
5.根据权利要求1所述的生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片的制备方法，其特征在于，步骤(2)中退火的温度为400-550℃，退火时间为50-300秒。
6.根据权利要求1所述的生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述Si衬底清洗，具体为：
将Si衬底放入体积比为1:20的HF和去离子水混合溶液中超声1～2分钟，去除硅衬底表面氧化物和粘污颗粒，再放入去离子水中超声1～2分钟，去除表面杂质，用高纯干燥氮气吹干。
7.根据权利要求1所述的生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片的制备方法，其特征在于，所述In金属纳米微球层中的In金属纳米微球的直径为20-70nm。
8.根据权利要求1所述的生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片的制备方法，其特征在于，所述InN纳米柱层中InN纳米柱直径为40-80nm。