技术总结
本发明涉及一种可重构环形天线中的异质Ge基PIN二极管串的制备方法，包括：选取某一晶向的GeOI衬底，并在所述GeOI衬底内设置隔离区；刻蚀所述GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽，所述P型沟槽和所述N型沟槽的深度小于所述GeOI衬底的顶层Ge的厚度；氧化所述P型沟槽和所述N型沟槽以使所述P型沟槽和所述N型沟槽的内壁形成氧化层；利用湿法刻蚀工艺刻蚀所述P型沟槽和所述N型沟槽内壁的氧化层以完成所述P型沟槽和所述N型沟槽内壁的平整化；填充所述P型沟槽和所述N型沟槽；在所述GeOI衬底上形成引线，以完成所述Ge基PIN二极管的制备。本发明实施例利用深槽隔离技术及离子注入工艺能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能异质Ge基PIN二极管串。
技术研发人员：李妤晨;付周兴
受保护的技术使用者：西安科技大学
文档号码：201611187912
技术研发日：2016.12.20
技术公布日：2017.02.22