1.一种三极管的封装方法，其特征在于，包括：
提供载体，并在所述载体的至少一个面上覆盖表面金属层；
在所述表面金属层的线路图形区域覆盖抗蚀膜；
对所述表面金属层的非线路图形区域进行电镀，形成至少一个第一焊盘；
在所述至少一个第一焊盘上焊接芯片；
在所述芯片上焊接第二焊盘形成三极管模板；
采用复合材料对所述三极管模板进行塑封处理；
在所述第二焊盘和至少一个第一焊盘的垂直方向上钻盲孔，并将所述盲孔处理成金属化盲孔；
对所述金属化盲孔经过图形制作形成线路闭合回路，封装出三极管。
2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述在所述表面金属层的线路图形区域覆盖抗蚀膜包括：
在所述表面金属层上涂覆抗蚀膜；
经过曝光和显影步骤，将所述非线路图形区域的抗蚀膜去除，使保留的抗蚀膜覆盖所述线路图形区域。
3.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于，所述在所述至少一个第一焊盘上焊接芯片之前，所述封装方法还包括：
去除所述线路图形区域的抗蚀膜。
4.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述在所述至少一个第一焊盘上焊接芯片包括：
在所述至少一个第一焊盘上放置芯片，并采用锡膏、镀锡、金属键合、导电胶粘接中的至少一种方式将所述芯片焊接在所述至少一个第一焊盘上。
5.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述在所述第二焊盘的垂直方向上钻盲孔包括：
采用激光盲孔的方式在所述第二焊盘的垂直方向上钻盲孔。
所述将所述盲孔处理成金属化盲孔包括：
采用化学沉铜，电镀铜、溅射铜、导电铜胶中的至少一种方式将所述盲孔处理成所述金属化盲孔。
6.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述对所述金属化盲孔经过图形制作形成线路闭合回路之后，所述封装方法还包括：
将所述复合材料加入模具，并进行塑封处理，切割掉多余的复合材料。
7.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述封装方法还包括：
在至少一个第一焊盘上焊接目标电子元器件，其中，所述目标电子元器件包括电阻、电容中的至少一个。
8.一种三极管，其特征在于，所述三极管为利用上述权利要求1至权利要求7中的任意一种封装方法所封装出的三极管。