技术总结
本发明涉及一种背照式图像传感器及提高背照式图像传感器灵敏度的方法，所述背照式图像传感器包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底背面的空穴层；位于所述半导体衬底中，且靠近所述空穴层的耗尽区；位于所述耗尽区背离所述空穴层一侧的N型的光生载流子收集区；包围所述光生载流子收集区的P型的隔离区；所述空穴层、所述隔离区和所述光生载流子收集区的电势分别为第一电势、第二电势及第三电势，使所述耗尽区中的电子和空穴沿竖直方向迁移，电子聚集于所述光生载流子收集区，空穴通过所述空穴层导出。本发明中，半导体衬底厚度的增加不受隔离区注入深度的限制，从而能够增加半导体衬底的厚度，提高图像传感器的灵敏度。
技术研发人员：李杰
受保护的技术使用者：格科微电子（上海）有限公司
文档号码：201611218462
技术研发日：2016.12.26
技术公布日：2017.05.10