准分子激光退火制备桥式沟道多晶硅薄膜的方法与流程

技术特征：

1.准分子激光退火制备桥式沟道多晶硅薄膜的方法，所述方法将沉积在基板上的非晶硅薄膜制备成具有桥式沟道多晶硅薄膜，其特征在于，所述方法包括图案化和准分子激光退火；

所述图案化使薄膜形成桥式结构；

所述准分子激光退火使非晶硅薄膜形成多晶硅薄膜；

所述准分子激光退火发生在图案化之前或图案化之后。

2.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述图案化包括桥式结构掩模层沉积、刻蚀和掩模剥离；所述方法在完成刻蚀并在掩模剥离前还包括掺杂PH^X+步骤。

3.如权利要求2所述方法，其特征在于，所述桥式结构掩膜层单个栅型结构宽度1μm，相邻结构间距1μm，厚度为800nm。

4.如权利要求2所述方法，其特征在于，掺杂PH^X+浓度范围为9×10¹³cm^-2～9×10¹⁴cm^-2。

5.如权利要求2所述方法，其特征在于，掺杂后进一步刻蚀去除掺杂过程中碳化的掩模，刻蚀后玻璃掩模，用清洗剂清洗薄膜避免刻蚀后薄膜氧化造成界面处缺陷增多。

6.如权利要求2所述方法，其特征在于，所述掩模沉积可以为灰阶掩模。

7.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述方法还包括在图案化及准分子激光退火均完成后对薄膜表面进行修复处理，修复图案化过程中使薄膜表面产生大量缺陷态。

8.如权利要求7所述方法，其特征在于，所述修复处理为对薄膜进行CF₄,NH₃或H₂等离子处理。

9.如权利要求1-8任一所述方法，其特征在于，所述方法制备的桥式沟道多晶硅薄膜用作多晶硅薄膜晶体管的有源层。

10.如权利要求1-8任一所述方法，其特征在于，所述基板上的非晶硅薄膜通过PECVD方法淀积。