一种多晶硅薄膜晶体管的制作方法
【专利说明】
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种多晶硅薄膜晶体管的制作方法。
【【背景技术】】
[0002]在LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低温多晶娃技术)现行制作工艺中，为了完成 CMos (互补金属氧化物半导体，Complementary Metal Oxide Semiconductor)和gate (栅极)的定义，并形成LDD (非对称轻掺杂漏)，其需要4道普通的掩模才能完成，更有为了 LDD的效果而采用5道掩模的工艺。因此，传统工艺会导致PH产能的紧张，设备需求数量大，而且成本高。
[0003]故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。
【
【发明内容】
】
[0004]本发明的目的在于提供一种多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其能减少光罩数，能有效降低成本。
[0005]为解决上述问题，本发明的技术方案如下:
[0006]—种多晶硅薄膜晶体管的制作方法，所述多晶硅薄膜晶体管的制作方法包括:
[0007]提供一玻璃基板，在所述玻璃基板上依次形成缓冲层以及多晶硅层；
[0008]在所述多晶硅层上涂布一光阻，并采用半色调掩模光罩对所述光阻进行曝光和刻蚀；
[0009]离子植入高剂量P掺杂，形成N+ ;
[0010]在所述玻璃基板全表面上依次形成绝缘层和栅极层；
[0011]在所述栅极层上涂布一光阻，并采用半色调掩模光罩对所述光阻进行曝光；
[0012]离子植入高剂量B掺杂，形成P+。
[0013]优选的，在所述的多晶硅薄膜晶体管的制作方法中，在所述玻璃基板上形成多晶硅层的步骤，包括:
[0014]在所述缓冲层上形成一非晶硅层；
[0015]对所述非晶硅层进行准分子激光退火操作，形成多晶硅层。
[0016]优选的，在所述的多晶硅薄膜晶体管的制作方法中，在所述玻璃基板上形成多晶硅层的步骤之后，还包括:
[0017]离子植入轻剂量B掺杂，形成沟道。
[0018]优选的，在所述的多晶硅薄膜晶体管的制作方法中，所述采用半色调掩模光罩对所述光阻进行曝光和刻蚀的步骤，包括:
[0019]采用半色调掩模光罩对所述光阻进行曝光；
[0020]蚀刻掉多余的多晶硅；
[0021]蚀刻掉半曝的所述光阻。
[0022]优选的，在所述的多晶硅薄膜晶体管的制作方法中，所述离子植入高剂量P掺杂，形成N+的步骤之后，还包括:
[0023]去除掉剩下的所述光阻。
[0024]优选的，在所述的多晶硅薄膜晶体管的制作方法中，在所述栅极层上涂布一光阻，并采用半色调掩模光罩对所述光阻进行曝光的步骤之后，还包括:
[0025]蚀刻掉多余的栅极。
[0026]优选的，在所述的多晶硅薄膜晶体管的制作方法中，所述B剂量低于所述高剂量P。
[0027]优选的，在所述的多晶硅薄膜晶体管的制作方法中，所述离子植入高剂量B掺杂，形成P+的步骤之后，还包括:
[0028]蚀刻掉半曝的所述光阻；
[0029]蚀刻掉暴露的栅极；
[0030]去除掉剩下的所述光阻。
[0031]优选的，在所述的多晶硅薄膜晶体管的制作方法中，所述去除掉剩下的所述光阻的步骤之后，还包括:
[0032]离子植入低剂量P掺杂，形成N-。
[0033]优选的，在所述的多晶硅薄膜晶体管的制作方法中，所述去除掉剩下的所述光阻的步骤之前，还包括:
[0034]离子植入低剂量P掺杂，形成N-。
[0035]相对现有技术，本发明米用2道半色调掩模光罩完成CMos (Complementary MetalOxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)和栅极的定义，并形成LDD。从而使得掩模数量从4道减少到了 2道，大大提升了竞争力；因此本发明提供的多晶硅薄膜晶体管的制作方法能有效减少光罩数，且能有效降低成本。
[0036]为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
【【附图说明】】
[0037]图1为本发明实施例提供的多晶硅薄膜晶体管的制作方法的实现流程示意图；
[0038]图2为本发明实施例一提供的多晶硅薄膜晶体管的制作方法的实现流程示意图；
[0039]图3为本发明实施例二提供的多晶硅薄膜晶体管的制作方法的实现流程示意图；
[0040]图4为本发明实施例提供的在玻璃基板上依次形成缓冲层以及多晶硅层的结构示意图；
[0041]图5为本发明实施例提供的离子植入轻剂量B掺杂的结构示意图；
[0042]图6A和图6B为本发明实施例提供的在多晶硅层上涂布一光阻的结构示意图；
[0043]图7A和图7B为本发明实施例提供的蚀刻掉多余的多晶娃的结构不意图；
[0044]图8A和图SB为本发明实施例提供的蚀刻掉半曝的所述光阻13的结构示意图；
[0045]图9A和图9B为本发明实施例提供的离子植入高剂量P掺杂形成N+的结构示意图；
[0046]图1OA和图1OB为本发明实施例提供的去除掉剩下的所述光阻的结构示意图；
[0047]图1lA和图1lB为本发明实施例提供的形成绝缘层和栅极层的结构示意图；
[0048]图12A和图12B为本发明实施例提供的在栅极层上涂布一光阻的结构示意图；
[0049]图13A和图13B为本发明实施例提供的蚀刻掉多余的栅极的结构示意图；
[0050]图14A和图14B为本发明实施例提供的离子植入高剂量B掺杂形成P+的结构示意图；
[0051]图15A和图15B为本发明实施例提供的蚀刻掉半曝的光阻的结构示意图；
[0052]图16A和图16B为本发明实施例提供的蚀刻掉暴露的栅极的结构示意图；
[0053]图17A和图17B为本发明实施例提供的离子植入低剂量P掺杂形成N-的结构示意图；
[0054]图18A和图18B为本发明实施例提供的去除掉剩下的光阻的结构示意图。
【【具体实施方式】】
[0055]本说明书所使用的词语“实施例”意指用作实例、示例或例证。此外，本说明书和所附权利要求中所使用的冠词“一”一般地可以被解释为意指“一个或多个”，除非另外指定或从上下文清楚导向单数形式。
[0056]在本发明实施例中，本发明采用2道半色调掩模光罩完成CMos (ComplementaryMetal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)和栅极的定义，并形成LDD。从而使得掩模数量从4道减少到了 2道，大大提升了竞争力；因此本发明提供的多晶硅薄膜晶体管的制作方法能有效减少光罩数，且能有效降低成本。
[0057]请参阅图1，图1为本发明实施例提供的多晶硅薄膜晶体管的制作方法的实现流程示意图；所述多晶硅薄膜晶体管的制作方法主要包括以下步骤:
[0058]在步骤SlOl中，提供一玻璃基板，在所述玻璃基板上依次形成缓冲层以及多晶硅层；
[0059]在本发明实施例中，在所述玻璃基板上形成多晶硅层的步骤，包括:
[0060]在所述缓冲层上形成一非晶硅层；
[0061]对所述非晶硅层进行准分子激光退火操作，形成多晶硅层。
[0062]在步骤S102中，在所述多晶硅层上涂布一光阻，并采用半色调掩模光罩对所述光阻进行曝光和刻蚀；
[0063]在本发明实施例中，所述采用半色调掩模光罩对所述光阻进行曝光和刻蚀的步骤，包括:
[0064]采用半色调掩模光罩对所述光阻进行曝光；
[0065]蚀刻掉多余的多晶硅；
[0066]蚀刻掉半曝的所述光阻。
[0067]在步骤S103中，頂P (IMPLANT,离子植入)高剂量P掺杂，形成N+ ；
[0068]在步骤S104中，在所述玻璃基板全表面上依次形成绝缘层和栅极层；
[0069]在本发明实施例中，在所述玻璃基板全表面上形成绝缘层的步骤，包括:
[0070]采用化学气相沉积在所述玻璃基板全表面上沉积一绝缘层。
[0071]在所述玻璃基板全表面上形成栅极层的步骤，包括:
[0072]采用物理气相沉积在所述绝缘层上沉积一栅极层。
[0073]在步骤S105中，在所述栅极层上涂布一光阻，并采用半色调掩模光罩对所述光阻进行曝光；
[0074]在步骤S106中，IMP离子植入高剂量B掺杂，形成P+。
[0075]在本发明实施例中，所述B剂量低于所述高剂量P，以免造成N+的消失。
[0076]为了说明本发明所述的技术方案，下面通过具体实施例来进行说明。
[0077]实施例一
[0078]请参阅图2，图2为本发明实施例一提供的多晶硅薄膜晶体管的制作方法的实现流程示意图；其主要包括以下步骤:
[0079]在步骤S201中，提供一玻璃基板，在所述玻璃基板上依次形成缓冲层以及多晶硅层；
[0080]在本发明实施例中，在所述玻璃基板上形成多晶硅层的步骤，包括:
[0081]在所述缓冲层上形成一非晶硅层；
[0082]对所述非晶硅层进行准分子激光退火操作，形成多晶硅层。
[0083]在步骤S202中，IMP离子植入轻剂量B掺杂，形成沟道；
[0084]在步骤S203中，在所述多晶硅层上涂布一光阻，并采用半色调掩模光罩对所述光阻进行曝光和刻蚀；
[0085]在本发明实施例中，所述采用半色调掩模光罩对所述光阻进行曝光和刻蚀的步骤，包括:
[0086]采用半色调掩模光罩对所述光阻进行曝光；
[0087]蚀刻掉多余的多晶硅；
[0088]蚀刻掉半曝的所述光阻。
[0089]在步骤S204中，IMP离子植入高剂量P掺杂，形成N+ ；
[0090]在步骤S205中，去除掉剩下的所述光阻；
[0091 ]在步骤S206中，在所述玻璃基板全表面上依次形成绝缘层和栅极层；
[0092]在本发明实施例中，在所述玻璃基板全表面上形成绝缘层的步骤，包括:
[0093]采用化学气相沉积在所述玻璃基板全表面上沉积一绝缘层。
[0094]在所述玻璃基板全表面上形成栅极层的步骤，包括:
[0095]采用物理气相沉积在所述绝缘层上沉积一栅极层。
[0096]在步骤S207中，在所述栅极层上涂布一光阻，并采用半色调掩模光罩对所述光阻进行曝光；
[0097]在步骤S208中，蚀刻掉多余的栅极；
[0098]在步骤S209中，IMP离子植入高剂量B掺杂，形成P+。
[0099]在本发明实施例中，所述B剂量低于所述高剂量P，以免造成N+的消失。
[0100]在步骤S210中，蚀刻掉半曝的所述光阻；
[0101]在步骤S211中，蚀刻掉暴露的栅极。
[0102]在步骤S212中，去除掉剩下的所述光阻。
[0103]在步骤S213中，IMP离子植入低剂量P掺杂，形成N-。
[0104]实施例二
[0105]请参阅图3，图3为本发明实施例二提供的多晶硅