1.一种具有微腔结构的顶发射QLED场效应晶体管，其特征在于，依次包括：衬底、第一电极、绝缘层、第二电极、功能层、第三电极，所述第一电极为反射电极，所述第二电极为透明电极，所述第三电极为半反射电极。
2.根据权利要求1所述的具有微腔结构的顶发射QLED场效应晶体管，其特征在于，所述功能层依次包括：空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层。
3.根据权利要求1所述的具有微腔结构的顶发射QLED场效应晶体管，其特征在于，所述功能层依次包括：电子注入层、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层。
4.根据权利要求1所述的具有微腔结构的顶发射QLED场效应晶体管，其特征在于，所述绝缘层为PMMA或PI。
5.根据权利要求1所述的具有微腔结构的顶发射QLED场效应晶体管，其特征在于，所述绝缘层的厚度为10~300nm。
6.根据权利要求1所述的具有微腔结构的顶发射QLED场效应晶体管，其特征在于，所述第三电极为双层结构。
7.根据权利要求5所述的具有微腔结构的顶发射QLED场效应晶体管，其特征在于，所述第三电极的第一层为Al，第二层为Ag。
8.根据权利要求1所述的具有微腔结构的顶发射QLED场效应晶体管，其特征在于，所述第一电极为Al电极或Ag电极。
9.一种具有微腔结构的顶发射QLED场效应晶体管，其特征在于，依次包括：第一电极、反射层、绝缘层、第二电极、功能层、第三电极，所述第二电极为透明电极，所述第三电极为半反射电极。
10.一种如权利要求1所述的具有微腔结构的顶发射QLED场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括步骤：
A、在衬底上沉积第一电极，所述第一电极为反射电极；
B、在第一电极上旋涂一层绝缘层；
C、在绝缘层上制备第二电极，所述第二电极为透明电极；
D、在第二电极上制作功能层；
E、在功能层上制作第三电极，所述第三电极为半反射电极。