专利名称：一种半导体器件的发射区结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及半导体器件技术领域，特别是一种半导体器件的发射区结构。
背景技术：
在正常情况下，半导体器件发射区结构一般设计为梳状结构(树枝结构，如图1所示)、覆盖结构或网络结构。这些半导体结构存在着发射区金属条跨过基区的矛盾和因氧化层针孔引起的EB短路以及发射条比较短。单位面积电流较小的诸多弊端。
发明内容
本实用新型的发明目的是利用发射区电流集边效应而提供一种半导体器件的发射区结构，以解决现有半导体器件发射区梳状结构、覆盖结构或网络结构存在的不足之处。
为了实现上述发明目的，本实用新型所采用的技术方案是一种半导体器件的发射区结构，其特征是由许多碎块构成的，相邻碎块的间距S在1.4倍扩散结深Xj与1.6倍扩散结深Xj之间。
上述各个碎块的尺寸可以相同，也可以不相同，各个碎块的尺寸取决于工艺过程中光刻水平，光刻精度越高碎块的尺寸越小。
本实用新型在同等面积下，可提高发射周长100％～200％。增大发射电流30％～50％。这种发射区结构与现有的覆盖结构和网络结构相比，可以避免发射区金属条跨过基区的矛盾和因氧化层针孔引起的EB短路，能提高半导体器件的合格率。与其梳状结构相比增加了发射周长，提高了单位面积的电流。本实用新型可用于半导体功率器件和对输出电流有要求的器件以及集成电路中的功率输出管的设计中。
图1是本实用新型所述发射区梳状结构的示意图；图2是本实用新型发射区的示意图。
具体实施方式
如图2所示的一种半导体器件的发射区结构，其是由许多碎块1构成的，相邻碎块1的间距S取决于碎块1扩散结深Xj，且1.4Xj≤S≤1.6Xj。上述各个碎块1的尺寸可以相同，也可以不相同，各个碎块1的尺寸取决于工艺过程中光刻水平，光刻精度越高碎块1的尺寸越小。
权利要求1.一种半导体器件的发射区结构，其特征是由许多碎块(1)构成的，相邻碎块(1)的间距S在1.4倍扩散结深Xj与1.6倍扩散结深Xj之间。
2.根据权利要求1所述的一种半导体器件的发射区结构，其特征是上述各个碎块的尺寸可以相同，也可以不相同。
专利摘要一种半导体器件的发射区结构，是将现有的梳状结构分割成许多碎块，相邻碎块的间距S取决于发射区工艺扩散结深Xj且1.4Xj< s< 1.6xj。各个碎块的尺寸可以相同也可以不相同，各个碎块的尺寸取决于工艺过程中光刻水平。所述碎块经发射扩散后，都会形成横向扩散，横向扩散后相邻碎块的边沿接近或轻微相连。本实用新型在同等面积下，可提高发射周长100％～300％，增大发射电流300％—50％。其与现有的覆盖结构和网络结构相比，可以避免发射区金羁条跨过基区的矛盾和因氧化层针孔引起的EB短路，提高合格率。其与梳状结构相比可增加发射周长，提高单位面积的电流。本实用新型可用于半导体功率器件和对输出电流有要求的器件以及集成电路中的功率输出管的设计中。
文档编号H01L29/70GK2613888SQ0227705
公开日2004年4月28日 申请日期2002年8月9日 优先权日2002年8月9日
发明者刘桂芝 申请人:衡阳科晶微电子有限公司