技术总结
本发明公开具有微腔结构的顶发射QLED场效应晶体管及制备方法，依次包括：衬底、第一电极、绝缘层、第二电极、功能层、第三电极，所述第一电极为反射电极，所述第二电极为透明电极，所述第三电极为半反射电极。本发明对顶发射QLED场效应晶体管电极进行结构改进和优化，在器件中形成光学微腔。利用光的干涉作用，实现对光的选择性，增强了光学微腔腔长对应出射光波长的单色性和垂直方向发光效率。
技术研发人员：辛征航;向超宇;李乐;张滔;张东华
受保护的技术使用者：TCL集团股份有限公司
文档号码：201611227774
技术研发日：2016.12.27
技术公布日：2017.05.10