1.一种紫外LED封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
（11）、固晶步骤，将紫外LED 芯片固设在基板腔体内的固晶区内；
（12）、焊线步骤，用导线将紫外LED芯片与相关电路端子连接；
（13）、等离子镀膜步骤，将固定有紫外LED芯片的基板置于喷涂室内，喷涂室被抽成低压真空状态，向紫外LED 芯片表面及基板腔体内喷涂喷涂剂进行等离子体镀膜，在紫外LED 芯片表面及基板腔体内表面形成保护薄膜，所述保护薄膜的成分为碳氟类化合物；
（14）、封盖板步骤，将透明的盖板密封在基板腔体的口部。
2.根据权利要求1所述的紫外LED封装方法，其特征在于，所述喷涂剂为聚四氟乙烯、聚全氟丙烯的至少一种。
3.根据权利要求1所述的紫外LED封装方法，其特征在于，步骤（13）中向紫外LED 芯片表面及基板腔体内喷涂等离子态喷涂剂之前，还包括向喷涂室内输入惰性气体的步骤，输入惰性气体之后保持喷涂室内的真空度不低于5mt。
4.根据权利要求1-3任一项所述的紫外LED封装方法，其特征在于，步骤（13）中，将液态的喷涂剂放置在等离子设备中，等离子设备将液态的喷涂剂雾化，并且等离子设备产生高频电磁场，雾化的喷涂剂在高频电磁场的作用下形成等离子态并发生聚合反应，产生的聚合物均匀的沉积在紫外LED 芯片表面及基板腔体内表面形成保护薄膜。
5.根据权利要求4所述的紫外LED封装方法，其特征在于，步骤（13）中，通过控制等离子设备的喷涂流量和喷涂时间，使得涂层的厚度为30-70nm。
6.一种紫外LED封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
（21）、固晶步骤，将紫外LED 芯片固设在基板腔体内的固晶区内；
（22）、焊线步骤，用导线将紫外LED芯片与相关电路端子连接；
（23）、封盖板步骤，将透明的盖板密封在基板腔体的口部；
（24）、等离子镀膜步骤，将封有盖板的基板置于喷涂室内，喷涂室被抽成低压真空状态，向所述盖板的表面以及盖板与基板的接缝侧壁处喷涂喷涂剂进行等离子镀膜，在所述盖板的表面以及盖板与基板的接缝侧壁处形成保护薄膜，所保护薄膜的成分为碳氟类化合物。
7.根据权利要求6所述的紫外LED封装方法，其特征在于，所述喷涂剂为聚四氟乙烯、聚全氟丙烯的至少一种。
8.根据权利要求7所述的紫外LED封装方法，其特征在于，所述喷涂剂还添加有二氧化硅，所述二氧化硅在喷涂剂中成份比例为5%-25%。
9.根据权利要求6所述的紫外LED封装方法，其特征在于，步骤（24）中喷涂等离子态喷涂剂之前，还包括向喷涂室内输入惰性气体的步骤，输入惰性气体之后保持喷涂室内的真空度不低于5mt。
10.根据权利要求6-9任一项所述的紫外LED封装方法，其特征在于，步骤（24）中，将液态的喷涂剂放置在等离子设备中，等离子设备将液态的喷涂剂雾化，并且等离子设备产生高频电磁场，雾化的喷涂剂在高频电磁场的作用下形成等离子态并发生等离子体聚合反应，产生的聚合物均匀沉积到盖板的表面以及盖板与基板的接缝侧壁处形成保护薄膜，通过控制等离子设备的喷涂流量和喷涂时间，使得涂层的厚度为30-70nm。