本实用新型涉及一种结构，具体涉及一种用于降低厚膜工艺表面粗糙度的结构，属于薄膜制造领域。
背景技术：
现有的厚膜工艺，是直接在陶瓷基板上印导电金属图形，然后通过烧结烧死。由于陶瓷基板本身存在粗糙度，丝印完成线路图形制作后会导致线路PAD不平整，对后续绑线产生隐患。特别是对于光刻厚膜工艺制作精密电阻，会使得蚀刻时线路出现边缘不整齐，难以达到电阻精度，需要增加激光调阻。
技术实现要素：
本实用新型为解决由于陶瓷基板本身存在粗糙度，丝印完成线路图形制作后会导致线路PAD不平整，对后续绑线产生隐患的问题，进而提出一种用于降低厚膜工艺表面粗糙度的结构。
本实用新型为解决上述问题采取的技术方案是：本实用新型包括陶瓷基板、底釉层、铜层和面釉层，陶瓷基板、底釉层、铜层和面釉层由下至上依次叠加设置。
进一步的，陶瓷基板的厚度为1mm~2mm。
进一步的，陶瓷基板的厚度为2mm。
进一步的，底釉层的厚度为10μm~30μm。
进一步的，底釉层的厚度为30μm。
进一步的，铜层的厚度为20μm~40μm。
进一步的，铜层的厚度为20μm。
进一步的，面釉层的厚度为30μm~40μm。
进一步的，面釉层的厚度为35μm。
本实用新型的有益效果是：1、本结构降低陶瓷基板的粗糙度，使得后续加工线路图形PAD非常平整。对于光刻工艺，蚀刻的线路整齐平滑；2、本实用新型完美解决了绑线，和光刻厚膜工艺的平整度需求。再表面用釉代替阻焊，大大提高了陶瓷PCB的耐腐蚀性；3、本实用新型能达到各种绑线需求的平整度；4、本实用新型能制作高精密的电阻，无需激光调阻；5、本实用新型还可应用于对平整度要求高的DPC工艺制作。
附图说明
图1是本实用新型的整体结构示意图。
具体实施方式
具体实施方式一：结合图1说明本实施方式，本实施方式所述一种用于降低厚膜工艺表面粗糙度的结构包括陶瓷基板1、底釉层2、铜层3和面釉层4，陶瓷基板1、底釉层2、铜层3和面釉层4由下至上依次叠加设置。
具体实施方式二：结合图1说明本实施方式，本实施方式所述一种用于降低厚膜工艺表面粗糙度的结构的陶瓷基板1的厚度为1mm~2mm。其它组成及连接关系与具体实施方式一相同。
具体实施方式三：结合图1说明本实施方式，本实施方式所述一种用于降低厚膜工艺表面粗糙度的结构的陶瓷基板1的厚度为2mm。其它组成及连接关系与具体实施方式二相同。
具体实施方式四：结合图1说明本实施方式，本实施方式所述一种用于降低厚膜工艺表面粗糙度的结构的底釉层2的厚度为10μm~30μm。其它组成及连接关系与具体实施方式一相同。
具体实施方式五：结合图1说明本实施方式，本实施方式所述一种用于降低厚膜工艺表面粗糙度的结构的底釉层2的厚度为30μm。其它组成及连接关系与具体实施方式四相同。
具体实施方式六：结合图1说明本实施方式，本实施方式所述一种用于降低厚膜工艺表面粗糙度的结构的铜层3的厚度为20μm~40μm。其它组成及连接关系与具体实施方式一相同。
具体实施方式七：结合图1说明本实施方式，本实施方式所述一种用于降低厚膜工艺表面粗糙度的结构的铜层3的厚度为20μm。其它组成及连接关系与具体实施方式六相同。
具体实施方式八：结合图1说明本实施方式，本实施方式所述一种用于降低厚膜工艺表面粗糙度的结构的面釉层4的厚度为30μm~40μm。其它组成及连接关系与具体实施方式一相同。
具体实施方式九：结合图1说明本实施方式，本实施方式所述一种用于降低厚膜工艺表面粗糙度的结构的面釉层4的厚度为35μm。其它组成及连接关系与具体实施方式八相同。
本实用新型的制作步骤为：
第一步:对陶瓷基板激光划线（做外形线控深）；
第二步：对陶瓷基板用超声波水洗；
第三步：在陶瓷基板需要做线路面丝印底釉层，然后1300度高温烧结；
第四步：线路制作，丝印线路金属；或者整板丝印，光刻加工线路；
第五步：丝印面釉，把需要焊接的PAD露出来。
以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本实用新型，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本实用新型技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容做出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本实用新型技术方案内容，依据本实用新型的技术实质，在本实用新型的精神和原则之内，对以上实施例所作的任何简单的修改、等同替换与改进等，均仍属于本实用新型技术方案的保护范围之内。