本实用新型涉及一种防偏移顶针系统,属于半导体封装技术领域。
背景技术:
目前机台关于顶针系统的结构中有一种使用磁性针的设计方式(参见图1),针底有凸出部分防止飞针情况发生,此种结构能防止顶针飞针,但是,若顶针在膜下一步位移前还未及时落回磁铁底座上,膜会带动顶针水平方向的移动,使顶针产生横向偏移,致使顶针对应与芯片的位置与着力点偏移,容易使芯片顶起时产生倾斜的现象,造成吸晶不良。
并且这种磁性顶针方式还存在以下缺点:
1、顶针针尾凸台结构面积极小,磁铁对顶针的吸引力仍旧很小;
2、磁性顶针座的材料成本较高,且硬度相对不锈钢较低,易损坏。
技术实现要素:
本实用新型所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种防偏移顶针系统,它能够很好的控制顶针只沿上下方向移动,使顶针始终在顶针座的导向孔中上下移动,不会因顶针不及时落回磁铁底座,被蓝膜带动而使顶针产生偏移;另一方面工艺参数方面不用变更,不增加改善成本。
本实用新型解决上述问题所采用的技术方案为:一种防偏移顶针系统,它包括顶针座、至少一个十字型顶针和顶针帽,所述顶针座包括顶针基座,所述顶针基座上设置有至少一个导向孔,所述十字型顶针包括顶针上部、顶针凸台和顶针下部,所述十字型顶针的顶针下部插装于导向孔内,所述顶针凸台在顶针座与顶针帽之间活动,所述顶针帽上对应顶针设置有针孔。
所述导向孔直径略大于顶针下部的直径。
所述导向孔为锥形沉孔。
所述顶针上部长度大于顶针脱膜高度。
所述顶针上部长度小于顶针系统初始状态下的顶针座与顶针帽之间的距离。
所述顶针下部长度大于顶针上部长度。
所述顶针下部长度大于顶针系统初始状态下的顶针座与顶针帽之间的距离。
所述顶针帽直径大于顶针上部直径,所述顶针帽直径小于顶针凸台直径。
与现有技术相比,本实用新型的优点在于:
1、本实用新型可有效的控制顶针的偏移量,避免芯片被顶针顶起时产生倾斜的现象,有效解决吸晶不良的问题;
2、本实用新型结构简单,系统和工艺不变,节省耗品顶针的生产成本。
附图说明
图1为现有顶针系统的示意图。
图2为本实用新型一种防偏移顶针系统顶针上顶至最高点的示意图。
图3为本实用新型一种防偏移顶针系统顶针下落至最低点的示意图。
图4为图2中顶针基座的结构示意图。
其中:
顶针座1
顶针基座1.1
导向孔1.2
十字型顶针2
顶针帽3
膜4
针孔5。
具体实施方式
以下结合附图实施例对本实用新型作进一步详细描述。
如图2~4所示,本实施例中的一种防偏移顶针系统,它包括顶针座1、至少一个十字型顶针2和顶针帽3,所述顶针座1包括顶针基座1.1,所述顶针基座1.1上设置有至少一个导向孔1.2,所述十字型顶针2包括顶针上部、顶针凸台和顶针下部,所述十字型顶针2的顶针下部插装于导向孔1.2内,所述顶针凸台在顶针座1与顶针帽3之间活动,所述顶针帽3上对应顶针设置有针孔5,所述十字型顶针2的顶针上部透过顶针帽3上设置的针孔5顶起膜4上的芯片;
所述顶针座1上移连带十字型顶针2向上顶起膜4上的芯片时为最高点,此时顶针顶起高度为脱膜高度,顶针座1上移连带十字型顶针2下移到顶针座1复位时为最低点,此时顶针位置处在初始位置,所述十字型顶针2上下移动时所有过程顶针下部都在顶针基座1.1的导向孔1.2内;
所述导向孔1.2直径略大于顶针下部的直径;
所述导向孔1.2为锥形沉孔,便于安装十字型顶针2;
所述顶针上部长度大于顶针脱膜高度;
所述顶针上部长度小于顶针系统初始状态下的顶针座1与顶针帽3之间的距离;
所述顶针下部长度大于顶针上部长度;
所述顶针下部长度大于顶针系统初始状态下的顶针座1与顶针帽3之间的距离;
所述顶针帽3上针孔5直径大于顶针上部直径,所述顶针帽3上针孔5直径小于顶针凸台直径。
所述顶针系统工作时:顶针座向上顶起顶针使顶针露出顶针帽,顶针帽始终固定不动,顶针顶起高度达到脱膜条件停下顶起操作,膜上芯片被吸取之后,顶针座落回初始位置,理想状态下顶针也会落回导向孔内,但是个别顶针会被膜包裹。之后膜会平移一个单位,过程中由于顶针的凸起部结构使顶针避免抽离顶针座,并且顶针下端部分始终在导向孔内不易发生左右偏移,相当于蓝膜相对于顶针在做移动,蓝膜与顶针之间的摩擦最终使顶针与膜分离,分离后的顶针由于导向孔的导向作用落回初始位置,实现顶针复位。之后重复上述动作完成芯片吸取和顶针座及顶针复位操作。
除上述实施例外,本实用新型还包括有其他实施方式,凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案,均应落入本实用新型权利要求的保护范围之内。