1.一种晶体硅量子点叠层太阳能电池，其特征在于，包括依次层叠的铝背电场、晶体硅衬底、发射结、硅化物层、透明膜层和金属电极，其中，所述硅化物层包括隧道结和子电池，所述子电池中含有硅量子点，所述隧道结和子电池交替堆叠形成多层结构，从发射结至透明膜层所述多层结构中隧道结的层厚度渐变，从发射结至透明膜层所述多层结构中子电池的层厚度渐变。
2.根据权利要求1所述的晶体硅量子点叠层太阳能电池，其特征在于，每层所述子电池中硅量子点的粒径随着子电池厚度的变化而变化。
3.根据权利要求2所述的晶体硅量子点叠层太阳能电池，其特征在于，每个所述子电池中的硅量子点的粒径大小大致相同。
4.根据权利要求1所述的晶体硅量子点叠层太阳能电池，其特征在于，每层所述子电池包括依次层叠的p层、i层和n层，所述p层、i层和n层中分别含有硅量子点。
5. 根据权利要求4所述的晶体硅量子点叠层太阳能电池，其特征在于，所述子电池中多个所述硅量子点有序排列，所述p层、i层和n层中相邻所述硅量子点的间距为1-8 nm。
6.根据权利要求5所述的晶体硅量子点叠层太阳能电池，其特征在于，相邻所述p层、i层和n层中，p层中的硅量子点在i层上的投影是在相邻的硅量子点之间的空隙上；i层中的硅量子点在n层上的投影是在相邻的硅量子点之间的空隙上。
7.根据权利要求1所述的晶体硅量子点叠层太阳能电池，其特征在于，从发射结至透明膜层所述多层结构中隧道结的层厚度逐渐减薄，多层结构中子电池的层厚度逐渐减薄。
8. 根据权利要求7所述的晶体硅量子点叠层太阳能电池，其特征在于，所述隧道结的层厚度最厚为6-8nm，最薄为1-3 nm；所述子电池的层厚度最厚为8-10 nm，最薄为1-3nm。
9. 根据权利要求2所述的晶体硅量子点叠层太阳能电池，其特征在于，从发射结至透明膜层所述子电池中硅量子点的粒径逐渐减小；所述硅量子点的粒径最大为6-8 nm，最小为1-3 nm。
10.根据权利要求1所述的晶体硅量子点叠层太阳能电池，其特征在于，所述交替堆叠的隧道结和子电池中第一层所述隧道结与发射结接触。
11. 根据权利要求1所述的晶体硅量子点叠层太阳能电池，其特征在于，所述发射结的层厚度为50-500 nm；所述硅化物层的层厚度为20-200 nm；所述透明膜层的层厚度为20-100nm。